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公开(公告)号：CN104178654A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410418024.9
申请日：2014-08-20
Applicant: 吉林大学 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: C22C1/08
Abstract: 本发明公开一种多孔金属合金结构的一种制备方法,属于纳米材料领域。主要解决的技术问题是，采用冷冻干燥技术设计多孔金属合金结构的新型制备方法，并且合成多孔的金属合金纳米结构。其步骤包括：1.将两种或者多种金属盐，与氧化铝纳米粒子按比例混合并溶解成水溶液；2.将该水溶液混合搅拌均匀后，放入液氮中进行快速冷冻；3.将冷冻后的样品放入冷冻干燥器中进行冷冻干燥，形成固体结构；4.将冷冻干燥后的样品放入肼蒸气中进行还原；5.将还原后的固体放入碱性溶液中，去除氧化铝，然后进行清洗和干燥。优点在于可以简单有效的制备多种不同金属比例的合金多孔结构，且可以通过控制氧化铝的尺寸和含量来调控合金结构中孔的尺寸和密度。
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公开(公告)号：CN104178654B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410418024.9
申请日：2014-08-20
Applicant: 吉林大学 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: C22C1/08
Abstract: 本发明公开一种多孔金属合金结构的制备方法,属于纳米材料领域。主要解决的技术问题是，采用冷冻干燥技术设计多孔金属合金结构的制备方法，并且合成多孔的金属合金纳米结构。其步骤包括：1.将两种或者多种金属盐，与氧化铝纳米粒子按比例混合并溶解成水溶液；2.将该水溶液混合搅拌均匀后，放入液氮中进行快速冷冻；3.将冷冻后的样品放入冷冻干燥器中进行冷冻干燥，形成固体结构；4.将冷冻干燥后的样品放入肼蒸气中进行还原；5.将还原后的固体放入碱性溶液中，去除氧化铝，然后进行清洗和干燥。优点在于可以简单有效的制备多种不同金属比例的合金多孔结构，且可以通过控制氧化铝的尺寸和含量来调控合金结构中孔的尺寸和密度。
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公开(公告)号：CN114293157B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202111501941.X
申请日：2021-12-09
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高均质NiCrPt合金溅射靶材的制备方法，所述溅射靶材之基材原料由纯度≥99.99wt％的Ni、Cr、Pt金属组成，其中Cr10~30at%，Pt1~4.5at%，余量为Ni，外加总质量比0.01~0.08%的除氧剂；基材表面保护镀膜厚度≤5μm；所述溅射靶材致密度≥99.5%，且无肉眼可见的缺陷，氧含量≤30ppm，靶材晶粒均匀，其平均粒径为20~100μm；所述溅射靶材之表层机加工处理的去除深度≤0.5mm。其制备方法由基材铸锭与清洗处理、基材镀膜、坯材轧制、再结晶处理和机加工处理工艺实现。本发明基于“控氧+优先保护”原理，降低基材氧含量，基材表面优先溅射易氧化金属保护镀层，抑制“夹生”脆性氧化物，提高了靶材优材率，降低了表层去除深度，减少靶材浪费，节约成本。
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公开(公告)号：CN111254398B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010186276.9
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种晶粒高定向取向的铂溅射靶材及其制备方法，铂溅射靶材呈现（111）晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸为5~20；所述（111）晶面与（200）晶面积分强度比不低于3。制备方法包括：选择4N及以上纯度的铂原料，熔炼获得铸锭；随后进行超声波探伤测定铸锭内部缺陷分布并对其进行真空热压，消除缺陷；再将锭坯浸泡在液氮容器中单向压制；再进行低温退火；最后机加工获得靶材。本发明采用浇铸速度和熔炼炉功率组合，较低压制及退火温度组合，获得性能优异的铂溅射靶材。靶材的高致密度和（111）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的铂薄膜，其制备方法工艺简便，条件温和易操控，大大提高生产效率，极大地节约制备成本。
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公开(公告)号：CN111235536B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010186255.7
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法，铱溅射靶材呈现(111)晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1‑10 μm，氧含量100 ppm以内；所述(111)晶面与(200)晶面积分强度比不低于4。所述制备方法包括以下步骤：选择4N及以上纯度，粒度为1‑10 μm的铱粉；随后将粉末进行冷压成型；再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结；再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度；最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛，使得铱溅射靶材性能优异，高致密度和(111)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的铱薄膜，制备工艺简便，条件温和易于操控，而且可大大提高了生产效率，极大地节约制备成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111060044B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911233947.6
