公开(公告)号：CN113380712A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110587513.7

申请日：2021-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧旭明 ,  谢明哲 ,  曹修豪 ,  林纮平 ,  陈哲夫 ,  魏安祺 ,  陈臆仁

IPC: H01L21/8238

Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成第一鳍。该方法包括在第一鳍上形成伪栅极堆叠件。该方法包括沿着伪栅极堆叠件的侧形成第一栅极间隔件。第一栅极间隔件包括第一介电材料。该方法包括沿着第一栅极间隔件的侧形成第二栅极间隔件。第二栅极间隔件包括半导体材料。该方法包括在与第二栅极间隔件相邻的第一鳍中形成源极/漏极区域。该方法包括去除第二栅极间隔件的至少一部分以形成在第一栅极间隔件和源极/漏极区域之间延伸的空隙。

公开(公告)号：CN115528097A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210280810.1

申请日：2022-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧旭明 ,  王绅 ,  徐功书 ,  林纮平 ,  王祥保 ,  陈哲夫

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 在制造半导体元件的方法中，形成包括牺牲栅电极的牺牲栅极结构在基板上。形成第一介电层在牺牲栅极结构上。形成第二介电层在第一介电层上。平坦化并凹陷第二和第一介电层，并且牺牲栅极结构的上部暴露。形成第三介电层在暴露的牺牲栅极结构上和第一介电层上。形成第四介电层在第三介电层上。平坦化第四和第三介电层，并且牺牲栅电极暴露，并且部分第三介电层保留在凹陷的第一介电层上。凹陷第一介电层包括第一蚀刻操作和使用与第一蚀刻操作不同的蚀刻剂的第二蚀刻操作。

公开(公告)号：CN116525443A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310284157.0

申请日：2023-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧旭明 ,  王绅 ,  徐功书

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L21/67 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开提供一种形成半导体装置的方法。以高度均匀的方式在半导体装置的层间介电层的部分中形成凹槽。通过在蚀刻工具中配置气体气流以增加凹槽深度的均匀性，以促进整个半导体装置、从半导体装置至半导体装置及/或从晶圆至晶圆的蚀刻速率(蚀刻深度)的均匀性。详细而言，可以优化蚀刻工具的各种入口处的气体流速以提供凹槽深度调整，增加用于在层间介电层的部分中形成凹槽的制程宽裕度。如此，层间介电层的部分中凹槽的均匀性增加得以在凹槽中形成高度均匀的盖层。

公开(公告)号：CN116266558A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202310116758.0

申请日：2023-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧旭明 ,  林纮平

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提出一种半导体装置及其形成方法。在替换栅极工艺(虚设栅极结构被替换栅极结构替换)之前或期间修整或蚀刻包括在半导体装置中的虚设栅极结构的侧壁上的间隔物层。执行自由基表面处理操作以蚀刻间隔物层，其为一种使用等离子体产生自由基的等离子体处理。等离子体中的自由基用于蚀刻间隔物层，使得间隔物层的剩余部分的形状及/或几何形状减少、最小化及/或防止在间隔物层及/或替换栅极结构的功函数金属层中形成天线缺陷的可能性。其减少、最小化及/或防止在半导体装置的后续工艺操作中在替换栅极结构中发生损坏及/或缺陷的可能性。

公开(公告)号：CN221783214U

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202420084333.6

申请日：2024-01-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧旭明 ,  曹修豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供半导体装置。所述半导体装置包括半导体材料、第一外延源极/漏极区域、第二外延源极/漏极区域、第一虚设栅极介电层、第二虚设栅极介电层及界面介电质。半导体材料设置在基板之上。第一外延源极/漏极区域接触半导体材料的第一端。第二外延源极/漏极区域接触半导体材料的与第一端相对的第二端。第一虚设栅极介电层接触半导体材料及第一外延源极/漏极区域。第二虚设栅极介电层接触半导体材料及第二外延源极/漏极区域。界面介电质设置在第一虚设栅极介电层及第二虚设栅极介电层之间。

公开(公告)号：CN220189656U

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202321054122.X

申请日：2023-05-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧旭明 ,  曹修豪 ,  谢明哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置，提供介电区域包括在纳米结构晶体管之中的半导体装置。介电区域，可以对应于气隙，可以在沿着金属栅极结构的侧壁的介电间隔物层之间。形成介电区域的技术可以包括在制造纳米结构晶体管的期间在介电间隔物层之间使用暂时的间隔物层。暂时的间隔物层可以包括硅锗材料，硅锗材料具有反应机制，其允许选择性去除暂时的间隔物层，而不会对介电间隔物层、金属栅极结构或纳米结构晶体管的其他部分造成损坏。