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公开(公告)号：CN118915232A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410941210.4
申请日：2024-07-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种调制不敏感的双模波导光开关及其制备方法，属于平面光波导器件技术领域。从下至上依次由硅片衬底、聚合物下包层、聚合物光波导芯层、聚合物上包层组成，聚合物光波导芯层被包覆在聚合物上包层之中，聚合物光波导芯层材料的折射率高于聚合物上包层和聚合物下包层材料的折射率。本发明利用了非对称定向耦合结构和非对称Y分支结构简单和有机聚合物材料热光系数大的优势，通过在加热电极调制时利用非对称Y分支进行模式转换从而实现对两个信号光学模式的不敏感调制开关；本发明制备工艺简单，只需要旋涂、光刻、湿法刻蚀等，有效降低了生产成本，提高了器件的生产效率且有利于大规模批量生产，使得该模式信号光开关能够应用到实际当中。
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公开(公告)号：CN119045118A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411323148.9
申请日：2024-09-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于绝热耦合结构的薄膜铌酸锂与聚合物异质集成波导的光功率分配器及其制备方法，属于平面光波导光子集成芯片及其制备技术领域。从下至上依次由硅衬底、二氧化硅氧化层、薄膜铌酸锂和聚合物加载条波导组成；聚合物加载条波导基于绝热耦合结构，由第一直波导、第二直波导、第三直波导、第四直波导、第五直波导、第一输出弯曲波导、第二输出弯曲波导、第一输出直波导和第二输出直波导组成；光从第三直波导输入，分别绝热耦合进入到第二直波导和第四直波导中，然后再分别绝热耦合进入到第一直波导和第五直波导，最后从第一输出直波导和第二输出直波导中输出，实现光功率的均匀分配。本发明具有生产成本低、效率高、能够大规模批量生产的特点。
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公开(公告)号：CN119717132A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510043653.6
申请日：2025-01-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于MMI结构的模式不敏感的3×6光功率分配器及其制备方法，属于光功率分配器及其制备技术领域。从下至上依次由硅片衬底、聚合物下包层、聚合物光波导芯层、聚合物上包层组成，聚合物光波导芯层被完全包覆在聚合物上包层之中，聚合物光波导芯层的折射率大于聚合物上、包层的折射率；聚合物光波导芯层基于四个级联的MMI光波导结构，从三个输入端口输入的两种模式光功率均能够在六个输出端口实现功率等分，实现了模式不敏感的功能，可同时对基模和高阶模式进行功率分配；打破传统只能输入一个端口的功率分配器，3个输入端口再次实现了通信容量的增加。器件可以应用于模分复用系统当中，可以实现实际应用，进行大规模批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119596457A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202510043797.1
申请日：2025-01-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种多端口输入、多端口输出的基于MMI结构的聚合物波导光功率分配器及其制备方法，属于平面光波导器件及其制备技术领域。从下至上由硅片衬底、聚合物下包层、聚合物光波导芯层和聚合物上包层组成，聚合物光波导芯层和聚合物上包层共同位于聚合物下包层之上，聚合物光波导芯层被完全包覆在聚合物上包层之中，聚合物光波导芯层材料的折射率高于聚合物上、下包层的折射率；整个聚合物光波导芯层基于MMI光波导结构。本发明的波导型功率分配器结合了MMI光波导结构工艺容差大、尺寸小的特点，利用有机聚合物材料种类繁多的优势，实现了多个不同端口输入进行相同功率分配的目的，能够大规模批量生产，是能够应用到实际当中的功率分配器。
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公开(公告)号：CN118759637A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410941209.1
申请日：2024-07-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种可调谐的双模六端口光功率分配器及其制备方法，属于平面光波导器件技术领域。从下至上依次由硅片衬底，在硅片衬底上制备的聚合物下包层，在聚合物下包层上制备的条形结构的聚合物光波导芯层，在聚合物下包层和聚合物光波导芯层上制备的聚合物上包层组成；聚合物光波导芯层材料的折射率高于聚合物上、下包层材料的折射率，聚合物光波导芯层是基于MZI和MMI光波导结构。本发明实现了可调谐且同时对两个光学模式从不同输出端口进行功率分配的目的；另外，采用聚合物材料制备器件的工艺相对简单，只需旋涂、光刻等常规工艺，不需要难度较高的工艺，而且生产成本低、效率高、能够大规模批量生产，是能够应用到实际当中的模式功率分配器。
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公开(公告)号：CN118938393A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411323150.6
申请日：2024-09-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种超宽带层间波导光分束器及其制备方法，属于层间波导光分束器及其制备技术领域。该分束器从下到上由硅衬底、聚合物光波导下包层、条形聚合物光波导下芯层、聚合物光波导中间包层、条形聚合物光波导上芯层、聚合物光波导上包层组成。本发明采用硅片作为衬底，以有机聚合物材料作为波导的下包层、中间包层和上包层、以折射率较大的有机聚合物材料作为波导的下芯层和上芯层，充分利用了有机聚合物材料种类多样、加工性强的优势。同时，本发明所采用的制备工艺简单、与半导体工艺兼容、易于集成、适于大规模生产，有效的扩展了聚合物基集成光电子器件在三维光子集成芯片当中的应用，因而具有重要的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN118605044A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410824724.1
申请日：2024-06-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于MZI结构电光聚合物加载条波导的铌酸锂薄膜电光调制器及其制备方法，属于平面光波导光调制器及其制备技术领域。从下至上由硅衬底、二氧化硅氧化层、铌酸锂薄膜、电光聚合物加载条波导组成。电光聚合物加载条波导为MZI结构，从左到右沿光输入方向由输入直波导、输入锥形波导、第一弯曲波导和第二弯曲波导、第一调制臂直波导和第二调制臂直波导、第三弯曲波导和第四弯曲波导、输出锥形波导、输出直波导组成；在第一调制臂直波导和第二调制臂直波导外侧和内侧的铌酸锂薄膜之上分别制备有第一接地电极、第二接地电极和信号电极。本发明器件的制作工艺简单，且能有效降低调制器调制效率，减小调制器的功耗同时更有利于其高度集成。
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公开(公告)号：CN118584706A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410824701.0
申请日：2024-06-25
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于电光聚合物/铌酸锂薄膜异质集成波导的MZI型电光调制器及其制备方法，属于平面光波导光调制器及其制备技术领域.从下至上依次由硅衬底、二氧化硅氧化层、铌酸锂平板层、脊型结构铌酸锂芯层和电光聚合物上包层组成；脊型结构铌酸锂芯层由输入直波导、输入锥形波导、第一弯曲波导和第二弯曲波导、第一调制臂直波导和第二调制臂直波导、第三弯曲波导和第四弯曲波导、输出锥形波导、输出直波导组成；在第一调制臂直波导和第二调制臂直波导外侧和内侧的铌酸锂平板层之上分别制备接地电极和信号电极。本发明有效的降低了调制器的调制效率、减小了器件的尺寸，与半导体工艺兼容，能够实现大规模集成和生产，具有重要的实际应用价值。
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