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公开(公告)号：CN117438448A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202211101953.8
申请日：2022-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及具有包括不同宽度源极和漏极端子的晶体管的集成电路。一种集成电路包括第一端子导体、第二端子导体以及在第一端子导体和第二端子导体之间的栅极导体。第一端子导体与有源区结构和电源轨相交。第二端子导体与有源区结构相交但不与电源轨相交。栅极导体与有源区结构相交并与第一端子导体和第二端子导体相邻。第一端子导体的第一宽度比第二端子导体的第二宽度大预定量。
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公开(公告)号：CN113299648B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202010504218.6
申请日：2020-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种器件包括晶体管、绝缘结构、掩埋导电线和掩埋通孔。该晶体管在衬底上方，并且包括源极/漏极区域和在源极/漏极区域上方的源极/漏极接触件。绝缘结构在衬底上方并横向围绕晶体管。掩埋导电线在绝缘结构中并且与晶体管间隔开。掩埋通孔在绝缘结构中，并且将晶体管和掩埋导电线互连。掩埋导电线的高度大于源极/漏极接触件的高度。
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公开(公告)号：CN113299648A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010504218.6
申请日：2020-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种器件包括晶体管、绝缘结构、掩埋导电线和掩埋通孔。该晶体管在衬底上方，并且包括源极/漏极区域和在源极/漏极区域上方的源极/漏极接触件。绝缘结构在衬底上方并横向围绕晶体管。掩埋导电线在绝缘结构中并且与晶体管间隔开。掩埋通孔在绝缘结构中，并且将晶体管和掩埋导电线互连。掩埋导电线的高度大于源极/漏极接触件的高度。
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公开(公告)号：CN112736027A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910974639.2
申请日：2019-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/02 , H01L23/528 , G06F30/392
Abstract: 本公开涉及具有约束金属线布置的集成电路。一种方法包括如下步骤：将电路布局中的第一布置的金属线划分为两组金属线，第一组金属线位于外围区域中，并且第二组金属线位于中心区域中。金属线的布置被配置为电连接到电路布局的第二层的接触件。该方法包括调整中心区域中的至少一条金属线的金属线周边以形成第二布置的金属线，其中，每个经调整的金属线周边与集成电路布局的第二层中的接触件分开至少检查距离。将金属线材料沉积在集成电路的电介质层中的一组开口中，该组开口对应于第二布置的金属线。
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公开(公告)号：CN112736027B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201910974639.2
申请日：2019-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L27/02 , H01L23/528 , G06F30/392
Abstract: 本公开涉及具有约束金属线布置的集成电路。一种方法包括如下步骤：将电路布局中的第一布置的金属线划分为两组金属线，第一组金属线位于外围区域中，并且第二组金属线位于中心区域中。金属线的布置被配置为电连接到电路布局的第二层的接触件。该方法包括调整中心区域中的至少一条金属线的金属线周边以形成第二布置的金属线，其中，每个经调整的金属线周边与集成电路布局的第二层中的接触件分开至少检查距离。将金属线材料沉积在集成电路的电介质层中的一组开口中，该组开口对应于第二布置的金属线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114284267A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202011271727.5
申请日：2020-11-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及集成电路及其制造方法。一种集成电路包括第一晶体管、第二晶体管、第一电源线和第二电源线。第一晶体管具有第一有源区域和第一栅极结构，其中，第一有源区域在第一栅极结构的相对侧上具有源极区域和漏极区域。第二晶体管位于第一晶体管之下，并且具有第二有源区域和第二栅极结构，其中，第二有源区域在第二栅极结构的相对侧上具有源极区域和漏极区域。第一电源线位于第一晶体管之上，其中，第一电源线电连接到第一有源区域的源极区域。第二电源线位于第二晶体管之下，其中，第二电源线电连接到第二有源区域的源极区域。
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公开(公告)号：CN115440660A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210253997.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 一种集成电路及其制造方法，集成电路包含在第一连接层中的第一电压电力轨及第二电压电力轨，且包含在第一连接层下方的第一电压下层电力轨及第二电压下层电力轨。第一电压电力轨及第二电压电力轨中的每一者在垂直于第一方向的第二方向上延伸。第一电压下层电力轨及第二电压下层电力轨中的每一者在第一方向上延伸。集成电路包含第一通孔连接件及第二通孔连接件，第一通孔连接件将第一电压电力轨与第一电压下层电力轨连接起来，第二通孔连接件将第二电压电力轨与第二电压下层电力轨连接起来。
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公开(公告)号：CN109817614B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201810818852.X
申请日：2018-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , G06F30/392 , G06F30/394
Abstract: 本公开所描述的放置方法提供放置和布线规则，其中实施自动放置和布线(APR)方法的系统在垂直于鳍但平行于单元高度的竖直方向上布置标准单元结构。本公开所描述的布局方法还通过将竖直电力供应线结合到标准单元结构中来改进器件密度且进一步减小单元高度。引脚连接件可用于将电力供应线电连接到标准单元结构，由此改进器件密度和性能。APR工艺还配置成使标准单元旋转以优化器件布局。
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公开(公告)号：CN113889471A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110185497.9
申请日：2021-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种集成电路上的单元。该单元包括：鳍结构；中间鳍结构连接金属轨道，布置在鳍结构上面的中间鳍结构连接金属层中，中间鳍结构连接金属轨道连接至鳍结构；以及第一中间栅极连接金属轨道，布置在中间鳍结构连接金属层上面的中间栅极连接金属层中，第一中间栅极连接金属轨道连接至中间鳍结构连接金属轨道。第一电源端子施加到中间栅极连接金属轨道。本申请的实施例还涉及集成电路上的单元组件和制造集成电路上的半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN113540079A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202011309834.2
申请日：2020-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088
Abstract: 半导体元件包括以第一鳍片至鳍片间距配置的第一组半导体鳍片和以第二鳍片至鳍片间距配置的第二组半导体鳍片。第一组半导体鳍片和第二组半导体鳍片被无鳍片区域分开，此无鳍片区域大于第一鳍片至鳍片间距和第二鳍片至鳍片间距。半导体元件还包括在第一组半导体鳍片和第二组半导体鳍片上延伸的栅极结构、在栅极结构上延伸的Vdd线和Vss线。从上视图来看，第一组半导体鳍片和第二组半导体鳍片在Vdd线和Vss线之间，并且从上视图看，Vdd线和第一组半导体鳍片之间的重叠面积不同于Vss线和第二组半导体鳍片之间的重叠面积。
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