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公开(公告)号：CN105001863B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510377176.3
申请日：2015-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/69
Abstract: 一种合成具有低相变温度的单斜结构VO2的方法，它涉及一种合成单斜结构VO2的方法。本发明的目的是要解决现有单斜结构VO2的相变温度高和不能实现上转换发光的问题。方法：一、制备混合溶液A；二、制备蓝黑色混合溶液；三、制备干燥后的反应物；四、将干燥后的反应物置于管式炉中，再在氮气气氛和烧结温度为550℃～600℃下烧结1h～2h，得到具有低相变温度的单斜结构VO2。本发明通过掺杂Er3+和Yb3+，VO2(M)的相变温度降低了35％～45％；本发明得到的降低相变温度后的VO2在980nm激光的激发下，能够将红外光转化为绿光，且强度很强。本发明可获得一种合成具有低相变温度的单斜结构VO2的方法。
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公开(公告)号：CN104861972B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201510316528.4
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/69
Abstract: 一种Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料，它涉及一种上转换发光材料。本发明的目的是要解决现有太阳能电池不能利用红外光，导致太阳能电池的转换率低的问题。方法：将Er2O3和Yb2O3加入到质量分数为65％～68％的硝酸中，再加入V2O5和草酸，再进行水热反应，得到干燥后的反应物；再将干燥后的反应物进行煅烧，得到Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料。五、本发明制备的Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料为纳米片，且片的厚度为20nm～50nm，是一种纳米材料。本发明可获得一种Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料。
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公开(公告)号：CN105112861A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510632608.0
申请日：2015-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种铒单掺二氧化钒多晶薄膜的制备方法，它涉及稀土掺杂二氧化钒薄膜的制备方法。本发明的目的是要解决现有基质材料仅仅具有发光性能，不具有其他功能特性的问题。方法：一、制备Er2O3圆形陶瓷片；二、射频反应溅射；三、热处理，得到铒单掺二氧化钒多晶薄膜。本发明制备出铒单掺二氧化钒多晶薄膜具有明显的单色绿光发射同时具有明显的金属绝缘相变特性，制备出具有丰富功能的上转换发光材料。本发明制备的铒单掺二氧化钒多晶薄膜具有明显的绿光发射；因此本发明制备的铒单掺二氧化钒多晶薄膜可以成为新的单色绿光上转化发光材料。本发明可获得一种铒单掺二氧化钒多晶薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN104878377A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510259729.5
申请日：2015-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种在镁合金表面制备氧化石墨烯与微弧氧化陶瓷复合膜层的方法，它涉及一种在镁合金表面制备膜层的方法。本发明的目的是要解决微弧氧化陶瓷膜层为多孔结构，在腐蚀过程中与腐蚀介质有较大的接触面积，导致耐腐蚀性差的问题。方法：一、镁合金预处理；二、超声处理；三、除油；四、微弧氧化；五、制备氧化石墨烯；六、将氧化石墨烯溶液涂覆到镁合金上的微弧氧化陶瓷膜层上，得到表面覆盖有氧化石墨烯与微弧氧化陶瓷复合膜层的镁合金。本发明中氧化石墨烯与微弧氧化陶瓷复合膜层的腐蚀电流密度降低至为14.5nA/cm2，是基体镁合金腐蚀电流的1/7240。本发明可获得一种在镁合金表面制备氧化石墨烯与微弧氧化陶瓷复合膜层的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104861972A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510316528.4
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/69
Abstract: 一种Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料，它涉及一种上转换发光材料。本发明的目的是要解决现有太阳能电池不能利用红外光，导致太阳能电池的转换率低的问题。方法：将Er2O3和Yb2O3加入到质量分数为65％～68％的硝酸中，再加入V2O5和草酸，再进行水热反应，得到干燥后的反应物；再将干燥后的反应物进行煅烧，得到Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料。五、本发明制备的Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料为纳米片，且片的厚度为20nm～50nm，是一种纳米材料。本发明可获得一种Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料。
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公开(公告)号：CN104861965A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510316527.X
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/62
Abstract: 一种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的制备方法，它涉及一种GZO纳米荧光材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有上转换蓝光基质材料的波段分布较宽，颗粒尺寸较大，不利于其在医学、生物以及雷达等方面应用的问题。制备方法：将NaOH溶液和Zn(NO3)3溶液混合，再滴加Ga(NO3)3溶液，再加入氧化镱硝酸溶液和氧化铥硝酸溶液，再进行水热反应，得到窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料分布波段较窄，得到了窄波段的上转换蓝光；本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的尺寸在40nm～50nm，形貌为纳米棒。本发明可获得种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。
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公开(公告)号：CN104861965B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510316527.X
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/62
Abstract: 一种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的制备方法，它涉及一种GZO纳米荧光材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有上转换蓝光基质材料的波段分布较宽，颗粒尺寸较大，不利于其在医学、生物以及雷达等方面应用的问题。制备方法：将NaOH溶液和Zn(NO3)3溶液混合，再滴加Ga(NO3)3溶液，再加入氧化镱硝酸溶液和氧化铥硝酸溶液，再进行水热反应，得到窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料分布波段较窄，得到了窄波段的上转换蓝光；本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的尺寸在40nm～50nm，形貌为纳米棒。本发明可获得种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。
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公开(公告)号：CN105001863A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510377176.3
申请日：2015-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/69
Abstract: 一种合成具有低相变温度的VO2(M)的方法，它涉及一种合成VO2(M)的方法。本发明的目的是要解决现有VO2(M)的相变温度高和不能实现上转换发光的问题。方法：一、制备混合溶液A；二、制备蓝黑色混合溶液；三、制备干燥后的反应物；四、将干燥后的反应物置于管式炉中，再在氮气气氛和烧结温度为550℃～600℃下烧结1h～2h，得到具有低相变温度的VO2(M)。本发明通过掺杂Er3+和Yb3+，VO2(M)的相变温度降低了35％～45％；本发明得到的降低相变温度后的VO2在980nm激光的激发下，能够将红外光转化为绿光，且强度很强。本发明可获得一种合成具有低相变温度的VO2(M)的方法。
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公开(公告)号：CN104805488A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510259730.8
申请日：2015-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/30
CPC classification number: C25D11/30
Abstract: 一种镁合金埋件螺纹表面强化的方法，它涉及一种埋件螺纹表面强化的方法。本发明的目的是要解决现有镁合金螺纹因电场分布不均，受电场分布不均的影响，螺纹内部易出现局部放电现象，导致表面成膜不均的问题。方法：一、镁合金埋件表面机械预处理；二、超声处理；三、除油；四、微弧氧化，即完成镁合金埋件螺纹表面强化的方法。对使用本发明方法表面强化后的镁合金埋件实施4.0N.M拧紧力距，反复装卸20次微弧氧化膜层不脱落；对使用本发明的方法完成表面强化后的镁合金埋件内螺纹实施拉脱试验，拉脱力达8千牛顿～12千牛顿；满足了航天用镁合金材料要求。本发明可获得一种镁合金埋件螺纹表面强化的方法。
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