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公开(公告)号：CN114824815B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210479413.7
申请日：2022-05-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种机械调控吸波性能的超材料及其耦合间距的机械调控方法，属于可重构超材料技术领域，超材料为双层结构，从下到上由下层超材料及上层超材料组成，双层结构之间具有一定间距；下层超材料从下到上依次由底部衬底层、下层介质层及下层图案层组成，上层超材料从下到上依次由上层图案层及上层介质层组成，其上均设置有周期性排布的图案结构，且图案结构几何互补成一个完整的闭合环状图形。本发明通过层间几何互补且中心对称的结构之间耦合作用的变化，引起等效电路模型电路结构和RLC参数的变化，使不同状态的超材料输入阻抗也发生变化；并利用机械调控模块和固定装置控制双层超材料层间距离的变化来实现对超材料整体吸波性能的调控。
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公开(公告)号：CN118841726A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410838045.X
申请日：2024-06-26
Applicant: 吉林大学
IPC: H01P1/10
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹全硅自支撑宽带光控单刀双掷开关及其控制方法，属于太赫兹片上有源器件技术领域，所述单刀双掷开关包括三波导耦合结构、三波导分束结构、输入端口、输出端口及自支撑硅框架；所述三波导耦合结构与三波导分束结构连接，输入端口与输出端口分别与三波导耦合结构和三波导分束结构相接，用以接收和传出太赫兹信号；所述自支撑硅框架为中空结构，自支撑硅框架的非中空结构与输入端口和输出端口上下相接并包围三波导耦合结构和三波导分束结构，从而实现器件的无衬底自支撑。该单刀双掷开关的三条硅基太赫兹波导通过等效介质连接全硅框架从而实现器件的无衬底自支撑，通过外部激光泵浦诱导高阻硅材料，产生光电流从而发生非厄米效应，进而实现输出端口的切换以及相应非输出端口的隔离。
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公开(公告)号：CN116053894A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211723736.2
申请日：2022-12-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于谐振环的全硅太赫兹频移芯片，属于太赫兹片上无源器件技术领域，所述芯片为双层结构，双层结构由两个完全相同的全硅芯片组成，两个全硅芯片之间具有一定间距、相互平行放置且垂直投影完全重合；全硅芯片由两个锥形耦合器Ⅱ及位于两个锥形耦合器Ⅱ中间的全硅太赫兹芯片Ⅲ组成。本发明通过调节双层能谷光子晶体的层间距实现了能带以及色散调控，进而实现片上谐振腔谐振频率的大范围调节；首尾相连的封闭拓扑边界态上支持与克尔腔类似的谐振模式，且不受传统克尔谐振腔转弯半径的影响；受益于机械位移的连续性，本发明可以在不牺牲谐振腔品质因数Q的前提下连续调节谐振频率，因此拓展了现有太赫兹片上通信器件的调控自由度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116679377A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310659960.8
申请日：2023-06-06
Applicant: 吉林大学
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种基于谷霍尔拓扑相变的全硅太赫兹复用芯片，属于太赫兹片上无源器件技术领域，所述复用芯片为双层结构，所述双层结构包括鱼叉型结构的上层波导及下层波导，通过控制鱼叉型结构的上层波导及下层波导的间距，可调控芯片的工作状态，进而实现可控的太赫兹片上信道切换；所述工作状态包括耦合和解耦两种工作状态。本发明的上、下两层不同的光子晶体波导，通过调节双层波导间的距离来控制双层波导的耦合和解耦两种工作状态，实现传输路径的转换，进而实现片上信道的切换。
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公开(公告)号：CN115958935A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211599393.3
申请日：2022-12-12
Applicant: 吉林大学
IPC: B60H1/00
Abstract: 本发明公开了一种网联电动车热泵空调系统节能控制方法、控制器及车辆，所述控制方法通过建立面向节能控制的热泵空调系统数学模型，使用动态规划算法求解，最终设计热泵空调系统在线规则化控制策略；所述模型是根据压缩机转速、鼓风机进气量和按频率读取的自身车速信息，计算车舱温度、蒸发器压力和热泵空调系统功率；所述热泵空调系统在线规则化控制策略中，根据车舱目标温度和车舱实际温度偏差划分工作模式，基于热泵空调系统对自身车速的灵敏度划分的车速区间控制压缩机转速和鼓风机进气量。本发明结合智能网联信息，保证将车舱温度维持在设定温度的同时，考虑未来车速变化对热泵空调系统效率的影响，提高了热泵空调制热工况下的能耗经济性。
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公开(公告)号：CN114824815A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210479413.7
申请日：2022-05-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种机械调控吸波性能的超材料及其耦合间距的机械调控方法，属于可重构超材料技术领域，超材料为双层结构，从下到上由下层超材料及上层超材料组成，双层结构之间具有一定间距；下层超材料从下到上依次由底部衬底层、下层介质层及下层图案层组成，上层超材料从下到上依次由上层图案层及上层介质层组成，其上均设置有周期性排布的图案结构，且图案结构几何互补成一个完整的闭合环状图形。本发明通过层间几何互补且中心对称的结构之间耦合作用的变化，引起等效电路模型电路结构和RLC参数的变化，使不同状态的超材料输入阻抗也发生变化；并利用机械调控模块和固定装置控制双层超材料层间距离的变化来实现对超材料整体吸波性能的调控。
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公开(公告)号：CN119674485A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411836088.0
申请日：2024-12-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了基于亚波长布拉格光栅的全硅太赫兹任意比可调的功率分配器及其调控方法，属于太赫兹片上电路调控技术领域，所述功率分配器由三个并列放置的共平面硅波导组成，所述三个并列放置的共平面硅波导从上到下依次为上侧波导、中间波导及下侧波导，上侧波导的上方和下侧波导的下方分别与机械调控装置或执行器相连接；通过机械调控装置或执行器调控波导间的耦合间距，从而实现具有任意比、连续可调的功率分配器；本发明通过亚波长绝热光栅波导之间耦合间距的变化，引起不同波导间耦合强度的非线性改变，进而使不同波导的输出功率占比发生变化，在太赫兹波段内具有良好的性能，并引入亚波长光栅结构与三波导耦合结构，通过调控波导间的耦合间距，从而实现具有任意比、连续可调的功率分配器。
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公开(公告)号：CN115548617A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211279517.X
申请日：2022-10-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹赝表面等离激元的宽带高效耦合器件、制备方法及其应用，属于太赫兹片上无源器件技术领域，从左至右依次由标准矩形波导Ⅰ、转换器Ⅱ、赝表面等离激元波导Ⅲ、转换器Ⅱ及标准矩形波导Ⅰ连接组成；本发明以参数化的三维金属曲面实现模式转换前后的波矢匹配、极化匹配和阻抗匹配，通过结构参数设计和优化，实现标准矩形波导TE模式到赝表面等离激元模式的宽带高效转换；本发明利用结构的几何特征对器件整体进行加工兼容性拆分，通过高精度3D打印工艺对拆分后的器件结构分别打印，并结合磁控溅射方法实现器件表面的金属化，最后利用预留的孔位完成器件整体的组装。该器件具有高束缚、低损耗、可调控等优点。
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