公开(公告)号：CN113380712A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110587513.7

申请日：2021-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧旭明 ,  谢明哲 ,  曹修豪 ,  林纮平 ,  陈哲夫 ,  魏安祺 ,  陈臆仁

IPC: H01L21/8238

Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成第一鳍。该方法包括在第一鳍上形成伪栅极堆叠件。该方法包括沿着伪栅极堆叠件的侧形成第一栅极间隔件。第一栅极间隔件包括第一介电材料。该方法包括沿着第一栅极间隔件的侧形成第二栅极间隔件。第二栅极间隔件包括半导体材料。该方法包括在与第二栅极间隔件相邻的第一鳍中形成源极/漏极区域。该方法包括去除第二栅极间隔件的至少一部分以形成在第一栅极间隔件和源极/漏极区域之间延伸的空隙。

公开(公告)号：CN116266558A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202310116758.0

申请日：2023-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧旭明 ,  林纮平

IPC: H01L21/8234 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提出一种半导体装置及其形成方法。在替换栅极工艺(虚设栅极结构被替换栅极结构替换)之前或期间修整或蚀刻包括在半导体装置中的虚设栅极结构的侧壁上的间隔物层。执行自由基表面处理操作以蚀刻间隔物层，其为一种使用等离子体产生自由基的等离子体处理。等离子体中的自由基用于蚀刻间隔物层，使得间隔物层的剩余部分的形状及/或几何形状减少、最小化及/或防止在间隔物层及/或替换栅极结构的功函数金属层中形成天线缺陷的可能性。其减少、最小化及/或防止在半导体装置的后续工艺操作中在替换栅极结构中发生损坏及/或缺陷的可能性。

公开(公告)号：CN115528097A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210280810.1

申请日：2022-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧旭明 ,  王绅 ,  徐功书 ,  林纮平 ,  王祥保 ,  陈哲夫

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 在制造半导体元件的方法中，形成包括牺牲栅电极的牺牲栅极结构在基板上。形成第一介电层在牺牲栅极结构上。形成第二介电层在第一介电层上。平坦化并凹陷第二和第一介电层，并且牺牲栅极结构的上部暴露。形成第三介电层在暴露的牺牲栅极结构上和第一介电层上。形成第四介电层在第三介电层上。平坦化第四和第三介电层，并且牺牲栅电极暴露，并且部分第三介电层保留在凹陷的第一介电层上。凹陷第一介电层包括第一蚀刻操作和使用与第一蚀刻操作不同的蚀刻剂的第二蚀刻操作。