公开(公告)号：CN113314492B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202110216572.3

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕文雄 ,  郑明达 ,  林素妃 ,  刘旭伦 ,  詹前彬 ,  林永胜

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 在一种制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成第一导电层。在第一导电层上方形成第一光刻胶层。使用第一光刻胶层作为蚀刻掩模来蚀刻第一导电层，以形成第一导电层的岛状图案，该岛状图案通过环形槽与第一导电层的母线图案分离。形成连接图案以连接岛状图案和母线图案。在第一导电层和连接图案上方形成第二光刻胶层。第二光刻胶层包括在岛状图案上方的开口。在开口中的岛状图案上形成第二导电层。去除第二光刻胶层，并且去除连接图案，从而形成凸块结构。本申请的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN115579343A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202210937984.0

申请日：2022-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄晖闵 ,  郑明达 ,  林威宏 ,  薛长荣 ,  詹凯钧 ,  林永胜

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/544 ,  H01L21/60

Abstract: 提供了一种半导体元件结构及其封装结构与形成方法。半导体元件结构包括半导体基板和在半导体基板上的内连线结构。半导体元件结构还包括在内连线结构上的第一导电柱。第一导电柱具有自第一导电柱的较低表面朝向半导体基板延伸的第一凸出部分。半导体元件结构更包括在内连线结构上的第二导电柱。第二导电柱具有自第二导电柱的较低表面上朝向半导体基板延伸的第二凸出部分。第一导电柱相比第二导电柱更靠近半导体基板的中心点。第二凸出部分的底部比第一凸出部分的底部还宽。

公开(公告)号：CN113517200B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202110314319.1

申请日：2021-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  吕文雄 ,  康金玮 ,  庄咏涵 ,  毛隆凯 ,  林永胜

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/485

Abstract: 方法包括在晶圆的第一导电部件上方形成金属晶种层，在金属晶种层上形成图案化的光刻胶，在图案化的光刻胶的开口中形成第二导电部件，以及加热晶圆以在第二导电部件和图案化的光刻胶之间产生间隙。在第二导电部件上镀保护层。该方法还包括去除图案化的光刻胶，以及蚀刻金属晶种层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN113517200A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110314319.1

申请日：2021-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  吕文雄 ,  康金玮 ,  庄咏涵 ,  毛隆凯 ,  林永胜

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/485

Abstract: 方法包括在晶圆的第一导电部件上方形成金属晶种层，在金属晶种层上形成图案化的光刻胶，在图案化的光刻胶的开口中形成第二导电部件，以及加热晶圆以在第二导电部件和图案化的光刻胶之间产生间隙。在第二导电部件上镀保护层。该方法还包括去除图案化的光刻胶，以及蚀刻金属晶种层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN113314492A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110216572.3

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕文雄 ,  郑明达 ,  林素妃 ,  刘旭伦 ,  詹前彬 ,  林永胜

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 在一种制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成第一导电层。在第一导电层上方形成第一光刻胶层。使用第一光刻胶层作为蚀刻掩模来蚀刻第一导电层，以形成第一导电层的岛状图案，该岛状图案通过环形槽与第一导电层的母线图案分离。形成连接图案以连接岛状图案和母线图案。在第一导电层和连接图案上方形成第二光刻胶层。第二光刻胶层包括在岛状图案上方的开口。在开口中的岛状图案上形成第二导电层。去除第二光刻胶层，并且去除连接图案，从而形成凸块结构。本申请的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN115565980A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210937957.3

申请日：2022-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑明达 ,  林威宏 ,  黄晖闵 ,  薛长荣 ,  蔡柏豪 ,  林永胜

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 提供半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括互连结构，在半导体基底的上方。半导体装置结构包括导体柱，在互连结构的上方。导体柱具有突出部，其向半导体基底延伸。半导体装置结构包括上导体导孔，在导体柱与互连结构之间。以第一距离横向分离上导体导孔的中心与突出部的中心。半导体装置结构包括下导体导孔，在上导体导孔与互连结构之间。下导体导孔经由上导体导孔而电性连接于导体柱。以第二距离横向分离下导体导孔的中心与突出部的中心，第二距离短于第一距离。

公开(公告)号：CN115565986A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210943778.0

申请日：2022-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄晖闵 ,  郑明达 ,  林威宏 ,  薛长荣 ,  詹凯钧 ,  林永胜

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开提供一种芯片结构及形成芯片结构的方法。芯片结构包括基板。芯片结构包括第一导线，位于基板上方。前述芯片结构包括绝缘层，位于基板和第一导线上方。前述芯片结构包括导电柱，位于绝缘层上方。导电柱为一体成型，导电柱具有下表面、突出连接部和突出锁固部，突出连接部突出于下表面，并且穿过绝缘层且直接接触第一导线，突出锁固部突出于下表面且内嵌于绝缘层中。前述芯片结构包括焊锡凸块，位于导电柱上。焊锡凸块直接接触导电柱。