公开(公告)号：CN101328613B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810064778.3

申请日：2008-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王锐 ,  王佳 ,  刘维海 ,  徐超 ,  徐衍岭

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/04

Abstract: 光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料的制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体上转换材料的制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂铌酸锂晶体上转换材料存在发光强度不高的问题。本发明光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料由Li2CO3、Nb2O5、ZnO和Er2O3制成。方法：一、称取所需成分；二、烧结；三、采用提拉法生长晶体；四、极化处理，即得光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料。本发明在Er掺杂铌酸锂晶体中掺杂元素Zn，使其上转换机制由双光子过程改变为光子雪崩机制，明显提高了铌酸锂晶体上转换材料的发光强度。

公开(公告)号：CN101328614A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810064784.9

申请日：2008-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘维海 ,  徐衍岭 ,  王锐 ,  王佳 ,  徐超 ,  刘彦梅

IPC: C30B29/32 ,  C30B15/04 ,  H01S3/16 ,  G02B1/02

Abstract: Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料及其制备方法，它涉及一种钨酸铅晶体上转换材料及其制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂钨酸铅晶体上转换材料的发光强度低的问题。本发明Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料由WO3、PbO、Er2O3和Yb2O3制成。方法：1.称取所需成分；2.烧结；3.采用提拉法生长晶体，即得Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料。本发明在Er掺杂钨酸铅晶体上转换材料中掺杂元素镱(Yb)，在保留Er掺杂钨酸铅晶体原有优良性能的基础上，提高了Er掺杂钨酸铅晶体的绿光波段发光强度近三倍。

公开(公告)号：CN101328613A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810064778.3

申请日：2008-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王锐 ,  王佳 ,  刘维海 ,  徐超 ,  徐衍岭

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/04

Abstract: 光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂铌酸锂晶体上转换材料存在发光强度不高的问题。本发明光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料由Li2CO3、Nb2O5、ZnO和Er2O3制成。方法：1.称取所需成分；2.烧结；3.采用提拉法生长晶体；4.极化处理，即得光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料。本发明在Er掺杂铌酸锂晶体中掺杂元素Zn，使其上转换机制由双光子过程改变为光子雪崩机制，明显提高了铌酸锂晶体上转换材料的发光强度。

公开(公告)号：CN101328612A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810064777.9

申请日：2008-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐衍岭 ,  刘维海 ,  王佳 ,  王锐

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/04

Abstract: In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备掺杂的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CuO和In2O3制成。方法：一、称取所需成分；二、烧结；三、采用提拉法生长晶体；四、极化处理；五、氧化处理或还原处理，即得In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素铟(In)、铁(Fe)和铜(Cu)，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力和响应时间。

公开(公告)号：CN101328612B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200810064777.9

申请日：2008-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 徐衍岭 ,  刘维海 ,  王佳 ,  王锐

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/04

Abstract: In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体的制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体的制备方法。它解决了现有技术制备掺杂的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、CuO和In2O3制成。方法：一、称取所需成分；二、烧结；三、采用提拉法生长晶体；四、极化处理；五、氧化处理或还原处理，即得In、Fe和Cu三掺杂铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素铟(In)、铁(Fe)和铜(Cu)，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力和响应时间。

公开(公告)号：CN101327955A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810064785.3

申请日：2008-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王锐 ,  王佳 ,  刘维海 ,  赵培白 ,  徐玉恒

IPC: C01G33/00 ,  C30B29/30

Abstract: Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备的掺杂Fe的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、MgO和HfO2制成。方法：一、称取所需成分；二、烧结；三、采用提拉法生长晶体；四、极化处理，即得Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素Mg、Hf和Fe，在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上，明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力，缩短了响应时间。