公开(公告)号：CN116679377A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310659960.8

申请日：2023-06-06

Applicant: 吉林大学

Inventor： 徐速 ,  任航 ,  王文雅 ,  陈岐岱 ,  孙洪波

IPC: G02B6/122

Abstract: 本发明公开了一种基于谷霍尔拓扑相变的全硅太赫兹复用芯片，属于太赫兹片上无源器件技术领域，所述复用芯片为双层结构，所述双层结构包括鱼叉型结构的上层波导及下层波导，通过控制鱼叉型结构的上层波导及下层波导的间距，可调控芯片的工作状态，进而实现可控的太赫兹片上信道切换；所述工作状态包括耦合和解耦两种工作状态。本发明的上、下两层不同的光子晶体波导，通过调节双层波导间的距离来控制双层波导的耦合和解耦两种工作状态，实现传输路径的转换，进而实现片上信道的切换。

公开(公告)号：CN118841726A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202410838045.X

申请日：2024-06-26

Applicant: 吉林大学

Inventor： 徐速 ,  任航 ,  陈红 ,  王文雅 ,  张旭霖 ,  陈岐岱 ,  孙洪波

IPC: H01P1/10

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹全硅自支撑宽带光控单刀双掷开关及其控制方法，属于太赫兹片上有源器件技术领域，所述单刀双掷开关包括三波导耦合结构、三波导分束结构、输入端口、输出端口及自支撑硅框架；所述三波导耦合结构与三波导分束结构连接，输入端口与输出端口分别与三波导耦合结构和三波导分束结构相接，用以接收和传出太赫兹信号；所述自支撑硅框架为中空结构，自支撑硅框架的非中空结构与输入端口和输出端口上下相接并包围三波导耦合结构和三波导分束结构，从而实现器件的无衬底自支撑。该单刀双掷开关的三条硅基太赫兹波导通过等效介质连接全硅框架从而实现器件的无衬底自支撑，通过外部激光泵浦诱导高阻硅材料，产生光电流从而发生非厄米效应，进而实现输出端口的切换以及相应非输出端口的隔离。

公开(公告)号：CN116053894A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211723736.2

申请日：2022-12-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 徐速 ,  王文雅 ,  任航 ,  孙洪波

IPC: H01S1/02 ,  H01P1/20 ,  H01P7/00

Abstract: 本发明公开了一种基于谐振环的全硅太赫兹频移芯片，属于太赫兹片上无源器件技术领域，所述芯片为双层结构，双层结构由两个完全相同的全硅芯片组成，两个全硅芯片之间具有一定间距、相互平行放置且垂直投影完全重合；全硅芯片由两个锥形耦合器Ⅱ及位于两个锥形耦合器Ⅱ中间的全硅太赫兹芯片Ⅲ组成。本发明通过调节双层能谷光子晶体的层间距实现了能带以及色散调控，进而实现片上谐振腔谐振频率的大范围调节；首尾相连的封闭拓扑边界态上支持与克尔腔类似的谐振模式，且不受传统克尔谐振腔转弯半径的影响；受益于机械位移的连续性，本发明可以在不牺牲谐振腔品质因数Q的前提下连续调节谐振频率，因此拓展了现有太赫兹片上通信器件的调控自由度。