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公开(公告)号：CN118938393A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411323150.6
申请日：2024-09-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种超宽带层间波导光分束器及其制备方法，属于层间波导光分束器及其制备技术领域。该分束器从下到上由硅衬底、聚合物光波导下包层、条形聚合物光波导下芯层、聚合物光波导中间包层、条形聚合物光波导上芯层、聚合物光波导上包层组成。本发明采用硅片作为衬底，以有机聚合物材料作为波导的下包层、中间包层和上包层、以折射率较大的有机聚合物材料作为波导的下芯层和上芯层，充分利用了有机聚合物材料种类多样、加工性强的优势。同时，本发明所采用的制备工艺简单、与半导体工艺兼容、易于集成、适于大规模生产，有效的扩展了聚合物基集成光电子器件在三维光子集成芯片当中的应用，因而具有重要的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN119045118A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411323148.9
申请日：2024-09-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于绝热耦合结构的薄膜铌酸锂与聚合物异质集成波导的光功率分配器及其制备方法，属于平面光波导光子集成芯片及其制备技术领域。从下至上依次由硅衬底、二氧化硅氧化层、薄膜铌酸锂和聚合物加载条波导组成；聚合物加载条波导基于绝热耦合结构，由第一直波导、第二直波导、第三直波导、第四直波导、第五直波导、第一输出弯曲波导、第二输出弯曲波导、第一输出直波导和第二输出直波导组成；光从第三直波导输入，分别绝热耦合进入到第二直波导和第四直波导中，然后再分别绝热耦合进入到第一直波导和第五直波导，最后从第一输出直波导和第二输出直波导中输出，实现光功率的均匀分配。本发明具有生产成本低、效率高、能够大规模批量生产的特点。
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公开(公告)号：CN117987913A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410065761.9
申请日：2024-01-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本申请提供一种基于双源共蒸法制备一维非厄米光子晶体的方法，包括：在玻璃衬底上真空蒸镀硒化锌薄膜；采用双源共蒸法在硒化锌薄膜上制备钙钛矿薄膜；在钙钛矿薄膜上真空蒸镀氟化钙薄膜得到一维非厄米光子晶体。本申请首先在玻璃衬底上蒸镀一层硒化锌薄膜，然后通过真空热蒸镀系统制备一层钙钛矿薄膜，最后蒸镀一层氟化钙来制备一维非厄米光子晶体；利用双源共蒸法可以解决多层钙钛矿薄膜暴露在空气中引起的怕水、怕氧等变质问题。在真空热蒸镀系统中可以控制系统温度、电流大小，加热时间来控制钙钛矿和其他两个薄膜的形貌和厚度，得到形貌良好、厚度可控的一维非厄米光子晶体，满足一维体系非厄米光子晶体的工业化生产。
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公开(公告)号：CN113793912B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202111062851.5
申请日：2021-09-10
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种高偏振比的本征偏振有机单晶电致发光器件及其制备方法，属于光电器件技术领域，本发明通过生长具有高度取向分子堆积的本征各向异性有机单晶晶体2,5‑双(4‑氰基联苯基‑4‑基)噻吩(BP1T‑CN)，实现了偏振比高达8的偏振光致发光。该晶体的分子堆积具有高度取向性，这使得其本征偏振光致发光具有高偏振比。进一步地，为了从有机单晶OLED中实现EL的高偏振比，在OLED结构中构建了精确可控的微腔结构，通过微腔共振与本征发光峰的强耦合来放大电致发光的偏振特性，实现了高偏振比的本征偏振有机单晶电致发光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119689636A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510083265.0
申请日：2025-01-20
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种用于产生复数耦合强度的波导结构及其设计方法，属于集成光电子器件技术领域，包括：根据沿z方向传输的双波导耦合体系由人工规范场引起的等效耦合系数的表达式，设计满足复耦合系数需求的波导结构；根据上述得到的满足复耦合系数需求的波导函数，构建不同的波导结构，并对构建的不同的波导结构进行建模仿真。本发明通过在波导结构中引入人工规范场调制，将光波导间的直接耦合系数从实数拓展到复数域；所谓人工规范场，是将光学系统进行几何结构调制从而影响光学系统中的光子传输；通过利用等效耦合系数计算公式设计合适的光波导结构，得到了复数耦合系数，进而可以利用复数耦合系数实现光波导阵列中复杂的光子态转换和光强调控。
