本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有半导体器件的栅极结构，所述栅极结构突出设置在所述衬底上；在所述栅极结构两侧形成有侧墙结构，所述侧墙结构最外层为氮化层；对所述衬底进行氮化处理，在所述侧墙结构上形成富氮层；在所述衬底、所述侧墙结构和所述栅极结构上形成连续的接触孔刻蚀停止层，所述接触孔刻蚀停止层靠近所述栅极结构顶部的一侧包括悬突部；在所述接触孔刻蚀停止层上形成介质层；以及在所述介质层内形成多个金属连接结构。通过本发明提供的一种半导体结构的制作方法，能够提高半导体结构的良率和可靠性。