申请日：2019-12-05
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明针对与背板焊接结合的靶材加工成型后或磁控溅射后靶材部分厚度在不破坏前提下无法直接精确测量的问题，公开了一种采用水浸式C‑scan设备测量焊接型靶材厚度的方法。此方法将焊接型靶材和探头均浸泡在超纯水中，运行C扫软件并利用超声纵波脉冲反射技术、以界面波波峰位置作为起始点的测量类型，通过已知靶坯厚度测量出靶材的声速，在后续与背板结合并加工成型后或磁控溅射后，利用已测靶材声速测量出此时靶材部分的厚度。该方法获得的焊接型靶材部分厚度与解除焊接结合后(即破坏后)直接测量靶材部分厚度的误差≤±5％，准确性能够保证，有效解决了加工焊接型靶材的厚度管控问题，也可有效指导靶材使用寿命的监控，提高焊接型靶材的使用率。
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公开(公告)号：CN111060044A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911233947.6
申请日：2019-12-05
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明针对与背板焊接结合的靶材加工成型后或磁控溅射后靶材部分厚度在不破坏前提下无法直接精确测量的问题，公开了一种采用水浸式C-scan设备测量焊接型靶材厚度的方法。此方法将焊接型靶材和探头均浸泡在超纯水中，运行C扫软件并利用超声纵波脉冲反射技术、以界面波波峰位置作为起始点的测量类型，通过已知靶坯厚度测量出靶材的声速，在后续与背板结合并加工成型后或磁控溅射后，利用已测靶材声速测量出此时靶材部分的厚度。该方法获得的焊接型靶材部分厚度与解除焊接结合后(即破坏后)直接测量靶材部分厚度的误差≤±5％，准确性能够保证，有效解决了加工焊接型靶材的厚度管控问题，也可有效指导靶材使用寿命的监控，提高焊接型靶材的使用率。
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公开(公告)号：CN104174851B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410394572.2
申请日：2014-08-12
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Co-Cr-Pt-SiO2靶材的制备方法。该方法主要包括原料粉末的选择、粉末的混合、锭坯的预压成型、反应合成烧结处理、热等静压处理、机加工处理。其中反应合成烧结技术有效改善和提高Co-Cr-Pt-SiO2靶材中的各物相之间结合，提高了材料的致密度，避免了传统热等静压处理前必须对粉末进行装包套、抽真空、封焊及热等静压后进行去包套处理工艺，有效简化了生产工艺，提高了材料的加工性能，适合进行连续性的工业化生产。
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公开(公告)号：CN104174851A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410394572.2
申请日：2014-08-12
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Co-Cr-Pt-SiO2靶材的制备方法。该方法主要包括原料粉末的选择、粉末的混合、锭坯的预压成型、反应合成烧结处理、热等静压处理、机加工处理。其中反应合成烧结技术有效改善和提高Co-Cr-Pt-SiO2靶材中的各物相之间结合，提高了材料的致密度，避免了传统热等静压处理前必须对粉末进行装包套、抽真空、封焊及热等静压后进行去包套处理工艺，有效简化了生产工艺，提高了材料的加工性能，适合进行连续性的工业化生产。
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公开(公告)号：CN104060229A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410280254.3
申请日：2014-06-20
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CoCrPt-氧化物磁记录靶材、薄膜及其制备方法，该CoCrPt-氧化物靶材包括SiO2，TiO2，CrO，Cr2O3，Ta2O3，W2O3，Al2O3，Y2O3等氧化物中的一种或几种，其中氧化物相的平均晶粒尺寸在3～20μm。合金靶材中Co、Cr、Pt形成α-Co及ε-Co两相Co基固溶体，其中以低温相六方ε-Co固溶体为主，靶材的厚度在2～6mm之间，靶材的透磁率(PTF)值40％～60％之间。由该合金靶材制得的磁记录介质的磁记录层呈(002)晶面的择优取向生长，在X衍射分析中，用式(1)表示的(002)晶面的X射线衍射峰强度比：………………………式(1)为70％～90％。本发明的溅射靶，有害杂质元素含量低，晶粒尺寸细小均匀，化学成份均匀且偏离名义成分较小。使用上述溅射靶材制备的磁记录介质，该磁记录介质晶粒细小均匀、非磁性晶界明显，磁学性能优良。
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