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公开(公告)号：CN113517274B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202010723363.3
申请日：2020-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H10D84/83 , H01L23/528 , H10D84/03
Abstract: 本申请公开了半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括衬底、有源区域、隔离结构、第一金属线、栅极结构、源极/漏极区域、源极/漏极接触件和第二金属线。有源区域从衬底的顶表面突出。隔离结构在衬底之上并且横向围绕有源区域。第一金属线在隔离结构中。栅极结构在有源区域之上。源极/漏极区域在有源区域中。源极/漏极接触件在有源区域之上并且电连接到源极/漏极区域。第二金属线在栅极结构和源极/漏极接触件之上，其中，第二金属线与第一金属线垂直地重叠。
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公开(公告)号：CN117438448A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202211101953.8
申请日：2022-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及具有包括不同宽度源极和漏极端子的晶体管的集成电路。一种集成电路包括第一端子导体、第二端子导体以及在第一端子导体和第二端子导体之间的栅极导体。第一端子导体与有源区结构和电源轨相交。第二端子导体与有源区结构相交但不与电源轨相交。栅极导体与有源区结构相交并与第一端子导体和第二端子导体相邻。第一端子导体的第一宽度比第二端子导体的第二宽度大预定量。
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公开(公告)号：CN116564956A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202210281459.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L21/768 , H01L27/092
Abstract: 本公开涉及与禁用区相邻的边界单元。一种集成电路，包括第一型有源区结构的阵列和第二型有源区结构的阵列，这些阵列在第一禁用区的第一竖直区边界和第二禁用区的第二竖直区边界之间在第一方向上延伸。该集成电路还包括与第一竖直区边界对齐的第一侧边界单元的阵列和与第二竖直区边界对齐的第二侧边界单元的阵列。在第一侧边界单元的阵列中，第一侧边界单元具有第一ESD保护电路和拾取区。在第二侧边界单元的阵列中，第二侧边界单元具有第二ESD保护电路。
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公开(公告)号：CN113270130B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202010472734.5
申请日：2020-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: G11C11/413 , G11C5/02 , G11C8/14
Abstract: 本公开涉及存储器设备。一种存储器设备包括第一组的第一多个程序线、第二组的第二多个程序线、以及多个地址线。第二多个程序线被布置为紧邻第一多个程序线并与第一多个程序线平行。多个地址线分别耦合到第一多个程序线和第二多个程序线。在布局视图中，多个地址线是绞合的，并且与第一多个程序线和第二多个程序线相交。第一多个程序线或第二多个程序线中的至少两个相邻的程序线具有彼此不同的长度。本文还公开了一种方法。
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公开(公告)号：CN113809073A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202010898013.0
申请日：2020-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及具有有源区域凹凸部的集成电路。一种IC结构包括第一和第二晶体管、隔离区域和第一栅极延伸部。第一晶体管包括第一栅极以及分别位于第一栅极的相对侧的第一源极/漏极区域。第二晶体管包括第二栅极以及分别位于第二栅极的相对侧的第二源极/漏极区域。隔离区域横向位于第一和第二晶体管之间。第一个第一源极/漏极区域具有从隔离区域的第一边界突出的第一源极/漏极延伸部，并且第一个第二源极/漏极区域具有从隔离区域的第二边界突出的第二源极/漏极延伸部。第一栅极延伸部从第一栅极延伸到与隔离区域交叠的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113299648B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202010504218.6
申请日：2020-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种器件包括晶体管、绝缘结构、掩埋导电线和掩埋通孔。该晶体管在衬底上方，并且包括源极/漏极区域和在源极/漏极区域上方的源极/漏极接触件。绝缘结构在衬底上方并横向围绕晶体管。掩埋导电线在绝缘结构中并且与晶体管间隔开。掩埋通孔在绝缘结构中，并且将晶体管和掩埋导电线互连。掩埋导电线的高度大于源极/漏极接触件的高度。
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公开(公告)号：CN113809073B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010898013.0
申请日：2020-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开涉及具有有源区域凹凸部的集成电路。一种IC结构包括第一和第二晶体管、隔离区域和第一栅极延伸部。第一晶体管包括第一栅极以及分别位于第一栅极的相对侧的第一源极/漏极区域。第二晶体管包括第二栅极以及分别位于第二栅极的相对侧的第二源极/漏极区域。隔离区域横向位于第一和第二晶体管之间。第一个第一源极/漏极区域具有从隔离区域的第一边界突出的第一源极/漏极延伸部，并且第一个第二源极/漏极区域具有从隔离区域的第二边界突出的第二源极/漏极延伸部。第一栅极延伸部从第一栅极延伸到与隔离区域交叠的位置。
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公开(公告)号：CN113270130A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010472734.5
申请日：2020-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: G11C11/413 , G11C5/02 , G11C8/14
Abstract: 本公开涉及存储器设备。一种存储器设备包括第一组的第一多个程序线、第二组的第二多个程序线、以及多个地址线。第二多个程序线被布置为紧邻第一多个程序线并与第一多个程序线平行。多个地址线分别耦合到第一多个程序线和第二多个程序线。在布局视图中，多个地址线是绞合的，并且与第一多个程序线和第二多个程序线相交。第一多个程序线或第二多个程序线中的至少两个相邻的程序线具有彼此不同的长度。本文还公开了一种方法。
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公开(公告)号：CN113053878B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202010272941.6
申请日：2020-04-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：衬底；第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构；以及第一源极/漏极区域。第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构位于衬底上方并沿着第一方向布置。第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构在不同于第一方向的第二方向上延伸，并且第二栅极结构位于第一栅极结构和第三栅极结构之间。第一源极/漏极区域位于第一栅极结构和第三栅极结构之间，并且位于第二栅极结构的一个端部处。
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公开(公告)号：CN115224028A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110641540.8
申请日：2021-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 台积电(南京)有限公司 , 台积电(中国)有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本申请公开了共用阱结构、布局和方法。一种集成电路(IC)结构包括具有第一阱部分至第三阱部分的连续阱。连续阱是n阱或p阱中的一者，第一阱部分在第一方向上延伸，第二阱部分在垂直于第一方向的第二方向上从第一阱部分延伸，并且第三阱部分在第二方向上平行于第二阱部分从第一阱部分延伸。
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