公开(公告)号：CN106356288A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610549022.2

申请日：2016-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  陈敏璋

Inventor： 高振宏 ,  潘正圣 ,  刘继文 ,  陈敏璋 ,  杨博轩

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/3086 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件和制造方法，其中，使用照射的掩模材料形成具有减小的尺寸的部件。在实施例中，利用通过带电离子照射过的掩模材料来聚焦后续的照射工艺。在另一实施例中，照射掩模材料以使掩模材料再成型并且减小在掩模材料中形成的开口的尺寸。通过这样的工艺，可以避免光刻的限制并且可以实现更小的部件尺寸。