公开(公告)号：CN117174690A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310482967.7

申请日：2023-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 安兰·艾登 ,  林文益 ,  罗登元

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/64 ,  H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 实施例半导体器件可以包括电互连层、电耦合到电互连层的接合焊盘、包括部分地覆盖接合焊盘表面的第一膜和部分地覆盖第一膜的第二膜的堆叠膜结构，在接合焊盘的部分表面上形成在第一膜中的第一孔，形成在第二膜中使得第二孔大于第一孔并且形成在第一孔上方使得第一孔完全位于第二孔的区域下方的第二孔，以及形成为与焊盘接触的焊料材料部。焊料材料部可以包括小于第二孔的尺寸的第一宽度，使得焊料材料部不接触第二膜。本申请的实施例还公开了一种形成半导体器件的接合结构的方法。

公开(公告)号：CN118888458A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410722852.5

申请日：2024-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 安兰·艾登 ,  刘人豪 ,  邱致远 ,  林惠婷 ,  彭棋俊

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  B08B7/00

Abstract: 一种形成一接合组件的方法及其设备，设备可以通过对半导体芯片执行芯片等离子体清洁工艺来形成接合组件；产生半导体芯片的清洁侧的至少一芯片红外图像；测量至少一芯片红外图像中至少一金属区域的平均发射率；基于所测量的平均发射率执行选自接合步骤和替代处理步骤的后续处理步骤。如果所测量的平均发射率小于预定的发射率阈值，则执行接合步骤。如果所测量的平均发射率大于预定发射率阈值，则执行替代处理步骤。替代处理步骤可以选自额外清洁步骤和额外检查步骤。

公开(公告)号：CN119495677A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411306349.8

申请日：2024-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 安兰·艾登 ,  高金福

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体结构可包括具有第一电性接合结构形成在第一介电层内的第一部件，具有第二电性接合结构形成在第二介电层内的第二部件以及形成在第一介电层和第二介电层之间的有机基底层。有机基底层包括碳链结构，使得第一介电层可以通过在第一介电层、有机基底层和第二介电层之间形成的键接而接合到第二介电层。此些碳链结构具有10至1000之间的碳数以及大于2的一氢碳比H/C，使得有机基底层具有在0.5纳米至30纳米之间的厚度。此些碳链结构还包括可在碳链结构之间形成键结的官能基。

公开(公告)号：CN118748152A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410645461.8

申请日：2024-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄晖闵 ,  薛长荣 ,  邱致远 ,  刘人豪 ,  郑明达 ,  安兰·艾登

IPC: H01L21/60

Abstract: 接合组件可借由下列步骤形成：在低氧环境中提供基板及半导体晶片，低氧环境具有小于17kPa的氧分压；设置半导体晶片于基板上；在低氧环境中对半导体晶片上的晶片接合垫的含铜表面执行等离子体处理制程，等离子体处理制程借由将等离子体喷射流定向至晶片接合垫来执行；以及将接合线接附至半导体晶片及基板，使得接合线的第一末端接附至含铜表面，且接合线的第二末端接附至基板上的基板接合垫。

公开(公告)号：CN118692930A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410570166.0

申请日：2024-05-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄晖闵 ,  詹凯钧 ,  郑明达 ,  邱致远 ,  安兰·艾登

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 可以通过以下步骤形成接合组件：在低氧环境中提供至少第一封装衬底；在低氧环境中提供至少第一半导体封装件；在低氧环境中通过将至少一个第一等离子体射流引导至接合到第一半导体封装件的第一焊料材料部分，来对第一半导体封装件执行第一等离子体封装件处理工艺；以及在将至少一个第一等离子体射流引导至第一焊料材料部分的同时，将第一焊料材料部分带到位于第一封装衬底上的第一衬底侧接合结构上或第一衬底侧接合结构附近。用第一等离子体射流处理第一衬底侧接合结构。在用第一等离子体射流处理第一衬底侧接合结构的同时或处理第一衬底侧接合结构之后，将第一半导体封装件接合到第一封装基板。本发明实施例还提供了用于形成接合组件的装置。

公开(公告)号：CN118692883A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410334924.9

申请日：2024-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄晖闵 ,  詹凯钧 ,  邱致远 ,  郑明达 ,  安兰·艾登

IPC: H01J37/32

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了形成接合组件的方法，可以通过如下方法形成接合组件：在低氧环境中提供包括至少第一封装衬底和第二封装衬底的晶圆；在所具有的氧分压低于17kPa的低氧环境中在第一封装衬底上实施第一衬底处理工艺的同时，在低氧环境中在第一半导体封装件上实施第一等离子体封装件处理工艺；以及在第二封装衬底上实施第二衬底处理工艺的同时、以及在将第一半导体封装件接合至第一封装衬底的同时，在第二半导体封装件上实施第二等离子体封装件处理工艺。根据本申请的其他实施例，还提供了用于形成接合组件的装置。