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公开(公告)号：CN119575549A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411445484.0
申请日：2024-10-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维非阿贝尔和乐原理的索利斯光子泵阵列及其泵浦方法,属于激光微纳加工技术领域，索利斯光子泵阵列是由多个波导单元元胞在垂直传播方向上以密排方式堆积而成；其中，多个波导单元元胞均为“菜篮子”结构；波导单元元胞包括第一主波导、第二主波导、第一辅助波导、第二辅助波导、第一直波导及第二直波导；第一主波导位于“菜篮子”结构的底面，第二主波导与第一辅助波导分别位于“菜篮子”结构的两个侧面，第二辅助波导位于“菜篮子”结构与底面对称的提手面，第一直波导和第二直波导分别位于“菜篮子”结构底面的两条互相平行的边线，其方向即为传播方向。本发明利用周期性调节波导间横纵方向耦合系数的方式，将索利斯光子泵进行水平和竖直方向的立体集成，进而使光子操控可以同时沿横向和纵向两个方向进行。本发明进一步提升了索利斯光子泵器件的计算维度，以及实现基于索利斯泵的高阶幺正矩阵运算模块的一步构建与制备。
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公开(公告)号：CN118841726A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410838045.X
申请日：2024-06-26
Applicant: 吉林大学
IPC: H01P1/10
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹全硅自支撑宽带光控单刀双掷开关及其控制方法，属于太赫兹片上有源器件技术领域，所述单刀双掷开关包括三波导耦合结构、三波导分束结构、输入端口、输出端口及自支撑硅框架；所述三波导耦合结构与三波导分束结构连接，输入端口与输出端口分别与三波导耦合结构和三波导分束结构相接，用以接收和传出太赫兹信号；所述自支撑硅框架为中空结构，自支撑硅框架的非中空结构与输入端口和输出端口上下相接并包围三波导耦合结构和三波导分束结构，从而实现器件的无衬底自支撑。该单刀双掷开关的三条硅基太赫兹波导通过等效介质连接全硅框架从而实现器件的无衬底自支撑，通过外部激光泵浦诱导高阻硅材料，产生光电流从而发生非厄米效应，进而实现输出端口的切换以及相应非输出端口的隔离。
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公开(公告)号：CN117826506A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410064841.2
申请日：2024-01-17
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F3/00
Abstract: 本申请提供一种全光逻辑门及验证方法，所述全光逻辑门，包括：相位改变装置和第一Y分支装置；相位改变装置与第一Y分支装置相级联；相位改变装置包括：底座；底座顶部设置有第一波导、第二波导、第三波导；第三波导用于接收第一光信号以及第二光信号并生成第三光信号以及第四光信号；第一Y分支装置用于基于第三光信号和第四光信号，生成第五光信号，以解决目前的全光逻辑门通过采用动力学相位原理利用光程差产生π相位对光路进行破坏性相干得到不同的逻辑值，但是必须保证入射光的频率固定，而且逻辑门的结构固定且不可以级联，从而导致增加了系统的复杂性和制造成本的问题。
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公开(公告)号：CN113793912A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111062851.5
申请日：2021-09-10
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种高偏振比的本征偏振有机单晶电致发光器件及其制备方法，属于光电器件技术领域，本发明通过生长具有高度取向分子堆积的本征各向异性有机单晶晶体2,5‑双(4‑氰基联苯基‑4‑基)噻吩(BP1T‑CN)，实现了偏振比高达8的偏振光致发光。该晶体的分子堆积具有高度取向性，这使得其本征偏振光致发光具有高偏振比。进一步地，为了从有机单晶OLED中实现EL的高偏振比，在OLED结构中构建了精确可控的微腔结构，通过微腔共振与本征发光峰的强耦合来放大电致发光的偏振特性，实现了高偏振比的本征偏振有机单晶电致发光。
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