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公开(公告)号：CN117219561A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311482724.X
申请日：2023-11-09
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 本发明提供了一种降低HARP工艺中晶圆滑片风险的方法，在执行HARP工艺之前，先开启HARP设备的加热台，并至少在所述加热台的表面形成粘附层，然后向HARP设备的反应腔室内通入氦气以对所述粘附层进行表面处理，由于氦气质轻，会先吸附于所述粘附层中，同时由于氦气具有优异的导热性，在受热后容易脱离所述粘附层，脱离的同时会带走所述粘附层表面的化学基团，之后再将晶圆放置于所述加热台上并执行HARP工艺，可以避免在执行HARP工艺时所述粘附层析出气体，在晶圆背面形成气垫导致晶圆滑片的问题，提高了晶圆的良率，降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN117153785A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311402092.1
申请日：2023-10-27
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8234
摘要： 本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有凸出的栅极结构；在所述栅极结构两侧形成侧墙结构，所述侧墙结构最外层为氮化层；对所述衬底进行蒸汽退火处理，在所述侧墙结构上形成富羟基层；在所述衬底、所述侧墙结构和所述栅极结构上形成连续的接触孔刻蚀停止层，所述接触孔刻蚀停止层靠近所述栅极结构顶部的一侧形成有悬突部；在所述接触孔刻蚀停止层上形成介质层；在所述介质层内形成多个互连结构。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够提高半导体结构的良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN117133717A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311402094.0
申请日：2023-10-27
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8234
摘要： 本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有半导体器件的栅极结构，所述栅极结构突出设置在所述衬底上；在所述栅极结构两侧形成有侧墙结构，所述侧墙结构最外层为氮化层；对所述衬底进行氮化处理，在所述侧墙结构上形成富氮层；在所述衬底、所述侧墙结构和所述栅极结构上形成连续的接触孔刻蚀停止层，所述接触孔刻蚀停止层靠近所述栅极结构顶部的一侧包括悬突部；在所述接触孔刻蚀停止层上形成介质层；以及在所述介质层内形成多个金属连接结构。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够提高半导体结构的良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN116442112B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310714526.5
申请日：2023-06-16
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/04
摘要： 本申请涉及一种晶圆研磨的控制方法、系统、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。晶圆研磨的控制方法包括：预先存储多个待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数以及目标研磨参数三者之间的映射关系；获取各待研磨晶圆的制程工艺条件和晶圆参数；根据各待研磨晶圆的制程工艺条件、晶圆参数和映射关系确定各待研磨晶圆的目标研磨参数，从而能够指示机台根据各待研磨晶圆的目标研磨参数不间断地分别对应对各待研磨晶圆进行研磨，从而能够节约工艺流程，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN117199072B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311425187.5
申请日：2023-10-31
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： H01L27/088 , H01L21/8234
摘要： 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上设置有半导体器件的栅极结构，所述栅极结构突出设置在所述衬底上；侧墙结构，设置在所述栅极结构的两侧；第一接触孔刻蚀停止层，设置在所述衬底、所述栅极结构和所述侧墙结构上；第二接触孔刻蚀停止层，设置在所述侧墙结构上的所述第一接触孔刻蚀停止层上，所述第二接触孔刻蚀停止层的致密性大于所述第一接触孔刻蚀停止层的致密性；介质层，覆盖在所述第一接触孔刻蚀停止层和所述第二接触孔刻蚀停止层上，以及多个金属连接结构，设置在所述介质层内。通过本发明提供的一种半导体结构及其制作方法，能够提高半导体结构的良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN117153855B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311412417.4
申请日：2023-10-30
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明公开了一种背照式图像传感器的半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域。所述背照式图像传感器的半导体结构包括：衬底；多个深沟槽，设置在所述衬底内；内衬氧化层，设置在所述深沟槽的侧壁和底部以及所述衬底上；高介电介质层，设置在所述内衬氧化层上；第一氧化层，设置在所述高介电介质层上，所述第一氧化层填充至所述深沟槽的顶部，且所述第一氧化层在所述深沟槽内形成空气间隙，所述空气间隙的顶部低于所述深沟槽的顶部；第二氧化层，形成在所述第一氧化层上，所述第一氧化层和所述第二氧化层结合后压力类型为压应力。通过本发明提供的一种背照式图像传感器的半导体结构及其制作方法，改善衬底与膜层表面的气泡缺陷。
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公开(公告)号：CN117133717B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311402094.0
申请日：2023-10-27
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： H01L21/8234
摘要： 本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有半导体器件的栅极结构，所述栅极结构突出设置在所述衬底上；在所述栅极结构两侧形成有侧墙结构，所述侧墙结构最外层为氮化层；对所述衬底进行氮化处理，在所述侧墙结构上形成富氮层；在所述衬底、所述侧墙结构和所述栅极结构上形成连续的接触孔刻蚀停止层，所述接触孔刻蚀停止层靠近所述栅极结构顶部的一侧包括悬突部；在所述接触孔刻蚀停止层上形成介质层；以及在所述介质层内形成多个金属连接结构。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够提高半导体结构的良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN118645424A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411095709.4
申请日：2024-08-12
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/16
摘要： 本发明提供一种在半导体器件制造过程中防光刻胶毒化的方法，包括以下步骤：在衬底上沉积底部膜层，所述底部膜层表面残留有胺基悬挂键；氧化去除所述胺基悬挂键；在所述底部膜层上形成光刻胶层，所述光刻胶层上涂覆有TARC层，并对涂覆有所述TARC层的所述光刻胶层进行图案化处理，以形成光刻胶图案。本发明通过氧化去除所述胺基悬挂键的方式替代了现有的等离子体处理工艺去除胺基悬挂键，可以避免在底部薄膜的等离子体损伤问题，还有效改善光刻胶毒化的问题。
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公开(公告)号：CN117238839B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311490233.X
申请日：2023-11-10
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/311
摘要： 本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，属于半导体的制作工艺领域，浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供衬底，衬底中形成有浅沟槽，浅沟槽的侧壁和底壁覆盖有垫底氧化层；通过含有氢离子的干法刻蚀工艺刻蚀底壁处部分厚度的垫底氧化层，以在底壁表面引入含羟基的基团；采用高纵横比工艺在浅沟槽中填充氧化物层，含羟基的基团使得氧化物层在底壁处的填充速率较在侧壁处的填充速率快，通过含有氢离子的干法刻蚀工艺刻蚀底壁处部分厚度的垫底氧化层，以在底壁表面引入含羟基的基团，意想不到的效果是，加快底壁处氧化物层的填充速率，使得氧化物层在底壁处的填充速率较在侧壁处的填充速率快，以避免浅沟槽提前封口，从而改善产生空隙的情况。
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公开(公告)号：CN117219561B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311482724.X
申请日：2023-11-09
申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 本发明提供了一种降低HARP工艺中晶圆滑片风险的方法，在执行HARP工艺之前，先开启HARP设备的加热台，并至少在所述加热台的表面形成粘附层，然后向HARP设备的反应腔室内通入氦气以对所述粘附层进行表面处理，由于氦气质轻，会先吸附于所述粘附层中，同时由于氦气具有优异的导热性，在受热后容易脱离所述粘附层，脱离的同时会带走所述粘附层表面的化学基团，之后再将晶圆放置于所述加热台上并执行HARP工艺，可以避免在执行HARP工艺时所述粘附层析出气体，在晶圆背面形成气垫导致晶圆滑片的问题，提高了晶圆的良率，降低了制造成本。
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