公开(公告)号：CN113793842A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202011279170.X

申请日：2020-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭家邦 ,  张志毅 ,  谢明晓 ,  詹伟翔 ,  李亚莲 ,  黃建中 ,  林俊杰 ,  苏鸿文

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开涉及用于半导体器件的通孔及方法。一种结构包括：第一导电特征，在第一电介质层中；第二电介质层，在第一电介质层之上；以及第二导电特征，延伸穿过第二电介质层以实体接触第一导电特征，其中第二导电特征包括：金属粘附层，在第一导电特征之上并与第一导电特征实体接触；阻挡层，沿第二电介质层的侧壁延伸；以及导电填充材料，在金属粘附层和阻挡层之上延伸，其中导电填充材料的一部分在阻挡层和金属粘附层之间延伸。

公开(公告)号：CN110970553A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910897145.9

申请日：2019-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭泰彦 ,  杨心怡 ,  王辰戎 ,  陈玉树 ,  黃建中 ,  林函廷 ,  谢志宏 ,  丁致远

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22

Abstract: 本公开涉及集成电路和形成集成电路的方法。一种形成集成电路的方法，包括：形成磁性隧道结(MTJ)堆叠层；在MTJ堆叠层上方沉积导电蚀刻停止层；在导电蚀刻停止层上方沉积导电硬掩模；以及图案化导电硬掩模以形成蚀刻掩模。图案化被导电蚀刻停止层停止。方法还包括：使用蚀刻掩模来蚀刻导电蚀刻停止层以定义图案；以及蚀刻MTJ堆叠层以形成MTJ堆叠。

公开(公告)号：CN113793842B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202011279170.X

申请日：2020-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭家邦 ,  张志毅 ,  谢明晓 ,  詹伟翔 ,  李亚莲 ,  黃建中 ,  林俊杰 ,  苏鸿文

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开涉及用于半导体器件的通孔及方法。一种结构包括：第一导电特征，在第一电介质层中；第二电介质层，在第一电介质层之上；以及第二导电特征，延伸穿过第二电介质层以实体接触第一导电特征，其中第二导电特征包括：金属粘附层，在第一导电特征之上并与第一导电特征实体接触；阻挡层，沿第二电介质层的侧壁延伸；以及导电填充材料，在金属粘附层和阻挡层之上延伸，其中导电填充材料的一部分在阻挡层和金属粘附层之间延伸。

公开(公告)号：CN110970553B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201910897145.9

申请日：2019-09-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭泰彦 ,  杨心怡 ,  王辰戎 ,  陈玉树 ,  黃建中 ,  林函廷 ,  谢志宏 ,  丁致远

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: 本公开涉及集成电路和形成集成电路的方法。一种形成集成电路的方法，包括：形成磁性隧道结(MTJ)堆叠层；在MTJ堆叠层上方沉积导电蚀刻停止层；在导电蚀刻停止层上方沉积导电硬掩模；以及图案化导电硬掩模以形成蚀刻掩模。图案化被导电蚀刻停止层停止。方法还包括：使用蚀刻掩模来蚀刻导电蚀刻停止层以定义图案；以及蚀刻MTJ堆叠层以形成MTJ堆叠。