公开(公告)号：CN103811312B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310034749.3

申请日：2013-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林毓超 ,  许家豪 ,  吴国钰 ,  陈嘉仁 ,  陈昭成

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L22/12 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/095 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70633 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

Abstract: 一种形成衬底图案的方法的实施例包括在衬底上形成底层和上覆中间层。光刻胶图案形成在中间层上。在光刻胶图案上沉积蚀刻涂层。将蚀刻涂层和光刻胶图案用作掩膜元件以图案化中间层和底层中的至少一个。将图案化的中间层和图案化的底层中的至少一个用作掩膜元件来蚀刻衬底以形成衬底图案。衬底图案可用作覆盖测量工艺的元件。

公开(公告)号：CN103811312A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310034749.3

申请日：2013-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林毓超 ,  许家豪 ,  吴国钰 ,  陈嘉仁 ,  陈昭成

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L22/12 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/095 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70633 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种形成衬底图案的方法的实施例包括在衬底上形成底层和上覆中间层。光刻胶图案形成在中间层上。在光刻胶图案上沉积蚀刻涂层。将蚀刻涂层和光刻胶图案用作掩膜元件以图案化中间层和底层中的至少一个。将图案化的中间层和图案化的底层中的至少一个用作掩膜元件来蚀刻衬底以形成衬底图案。衬底图案可用作覆盖测量工艺的元件。