公开(公告)号：CN104821274A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510047961.2

申请日：2015-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  陈敏璋 ,  蔡坤谕

Inventor： 蔡坤谕 ,  陈敏璋 ,  潘正圣

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了用于制造集成电路的工艺。该工艺包括：提供衬底，通过原子层沉积和分子层沉积的一种沉积在衬底上形成硬掩模，以及将硬掩模暴露于来自一种或多种带电粒子束的带电粒子以在硬掩模中图案化间隙。可选地，该工艺包括将硬掩模暴露于来自一种或多种带电粒子束的带电粒子以在硬掩模上图案化结构。

公开(公告)号：CN104821274B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201510047961.2

申请日：2015-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  陈敏璋 ,  蔡坤谕

Inventor： 蔡坤谕 ,  陈敏璋 ,  潘正圣

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了用于制造集成电路的工艺。该工艺包括：提供衬底，通过原子层沉积和分子层沉积的一种沉积在衬底上形成硬掩模，以及将硬掩模暴露于来自一种或多种带电粒子束的带电粒子以在硬掩模中图案化间隙。可选地，该工艺包括将硬掩模暴露于来自一种或多种带电粒子束的带电粒子以在硬掩模上图案化结构。

公开(公告)号：CN106356288A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610549022.2

申请日：2016-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  陈敏璋

Inventor： 高振宏 ,  潘正圣 ,  刘继文 ,  陈敏璋 ,  杨博轩

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/3086 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件和制造方法，其中，使用照射的掩模材料形成具有减小的尺寸的部件。在实施例中，利用通过带电离子照射过的掩模材料来聚焦后续的照射工艺。在另一实施例中，照射掩模材料以使掩模材料再成型并且减小在掩模材料中形成的开口的尺寸。通过这样的工艺，可以避免光刻的限制并且可以实现更小的部件尺寸。

公开(公告)号：CN108231873B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN201710493238.6

申请日：2017-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  刘致为

Inventor： 廖宇鸿 ,  潘正圣 ,  樊圣亭 ,  李敏鸿 ,  刘致为

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，包含源极与漏极、设置于源极与漏极之间的通道、设置在通道上的第一栅极介电层、设置在第一栅极介电层上的第一栅极电极、设置在第一栅极电极上的第二栅极介电层，以及设置在第二栅极介电层上的第二栅极电极。第二栅极介电层是由铁电材料所制成。第一栅极电极的底表面的第一面积大于第二栅极介电层的底表面的第二面积，其中第一栅极电极的底表面与第一栅极介电层接触，而第二栅极介电层的底表面与第一栅极电极接触。

公开(公告)号：CN105895502B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201510372539.4

申请日：2015-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  林时彦

Inventor： 林孟佑 ,  林时彦 ,  李嗣涔 ,  潘正圣

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明描述了一种包括二维(2D)材料的半导体器件及其制造方法。在实施例中，用于制造包括2D材料的半导体器件的方法可以包括：在衬底上外延形成第一2D材料层；以及在第一2D材料层上方形成第二2D材料层，第一2D材料层和第二2D材料层的组分不同。

公开(公告)号：CN106558602A

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201610850027.9

申请日：2016-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄绍勋 ,  谢易叡 ,  赵堉斌 ,  潘正圣

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/66977 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/41725

Abstract: 本公开提供半导体装置结构与其形成方法。半导体装置结构包括源极结构于半导体基板中。半导体装置结构亦包括沟道层于半导体基板上。沟道层的第一部份覆盖部份源极结构。沟道层的第二部份横向地延伸出源极结构。半导体装置结构还包括漏极结构于半导体基板上。漏极结构与源极结构具有不同的导电型态。漏极结构邻接沟道层的第二部份。

公开(公告)号：CN108122993B

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN201710768125.2

申请日：2017-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯拓宏 ,  潘正圣 ,  刘邦轩

IPC: H01L29/792 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置的制造方法。包含场效晶体管装置的半导体装置包含基板与在基板上的二维材料所制成的通道结构。多个源极与漏极接触部分地形成于二维材料上。第一介电层至少部分地形成在通道结构上且至少部分地形成在源极与漏极接触上。第一介电层用以捕获多个电荷载子。第二介电层形成于第一介电层上，且栅极电极形成于第二介电层上。

公开(公告)号：CN107665919B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201710624530.7

申请日：2017-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  林浩雄

Inventor： 杨哲维 ,  林浩雄 ,  潘正圣

IPC: H01L29/06

Abstract: 一种半导体元件，包括自基板突出的半导体鳍片、半导体鳍片上方的栅极电极、半导体鳍片与栅极电极之间的栅极绝缘层、半导体鳍片的相对侧上设置的源极区域与漏极区域、源极区域与漏极区域之间的区域中所形成的第一应力源。第一应力源包括一种选自由He、Ne及Ga组成的群组的材料。

公开(公告)号：CN109786445A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811185825.X

申请日：2018-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  吴肇欣

Inventor： 林佑明 ,  吴肇欣 ,  张洵铭 ,  潘正圣

IPC: H01L29/20 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体元件的制造方法，包含提供一黑磷(black-phosphorous；BP)层于一基材上；形成一掺杂物来源层于黑磷层上；退火掺杂物来源层以从掺杂物来源层驱动掺杂物至黑磷层中；以及形成一导电接触于掺杂物来源层上。

公开(公告)号：CN108630750B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN201810218982.X

申请日：2018-03-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  林时彦

Inventor： 林时彦 ,  李嗣涔 ,  潘正圣 ,  陈冠超

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

Abstract: 一种具有二维侧边异质结构的半导体装置的制造方法包含形成第一金属二硫属化物膜及第二金属二硫属化物膜的交错区域，其中第一金属二硫属化物膜及第二金属二硫属化物膜是沿着第一基材的表面延伸。第一金属二硫属化物膜及第二金属二硫属化物膜为不同的金属二硫属化物。每一个第二金属二硫属化物膜区域是相邻于第一金属二硫属化物膜的区域的相对侧边。