公开(公告)号：CN107665857A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201611091047.9

申请日：2016-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈濬凯 ,  许仲豪 ,  周家政 ,  柯忠祁 ,  李资良 ,  陈志壕 ,  潘兴强

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种方法包括在第一硬掩模层上方形成含碳层，含碳层具有大于约25％的碳原子百分比；在含碳层上方形成覆盖层；在覆盖层上方形成第一光刻胶；和将第一光刻胶用作第一蚀刻掩模，蚀刻覆盖层和含碳层。然后，去除第一光刻胶。在覆盖层上方形成第二光刻胶。将第二光刻胶用作第二蚀刻掩模，蚀刻覆盖层和含碳层。去除第二光刻胶。将含碳层用作蚀刻掩模，蚀刻位于含碳层下方的第三光刻胶。将第三光刻胶用作蚀刻掩模蚀刻位于第三光刻胶下面的介电层以形成通孔开口。用导电材料填充通孔开口。本发明实施例涉及用于形成具有笔直轮廓的通孔的多重图案化。

公开(公告)号：CN115472556A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210200200.6

申请日：2022-03-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈濬凯 ,  陈哲明 ,  李资良

IPC: H01L21/768

Abstract: 本案提供一种形成互连结构的方法，包括以下操作：在第一导电特征上沉积第一介电层，在第一介电层上沉积第一遮罩层，以及在第一遮罩层上沉积第二遮罩层。在第一遮罩层及第二遮罩层中图案化第一开口，此第一开口具有第一宽度。在第一开口的底表面中图案化第二开口，此第二开口延伸至第一介电层中，此第二开口具有第二宽度。第二宽度小于第一宽度。第一开口延伸至第一介电层中，及第二开口延伸穿过第一介电层以暴露第一导电特征的顶表面。

公开(公告)号：CN111755324A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010195540.5

申请日：2020-03-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张竞予 ,  许仲豪 ,  童思频 ,  陈濬凯 ,  王仁宏 ,  李资良

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 公开一种图案化半导体装置的方法，在三层光刻胶中的图案化的光刻胶层上方形成的硬遮罩以及一种使用此硬遮罩以图案化目标层的方法。在一些实施例中，提供了一种方法包括在第一硬遮罩层上方沉积光刻胶层，图案化光刻胶层以在光刻胶层中形成多个开口，在光刻胶层上方沉积第二硬遮罩层，第二硬遮罩层填充多个开口，第二硬遮罩层相对于第一硬遮罩层具有第一蚀刻选择性，光刻胶层相对于第一硬遮罩层具有第二蚀刻选择性，第一蚀刻选择性大于第二蚀刻选择性，平坦化第二硬遮罩层，去除光刻胶层，使用第二硬遮罩层作为遮罩蚀刻第一硬遮罩层。

公开(公告)号：CN107665857B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201611091047.9

申请日：2016-12-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈濬凯 ,  许仲豪 ,  周家政 ,  柯忠祁 ,  李资良 ,  陈志壕 ,  潘兴强

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种方法包括在第一硬掩模层上方形成含碳层，含碳层具有大于约25％的碳原子百分比；在含碳层上方形成覆盖层；在覆盖层上方形成第一光刻胶；和将第一光刻胶用作第一蚀刻掩模，蚀刻覆盖层和含碳层。然后，去除第一光刻胶。在覆盖层上方形成第二光刻胶。将第二光刻胶用作第二蚀刻掩模，蚀刻覆盖层和含碳层。去除第二光刻胶。将含碳层用作蚀刻掩模，蚀刻位于含碳层下方的第三光刻胶。将第三光刻胶用作蚀刻掩模蚀刻位于第三光刻胶下面的介电层以形成通孔开口。用导电材料填充通孔开口。本发明实施例涉及用于形成具有笔直轮廓的通孔的多重图案化。