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公开(公告)号:CN105001863B
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201510377176.3
申请日:2015-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/69
Abstract: 一种合成具有低相变温度的单斜结构VO2的方法,它涉及一种合成单斜结构VO2的方法。本发明的目的是要解决现有单斜结构VO2的相变温度高和不能实现上转换发光的问题。方法:一、制备混合溶液A;二、制备蓝黑色混合溶液;三、制备干燥后的反应物;四、将干燥后的反应物置于管式炉中,再在氮气气氛和烧结温度为550℃~600℃下烧结1h~2h,得到具有低相变温度的单斜结构VO2。本发明通过掺杂Er3+和Yb3+,VO2(M)的相变温度降低了35%~45%;本发明得到的降低相变温度后的VO2在980nm激光的激发下,能够将红外光转化为绿光,且强度很强。本发明可获得一种合成具有低相变温度的单斜结构VO2的方法。
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公开(公告)号:CN102094241A
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN201110060505.3
申请日:2011-03-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法,它属于材料技术领域。本发明要解决现有技术制备的上转换发光材料存在应用局限性的技术问题。钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体是三方晶系单晶,其由Li2CO3、Nb2O5、Ho2O3、Yb2O3和Tm2O3制成。方法:一、称取;二、烧结;三、采用提拉法生长晶体:经引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱和退火程序,得到多畴晶体;四、极化,即得钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体。本发明方法钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体实现了上转换红绿蓝光的同时输出,物理化学稳定性高,热稳定性高,均匀性好且具有各相异性,对设备的集成化以及设备的小型化发展起关键性作用。为铌酸锂晶体在照明及夜视方面提供了应用基础。
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公开(公告)号:CN101328613B
公开(公告)日:2011-03-23
申请号:CN200810064778.3
申请日:2008-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料的制备方法,它涉及一种铌酸锂晶体上转换材料的制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂铌酸锂晶体上转换材料存在发光强度不高的问题。本发明光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料由Li2CO3、Nb2O5、ZnO和Er2O3制成。方法:一、称取所需成分;二、烧结;三、采用提拉法生长晶体;四、极化处理,即得光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料。本发明在Er掺杂铌酸锂晶体中掺杂元素Zn,使其上转换机制由双光子过程改变为光子雪崩机制,明显提高了铌酸锂晶体上转换材料的发光强度。
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公开(公告)号:CN100547125C
公开(公告)日:2009-10-07
申请号:CN200710072440.8
申请日:2007-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法,它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在VPb、VO及晶体诱导色心Pb3+、O-和F缺陷,光学性能差的问题。Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化钇和氧化锌制成;氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1,氧化钇的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~200ppm,氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50~1050ppm。制备方法:一、烧结;二、采用提拉法生长晶体。本发明在钨酸铅晶体中掺杂元素钇和锌,在保留钨酸铅晶体原有优良性能的基础上,大幅度改善其光学性能。本发明Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备过程中不需要抽真空或充入惰性保护气体。
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公开(公告)号:CN101328614A
公开(公告)日:2008-12-24
申请号:CN200810064784.9
申请日:2008-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料及其制备方法,它涉及一种钨酸铅晶体上转换材料及其制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂钨酸铅晶体上转换材料的发光强度低的问题。本发明Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料由WO3、PbO、Er2O3和Yb2O3制成。方法:1.称取所需成分;2.烧结;3.采用提拉法生长晶体,即得Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料。本发明在Er掺杂钨酸铅晶体上转换材料中掺杂元素镱(Yb),在保留Er掺杂钨酸铅晶体原有优良性能的基础上,提高了Er掺杂钨酸铅晶体的绿光波段发光强度近三倍。
