公开(公告)号：CN102162133A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110074197.X

申请日：2011-03-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王锐 ,  钱艳楠 ,  徐衍岭 ,  邢丽丽

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体及其制备方法，涉及三掺LiNbO3晶体及其制备方法。解决现有铒掺杂的铌酸锂晶体在发光强度和寿命方面不好的问题。锆铒镱三掺铌酸锂晶体由氧化锆、氧化铒、氧化镱、五氧化二铌和碳酸锂五种原料制成。首先称取上述原料，熔化得熔液后，采用提拉法进行晶体生长，退火后，再极化处理即可。本发明的晶体在1550nm波段光发射强度比未掺杂样品提高了约3倍。本发明晶体的Er3+离子的4I13/2能级寿命τ达4.23ms，与铒镱两掺铌酸锂晶体相比延长了8.18％，比单掺Er(1mol％):LiNbO3晶体的寿命2.3ms提高了近两倍。本发明的晶体在光波导激光器与放大器方面具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN103311365A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310190016.9

申请日：2013-05-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王锐 ,  曲云飞 ,  邢丽丽 ,  陶冶

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  C01F7/16

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种稀土掺杂七铝酸十二钙薄膜材料的制备方法，本发明涉及薄膜材料的制备方法。本发明要解决铟的价格高昂且供应受限使其应用受到限制的问题。方法：一、混合；二、压制成原料片；三、制得稀土掺杂七铝酸十二钙多晶材料；四、溅射。利用本发明制备的薄膜的透明导电特性取代价格昂贵的氧化铟锡透明导电薄膜材料，提高太阳电池的光电转换效率，同时达到简化电池结构和降低成本的目的。本发明用于制备稀土掺杂七铝酸十二钙薄膜材料。

公开(公告)号：CN102094241A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201110060505.3

申请日：2011-03-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王锐 ,  邢丽丽 ,  徐衍岭 ,  钱艳楠 ,  郭倩

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它属于材料技术领域。本发明要解决现有技术制备的上转换发光材料存在应用局限性的技术问题。钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体是三方晶系单晶，其由Li2CO3、Nb2O5、Ho2O3、Yb2O3和Tm2O3制成。方法：一、称取；二、烧结；三、采用提拉法生长晶体：经引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱和退火程序，得到多畴晶体；四、极化，即得钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体。本发明方法钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体实现了上转换红绿蓝光的同时输出，物理化学稳定性高，热稳定性高，均匀性好且具有各相异性，对设备的集成化以及设备的小型化发展起关键性作用。为铌酸锂晶体在照明及夜视方面提供了应用基础。

公开(公告)号：CN103311365B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310190016.9

申请日：2013-05-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王锐 ,  曲云飞 ,  邢丽丽 ,  陶冶

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/055 ,  C01F7/16

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种稀土掺杂七铝酸十二钙薄膜材料的制备方法，本发明涉及薄膜材料的制备方法。本发明要解决铟的价格高昂且供应受限使其应用受到限制的问题。方法：一、混合；二、压制成原料片；三、制得稀土掺杂七铝酸十二钙多晶材料；四、溅射。利用本发明制备的薄膜的透明导电特性取代价格昂贵的氧化铟锡透明导电薄膜材料，提高太阳电池的光电转换效率，同时达到简化电池结构和降低成本的目的。本发明用于制备稀土掺杂七铝酸十二钙薄膜材料。

公开(公告)号：CN102199789A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110086805.9

申请日：2011-04-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王锐 ,  钱艳楠 ,  邢丽丽 ,  徐衍岭

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法，涉及铒离子掺杂的近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法。解决现有掺铒离子近化学计量比铌酸锂晶体制备工艺复杂，难以得到高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体的问题。本发明铌酸锂晶体由氧化铒、五氧化二铌和碳酸锂制成，氧化铒占原料总摩尔量的1％～2％。将原料混匀，加热烧得多晶粉体，再加热得熔体，然后提拉生长晶体，再极化处理即可。与掺杂1.5mol％铒同成分铌酸锂晶体相比，本发明铌酸锂晶体在1.54μm波段光发射强度提高4.16倍，Er3+离子的4I13/2能级寿命5.53ms延长66.57％。极大推动掺铒铌酸锂晶体发光材料在波导激光放大器于激光器领域的应用。

公开(公告)号：CN102181290A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110072126.6

申请日：2011-03-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐衍岭 ,  赵宏 ,  王锐 ,  邢丽丽 ,  张春雨

IPC: C09K11/78

CPC classification number: Y02B20/181

Abstract: 钬镱铥三掺杂钨酸钙多晶粉白光上转换材料及其制备方法，它涉及一种稀土元素掺杂钨酸钙多晶粉白光上转换材料及其制备方法。钬镱铥三掺杂钨酸钙多晶粉白光上转换材料的化学式为Ca1-x-y-0.01WO4:Hoy/Ybx/Tm0.01，其中0.04≤x≤0.08，0.004≤y≤0.01。制备方法：1.按化学式的化学计量比称取；2.研磨、压片；3.高温烧结。本发明钬镱铥三掺杂钨酸钙多晶粉白光上转换材料在980nm激光泵浦下、较宽的激发功率范围内，都能发出明亮的上转换白光，且发光均匀。可应用于白光源在固态多色三维显示和背光灯领域。

公开(公告)号：CN102127814A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201110069522.3

申请日：2011-03-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王锐 ,  郭倩 ,  钱艳楠 ,  邢丽丽

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 镱钬双掺铌酸锂晶体及其制备方法，本发明涉及掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。本发明解决了现有的铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料应用的技术问题。本发明的镱钬双掺铌酸锂晶体由五氧化二铌、碳酸锂、氧化镱和氧化钬制成；方法：将五氧化二铌、碳酸锂、氧化镱和氧化钬混合后焙烧得到多晶粉料，然后将多晶粉料在单晶生长炉中，采用提拉法经引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长出晶体，再经退火后得到镱钬双掺铌酸锂晶体；该晶体双掺铌酸锂晶体用980nm的激光激发可得到红光和绿光，在光学数据存贮、海底通信、光学显示、彩色显示、光电子、医疗诊断等领域具有广泛应用前景。