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公开(公告)号：CN112750726B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202011194714.2
申请日：2020-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种半导体制程系统以及处理半导体晶圆的方法，半导体制程系统在制程腔室中处理半导体晶圆。制程腔室包括用于在腔室内执行半导体制程的半导体处理设备。制程腔室包括与制程腔室的一或多个部件整合在一起的热管。热管有效地将来自腔室内的热转移至腔室外部。
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公开(公告)号：CN110838456A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910749494.6
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开提供一种半导体装置制造系统。半导体装置制造系统包括一处理模块以及一转移模块。处理模块包括一处理腔室以及一闸阀。处理腔室配置以处理一半导体晶片，而闸阀配置以提供至处理腔室的一通道。转移模块包括一转移腔室以及一衬垫。转移腔室耦接至处理腔室，而衬垫耦接至转移腔室的一内表面。衬垫配置以在转移模块的一转移腔室压力调整操作之前或期间减少转移腔室的体积。
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公开(公告)号：CN109841540A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811374602.8
申请日：2018-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本揭露公开了一种新式气体喷射器、电浆处理系统及电浆处理方法。用于半导体处理系统的气体喷射器，包括管子和安装在管子的下游端上的至少一个喷嘴头，其中至少一个喷嘴允许流体连通，以将气体从管子的上游端经过气体喷射器的至少一个喷嘴排放到围绕管子的下游端的环境大气中，其中至少一个喷嘴包括：主体，以及至少一个适配器，适配器包括多个流量调节元件以改变在下游端气体的流动方向，其中多个流量调节元件各自构造和配置成使得在气体喷射器内表面上的膜积聚减少。
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公开(公告)号：CN113140482B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202110053319.0
申请日：2021-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本揭露提供多个半导体处理装置、方法与系统，以预测或决定在半导体处理装置(如蚀刻装置)中的半导体晶圆的处理期间不规则的处理参数。半导体处理装置包含配置以接收半导体晶圆的装载端口。制程腔室是耦接至装载端口，而风扇是配置以选择性地改变制程腔室中的流体流。一或多个感测器是被提供在制程腔室中，并配置以感测制程腔室中的一或多个处理参数。控制器是耦接至风扇及一或多个感测器，而控制器是配置以控制风扇，以基于所感测到的一或多个处理参数来改变制程腔室中的流体流。
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公开(公告)号：CN110660721B
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201910580145.6
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113380712A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110587513.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成第一鳍。该方法包括在第一鳍上形成伪栅极堆叠件。该方法包括沿着伪栅极堆叠件的侧形成第一栅极间隔件。第一栅极间隔件包括第一介电材料。该方法包括沿着第一栅极间隔件的侧形成第二栅极间隔件。第二栅极间隔件包括半导体材料。该方法包括在与第二栅极间隔件相邻的第一鳍中形成源极/漏极区域。该方法包括去除第二栅极间隔件的至少一部分以形成在第一栅极间隔件和源极/漏极区域之间延伸的空隙。
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公开(公告)号：CN112750725A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011189449.9
申请日：2020-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一半导体制程系统包含一制程腔，具有一内部空间。一泵，通过和制程腔通信连接的一流出通到将气体自半导体制程腔排出。系统包括多个流体喷嘴，配置于因应停止泵的操作，在流出通到内产生流体屏障，以抑制粒子自流出通道往内部空间的回流。
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公开(公告)号：CN112687603A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011092580.3
申请日：2020-10-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/20 , H01J37/28
Abstract: 本揭示案是关于一种半导体装置制造系统，描述了一种基于夹盘的装置及用于清洁半导体制造系统的方法。半导体制造系统可包括：腔室；夹盘，封闭于该腔室中并且经配置以固持基板；及控制装置，经配置以控制夹盘的平移位移及旋转。夹盘可包括：通道，该通道沿着夹盘的周边延伸并且将夹盘划分为内部部分及外侧壁部分；及第一多个开口，该第一多个开口通过夹盘的外侧壁部分并且与该通道互连。该通道可经配置以输送流体。第一多个开口可经配置以分配流体。
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公开(公告)号：CN110660721A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910580145.6
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明是晶圆承载装置、系统与方法，本发明揭露描述一种装置。此装置包含一静电吸盘、一气体通道和多个气孔。此静电吸盘是用以置放一物件于其上。此气体通道沿着静电吸盘的一外侧壁的一周边延伸，并将静电吸盘分为一内部分和一侧壁部分。此些气孔贯穿侧壁部分并配置以连接一气体外部至静电吸盘并至气体通道。
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公开(公告)号：CN110098136A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201811621243.1
申请日：2018-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , B25J9/00 , B25J13/08 , B25J19/02
Abstract: 在一实施例中，一种系统包括：气闸；第一半导体处理腔室；第二半导体处理腔室；及传送模块，配置以将感测器移动到第一半导体处理腔室及第二半导体处理腔室中，及移动出第一半导体处理腔室及第二半导体处理腔室，其中感测器配置以：当在第一半导体处理腔室内时，收集表征第一半导体处理腔室的感测器数据；及当在第二半导体处理腔室内时，收集表征第二半导体处理腔室的感测器数据，其中传送模块、第一半导体处理腔室及第二半导体处理腔室在气闸的第一侧面上的受控内部大气内，并且藉由气闸而与在气闸的第二侧面上的不受控外部大气分离。
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