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公开(公告)号:CN119736616A
公开(公告)日:2025-04-01
申请号:CN202411949546.1
申请日:2024-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C22/63
Abstract: 一种用于锂离子电池铜箔的免水洗无铬抗氧化液及制备方法与使用方法,属于金属表面处理技术领域。为开发绿色环保、性能优异的锂离子电池铜箔的表面处理工艺,本发明包括以下成分:0.1‑10g/L的缓蚀剂、0.1‑10g/L的成膜助剂、0.1‑10mL/L的封闭剂和0.1‑10mL/L的分散剂,其余成分为去离子水,然后使用氢氧化钠和甲酸调节溶液pH值在4‑6,使用去离子水定容得到一种用于锂离子电池铜箔的免水洗无铬抗氧化液。本发明可以在锂离子电池用铜箔表面得到一层抗氧化性和耐蚀性能均优异的钝化膜,可保护铜箔在140℃下烘烤15min不变色,同时钝化后铜箔导电性和润湿性不受影响,满足锂离子电池铜箔的要求。
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公开(公告)号:CN104861972B
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201510316528.4
申请日:2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/69
Abstract: 一种Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料,它涉及一种上转换发光材料。本发明的目的是要解决现有太阳能电池不能利用红外光,导致太阳能电池的转换率低的问题。方法:将Er2O3和Yb2O3加入到质量分数为65%~68%的硝酸中,再加入V2O5和草酸,再进行水热反应,得到干燥后的反应物;再将干燥后的反应物进行煅烧,得到Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料。五、本发明制备的Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料为纳米片,且片的厚度为20nm~50nm,是一种纳米材料。本发明可获得一种Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料。
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公开(公告)号:CN102174323B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201110064438.2
申请日:2011-03-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/80
Abstract: 镱铥双掺七铝酸十二钙多晶及其制备方法,它涉及七铝酸十二钙多晶及其制备方法。本发明解决了现有的蓝光材料蓝色光波长分布宽,不利于应用的技术问题。本发明的镱铥双掺七铝酸十二钙多晶是由氧化钙、氧化铝、氧化镱和氧化铥制成的,其中氧化钙和氧化铝摩尔比为12∶7,氧化镱的物质的量为氧化钙物质的量的0.042%~0.42%,氧化铥的物质的量为氧化钙物质的量的0.042%~0.21%。方法:将氧化钙、氧化铝、氧化镱和氧化铥粉末研磨、压片后在空气氛下烧结得到镱铥双掺七铝酸十二钙多晶。在980nm的光激发下得到460nm~490nm的单一蓝光发射。可用于光存储技术、光电子技术、传感技术及海底光纤通讯领域。
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公开(公告)号:CN102199789A
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN201110086805.9
申请日:2011-04-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法,涉及铒离子掺杂的近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法。解决现有掺铒离子近化学计量比铌酸锂晶体制备工艺复杂,难以得到高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体的问题。本发明铌酸锂晶体由氧化铒、五氧化二铌和碳酸锂制成,氧化铒占原料总摩尔量的1%~2%。将原料混匀,加热烧得多晶粉体,再加热得熔体,然后提拉生长晶体,再极化处理即可。与掺杂1.5mol%铒同成分铌酸锂晶体相比,本发明铌酸锂晶体在1.54μm波段光发射强度提高4.16倍,Er3+离子的4I13/2能级寿命5.53ms延长66.57%。极大推动掺铒铌酸锂晶体发光材料在波导激光放大器于激光器领域的应用。
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公开(公告)号:CN102181290A
公开(公告)日:2011-09-14
申请号:CN201110072126.6
申请日:2011-03-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/78
CPC classification number: Y02B20/181
Abstract: 钬镱铥三掺杂钨酸钙多晶粉白光上转换材料及其制备方法,它涉及一种稀土元素掺杂钨酸钙多晶粉白光上转换材料及其制备方法。钬镱铥三掺杂钨酸钙多晶粉白光上转换材料的化学式为Ca1-x-y-0.01WO4:Hoy/Ybx/Tm0.01,其中0.04≤x≤0.08,0.004≤y≤0.01。制备方法:1.按化学式的化学计量比称取;2.研磨、压片;3.高温烧结。本发明钬镱铥三掺杂钨酸钙多晶粉白光上转换材料在980nm激光泵浦下、较宽的激发功率范围内,都能发出明亮的上转换白光,且发光均匀。可应用于白光源在固态多色三维显示和背光灯领域。
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