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公开(公告)号：CN116157004A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310255164.8
申请日：2023-03-16
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明涉及忆阻器件技术领域，尤其涉及一种基于三硫化钛/二氧化钛/三硫化钛横向异质结的忆阻器件及其制备方法和应用。本发明所述制备方法首先采用云母限域空间辅助化学气相运输法(CVT法)合成的TiS3纳米片，具有规则的形状、较大的二维尺寸、厚度较小、结晶质量高，用其构筑的晶体管具备较好的电学性能；接着采用激光原位氧化所述TiS3纳米片形成TiS3/TiO2/TiS3横向异质结，激光氧化灵活度高、可控性强，可以根据需要设计异质结的沟道形状；所述制备过程简单快速、在室温大气环境下进行，无苛刻的实验环境要求；制备得到的异质结界面清晰、质量较好，可以较好的实现模拟忆阻器功能和模拟突触可塑性等功能。
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