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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118888458A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410722852.5
申请日：2024-06-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种形成一接合组件的方法及其设备，设备可以通过对半导体芯片执行芯片等离子体清洁工艺来形成接合组件；产生半导体芯片的清洁侧的至少一芯片红外图像；测量至少一芯片红外图像中至少一金属区域的平均发射率；基于所测量的平均发射率执行选自接合步骤和替代处理步骤的后续处理步骤。如果所测量的平均发射率小于预定的发射率阈值，则执行接合步骤。如果所测量的平均发射率大于预定发射率阈值，则执行替代处理步骤。替代处理步骤可以选自额外清洁步骤和额外检查步骤。
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公开(公告)号：CN115376964A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210554786.6
申请日：2022-05-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明实施例涉及半导体裸片浸渍结构。本文提供了一种裸片浸渍结构包含一个板，所述板包含具有第一深度并使用第一助焊剂材料填满的第一凹陷部分。所述板还包含第二凹陷部分，与第一凹陷部分分离，具有第二深度并被第二助焊剂材料填满。第二深度与第一深度不同。所述裸片浸渍结构还包含一个电动机，所述电动机经配置以移动板，以便同时将第一裸片以及第二裸片分别浸入第一凹陷部分的助焊剂和第二凹陷部分的助焊剂中。
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公开(公告)号：CN118748152A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410645461.8
申请日：2024-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 接合组件可借由下列步骤形成：在低氧环境中提供基板及半导体晶片，低氧环境具有小于17kPa的氧分压；设置半导体晶片于基板上；在低氧环境中对半导体晶片上的晶片接合垫的含铜表面执行等离子体处理制程，等离子体处理制程借由将等离子体喷射流定向至晶片接合垫来执行；以及将接合线接附至半导体晶片及基板，使得接合线的第一末端接附至含铜表面，且接合线的第二末端接附至基板上的基板接合垫。
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公开(公告)号：CN118692930A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410570166.0
申请日：2024-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/603 , H01L21/02 , H01J37/32
Abstract: 可以通过以下步骤形成接合组件：在低氧环境中提供至少第一封装衬底；在低氧环境中提供至少第一半导体封装件；在低氧环境中通过将至少一个第一等离子体射流引导至接合到第一半导体封装件的第一焊料材料部分，来对第一半导体封装件执行第一等离子体封装件处理工艺；以及在将至少一个第一等离子体射流引导至第一焊料材料部分的同时，将第一焊料材料部分带到位于第一封装衬底上的第一衬底侧接合结构上或第一衬底侧接合结构附近。用第一等离子体射流处理第一衬底侧接合结构。在用第一等离子体射流处理第一衬底侧接合结构的同时或处理第一衬底侧接合结构之后，将第一半导体封装件接合到第一封装基板。本发明实施例还提供了用于形成接合组件的装置。
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公开(公告)号：CN118692883A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410334924.9
申请日：2024-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了形成接合组件的方法，可以通过如下方法形成接合组件：在低氧环境中提供包括至少第一封装衬底和第二封装衬底的晶圆；在所具有的氧分压低于17kPa的低氧环境中在第一封装衬底上实施第一衬底处理工艺的同时，在低氧环境中在第一半导体封装件上实施第一等离子体封装件处理工艺；以及在第二封装衬底上实施第二衬底处理工艺的同时、以及在将第一半导体封装件接合至第一封装衬底的同时，在第二半导体封装件上实施第二等离子体封装件处理工艺。根据本申请的其他实施例，还提供了用于形成接合组件的装置。
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