公开(公告)号：CN103811549A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310032027.4

申请日：2013-01-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘惠如 ,  周建志 ,  郑光茗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0852 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

Abstract: 横向MOSFET包括形成在衬底中的多个隔离区，其中第一隔离区的顶面低于衬底的顶面。横向MOSFET还包括栅电极层，其具有形成在第一隔离区上方的第一栅电极层和形成在衬底顶面上方的第二栅电极层，第一栅电极层的顶面低于第二栅电极层的顶面。

公开(公告)号：CN103811549B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310032027.4

申请日：2013-01-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘惠如 ,  周建志 ,  郑光茗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0852 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

Abstract: 横向MOSFET包括形成在衬底中的多个隔离区，其中第一隔离区的顶面低于衬底的顶面。横向MOSFET还包括栅电极层，其具有形成在第一隔离区上方的第一栅电极层和形成在衬底顶面上方的第二栅电极层，第一栅电极层的顶面低于第二栅电极层的顶面。