公开(公告)号：CN117153785A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311402092.1

申请日：2023-10-27

申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司

发明人： 马亚强 ,  何云雅 ,  张伟 ,  邵章朋 ,  罗钦贤

IPC分类号： H01L21/8234

摘要： 本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有凸出的栅极结构；在所述栅极结构两侧形成侧墙结构，所述侧墙结构最外层为氮化层；对所述衬底进行蒸汽退火处理，在所述侧墙结构上形成富羟基层；在所述衬底、所述侧墙结构和所述栅极结构上形成连续的接触孔刻蚀停止层，所述接触孔刻蚀停止层靠近所述栅极结构顶部的一侧形成有悬突部；在所述接触孔刻蚀停止层上形成介质层；在所述介质层内形成多个互连结构。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够提高半导体结构的良率和可靠性。

公开(公告)号：CN117153785B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311402092.1

申请日：2023-10-27

申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司

发明人： 马亚强 ,  何云雅 ,  张伟 ,  邵章朋 ,  罗钦贤

IPC分类号： H01L21/8234

摘要： 本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有凸出的栅极结构；在所述栅极结构两侧形成侧墙结构，所述侧墙结构最外层为氮化层；对所述衬底进行蒸汽退火处理，在所述侧墙结构上形成富羟基层；在所述衬底、所述侧墙结构和所述栅极结构上形成连续的接触孔刻蚀停止层，所述接触孔刻蚀停止层靠近所述栅极结构顶部的一侧形成有悬突部；在所述接触孔刻蚀停止层上形成介质层；在所述介质层内形成多个互连结构。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够提高半导体结构的良率和可靠性。

公开(公告)号：CN117238839B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311490233.X

申请日：2023-11-10

申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司

发明人： 邵章朋 ,  张伟 ,  罗钦贤 ,  苏圣哲

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，属于半导体的制作工艺领域，浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供衬底，衬底中形成有浅沟槽，浅沟槽的侧壁和底壁覆盖有垫底氧化层；通过含有氢离子的干法刻蚀工艺刻蚀底壁处部分厚度的垫底氧化层，以在底壁表面引入含羟基的基团；采用高纵横比工艺在浅沟槽中填充氧化物层，含羟基的基团使得氧化物层在底壁处的填充速率较在侧壁处的填充速率快，通过含有氢离子的干法刻蚀工艺刻蚀底壁处部分厚度的垫底氧化层，以在底壁表面引入含羟基的基团，意想不到的效果是，加快底壁处氧化物层的填充速率，使得氧化物层在底壁处的填充速率较在侧壁处的填充速率快，以避免浅沟槽提前封口，从而改善产生空隙的情况。

公开(公告)号：CN117238839A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311490233.X

申请日：2023-11-10

申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司

发明人： 邵章朋 ,  张伟 ,  罗钦贤 ,  苏圣哲

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/311

摘要： 本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，属于半导体的制作工艺领域，浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供衬底，衬底中形成有浅沟槽，浅沟槽的侧壁和底壁覆盖有垫底氧化层；通过含有氢离子的干法刻蚀工艺刻蚀底壁处部分厚度的垫底氧化层，以在底壁表面引入含羟基的基团；采用高纵横比工艺在浅沟槽中填充氧化物层，含羟基的基团使得氧化物层在底壁处的填充速率较在侧壁处的填充速率快，通过含有氢离子的干法刻蚀工艺刻蚀底壁处部分厚度的垫底氧化层，以在底壁表面引入含羟基的基团，意想不到的效果是，加快底壁处氧化物层的填充速率，使得氧化物层在底壁处的填充速率较在侧壁处的填充速率快，以避免浅沟槽提前封口，从而改善产生空隙的情况。