一种金属废屑的塑化回收装置及方法

    公开(公告)号:CN115446318B

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202211026174.6

    申请日:2022-08-25

    Abstract: 本发明提供了一种金属废屑的塑化回收装置及方法,塑化回收装置包括工具头、旋转主轴、储料仓、推杆,工具头设置于旋转主轴的下端,旋转主轴的上端与储料仓相接;旋转主轴与旋转动力装置相联接;旋转主轴与轴向动力装置相联接;工具头和旋转主轴内具有相互连通的中空腔体;推杆竖向设置,其下端依次穿过储料仓、旋转主轴后伸入到工具头内;塑化回收装置的工作方法通过多个步骤实现对金属废屑的塑化回收;本发明提供了一种金属废屑的塑化回收装置及金属废屑回收的新方法,通过塑化回收的方法简化了现有技术中金属废屑的回收工艺,提高了金属废屑的回收效率,并且改善了回收成形后金属的微观组织,提高了回收成形后金属的力学性能。

    一种金属废屑的塑化回收装置及方法

    公开(公告)号:CN115446318A

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202211026174.6

    申请日:2022-08-25

    Abstract: 本发明提供了一种金属废屑的塑化回收装置及方法,塑化回收装置包括工具头、旋转主轴、储料仓、推杆,工具头设置于旋转主轴的下端,旋转主轴的上端与储料仓相接;旋转主轴与旋转动力装置相联接;旋转主轴与轴向动力装置相联接;工具头和旋转主轴内具有相互连通的中空腔体;推杆竖向设置,其下端依次穿过储料仓、旋转主轴后伸入到工具头内;塑化回收装置的工作方法通过多个步骤实现对金属废屑的塑化回收;本发明提供了一种金属废屑的塑化回收装置及金属废屑回收的新方法,通过塑化回收的方法简化了现有技术中金属废屑的回收工艺,提高了金属废屑的回收效率,并且改善了回收成形后金属的微观组织,提高了回收成形后金属的力学性能。

    一种制造蓄冷球的自动化装焊装备及方法

    公开(公告)号:CN119319447A

    公开(公告)日:2025-01-17

    申请号:CN202411550234.3

    申请日:2024-11-01

    Abstract: 一种制造蓄冷球的自动化装焊装备及方法,属于蓄冷球生产技术领域。解决了现有技术中存在的生产效率低、成品率低、工时长的问题。技术要点:机架上安装有机架台面,机架台面上安装有转盘式加工台,机架台面上均匀设置八个功能机构安装位,八个功能机构安装位包括七个功能机构安装位和一个备用机构安装位,定位卡夹均匀安装在转盘式加工台上;功能机构包括下料机构、上料机构、打孔机构、注液机构、插丝机构、焊接机构、打磨机构。本发明实现空心球上料、加工注液孔、注入蓄冷液、注入孔密封焊接、打磨焊点、蓄冷球下料等全流程的自动化批量生产,提高生产效率、节约工时、提升产品合格率和产品质量一致性,在蓄冷球生产领域具有广阔市场前景。

    基于熔池多元光学信息的LDED在线监测装置及缺陷诊断方法

    公开(公告)号:CN113588074B

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202110798660.9

    申请日:2021-07-15

    Abstract: 本发明提出一种基于熔池多元光学信息的LDED在线监测装置及缺陷诊断方法,其中装置包括三个光纤探头,第一、二光纤探头靠近熔池的一端分别设有带通滤波片和陷波滤波片,另一端通过光学光纤分别向第一、二近红外光电探测器传输光学信息,第三光纤探头靠近熔池的一端设有保护镜片,另一端分别向可见光光电探测器和紫外光电探测器传输光学信息,三个光纤探头通过同步机构与LDED激光头保持同步运动,四个光电探测器分别与对应的电流电压转换模块相连,各个电流电压转换模块与数据采集卡相连,数据采集卡还与计算机相连。上述基于熔池多元光学信息的LDED在线监测装置及缺陷诊断方法能对增材制造过程进行实时监测,并根据异常信号判断缺陷的类型。

    一种驱除激光等离子体的激光-电弧复合焊保护气体吹送装置

    公开(公告)号:CN113732507B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202111073768.8

    申请日:2021-09-14

    Abstract: 本发明涉及激光焊接设备领域,公开了一种驱除激光等离子体的激光‑电弧复合焊保护气体吹送装置,所述吹送装置包括气轨、气罩;所述气轨外接气源,该气罩上方设置圆孔、弧焊枪穿过孔,所述气轨前部设置与所述圆孔匹配的通孔;所述激光依次穿过圆孔、通孔后穿射至气罩底部;弧焊枪穿过所述弧焊枪穿过孔后与激光汇合完成焊接;所述气轨的前端设置导管,气轨内剩余气体沿导管排出。本发明解决了现有技术中保护气侧吹方式会影响到电弧等离子体的稳定性的问题,便于操作,成本低。

    一种用于高导热氮化硅陶瓷基板的金属化方法及其封装基板

    公开(公告)号:CN111192831B

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202010146121.2

    申请日:2020-03-05

    Abstract: 本发明公开了一种用于高导热氮化硅陶瓷基板的表面金属化方法及其封装基板,包括下述步骤:对高导热氮化硅陶瓷封装基板和无氧铜进行离子轰击表面活化处理;采用真空磁控溅射方式,在活化的高导热氮化硅陶瓷封装基板和无氧铜的表面沉积纳米级厚度的金属层;将沉积金属层的高导热氮化硅陶瓷封装基板和无氧铜置于真空环境下相互贴合,并施加压力,实现室温直接键合。本发明方法制备得到的封装基板,其结构自上而下依次为无氧铜层、纳米金属层、高导热氮化硅陶瓷基板。本发明通过真空磁控溅射金属化技术,实现了高导热氮化硅陶瓷基板与无氧铜的室温键合,降低了高温引起的应力问题,能够有效提高功率器件的可靠性及使用寿命。

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