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发明公开
一种一维铋硫氯单晶及其制备方法、一种铋硫氯光电探测器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118374875A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202311079357.9

申请日：2023-08-25

Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)

Inventor： 秦敬凯 , 李婉淋 , 黄沛禹 , 徐成彦

IPC: C30B25/00 , C30B29/46 , C30B33/00

Abstract: 本发明属于半导体材料与半导体微电子器件技术领域，具体涉及一种一维铋硫氯单晶及其制备方法、一种铋硫氯光电探测器及其制备方法。本发明沿着保护气体流动的方向，间隔设置硫粉和氯氧化铋粉体，所述硫粉位于所述氯氧化铋粉体的上游，在所述氯氧化铋粉体的上方设置衬底；加热所述硫粉和所述氯氧化铋粉体，在所述衬底的表面通过化学气相沉积得到一维铋硫氯单晶。本发明提供的制备方法原料易得，采用的化学气相沉积(CVD)的方法具有反应温度低的特点，同时能够大规模的合成BiSCl纳米线单晶，且畴长可调，结晶性好，可以很好地运用于一维纳米线的偏振光电探测器中。

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