公开(公告)号：CN114038899B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202111128744.8

申请日：2021-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏宇 ,  林俊池 ,  陈彦廷 ,  李威养 ,  林家彬 ,  吕惟皓 ,  舒丽丽

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构；在鳍结构上方形成牺牲栅极结构；以及蚀刻鳍结构的源极/漏极(S/D)区域以形成S/D凹槽。鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。该方法还包括：在S/D凹槽中沉积绝缘介电层；在绝缘介电层的底部上方沉积蚀刻保护层；以及部分去除绝缘介电层。该方法还包括在S/D凹槽中生长外延S/D部件。绝缘介电层的底部介于外延S/D部件和衬底之间。本申请的实施例涉及多栅极半导体器件及半导体器件的其形成方法。

公开(公告)号：CN114038899A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111128744.8

申请日：2021-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏宇 ,  林俊池 ,  陈彦廷 ,  李威养 ,  林家彬 ,  吕惟皓 ,  舒丽丽

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构；在鳍结构上方形成牺牲栅极结构；以及蚀刻鳍结构的源极/漏极(S/D)区域以形成S/D凹槽。鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。该方法还包括：在S/D凹槽中沉积绝缘介电层；在绝缘介电层的底部上方沉积蚀刻保护层；以及部分去除绝缘介电层。该方法还包括在S/D凹槽中生长外延S/D部件。绝缘介电层的底部介于外延S/D部件和衬底之间。本申请的实施例涉及多栅极半导体器件及半导体器件的其形成方法。

公开(公告)号：CN112420835A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010311490.2

申请日：2020-04-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李健玮 ,  宋学昌 ,  李彦儒 ,  林俊池 ,  徐梓翔 ,  杨丰诚

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 此处提供半导体装置与半导体装置的形成方法，且半导体装置包括的源极/漏极区具有V形下表面并延伸于与栅极堆叠相邻的栅极间隔物之下。在一实施例中，方法包括形成栅极堆叠于鳍状物上；形成栅极间隔物于栅极堆叠的侧壁上；由非等向的第一蚀刻工艺蚀刻鳍状物，以形成与栅极间隔物相邻的第一凹陷；由第二蚀刻工艺蚀刻鳍状物，以自第一凹陷移除蚀刻残留物，且第二蚀刻工艺与第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同；由非等向的第三蚀刻工艺蚀刻第一凹陷的表面以形成第二凹陷，第二凹陷延伸至栅极间隔物之下且具有V形下表面，且第三蚀刻工艺与第一蚀刻工艺采用的蚀刻剂不同；以及外延形成源极/漏极区于第二凹陷中。