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公开(公告)号：CN119465110B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510068551.X
申请日：2025-01-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出了一种辐射温度测量的钨铼热电偶的制造方法及钨铼热电偶，包括绝缘层旋涂步骤、敏感芯体制备步骤和封装管壳装配步骤，绝缘层旋涂制备工艺用于将氧化铪溶胶均匀涂覆在钨片和钨铼片的双端面上，经过烧结形成稳定绝缘薄膜；敏感芯体制备工艺用于将钨片和钨铼片搅拌摩擦键合成整体，并分别焊接钨丝和钨铼丝，形成热电偶测温敏感芯体；封装管壳装配工艺用于将敏感芯体装配进不锈钢保护管壳中，并在探头表面涂覆高发射率涂层。通过本发明提供的制造方法，可以快速制备瞬态辐射温度测量上限达3000℃的超高温温度传感器，具有良好的测温稳定性和响应速度，可应用于极端辐射高温环境下温度测量。
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公开(公告)号：CN119437458A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202510034078.3
申请日：2025-01-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出用于辐射高温测定的银‑铂热电温度传感器及其制备方法，包括自内向外依次设置的光纤、介质浆料过渡层、银电极层、介质浆料绝缘层、铂电极层、介质浆料氧化层和法珀腔结构；光纤、介质浆料过渡层、银电极层、介质浆料绝缘层、铂电极层和介质浆料氧化层一端齐平，另一端的长度自内向外逐层递减；法珀腔结构包括在光纤末端形成的反射镜和通过在光纤末端镀制高反射膜形成的另一反射镜，以及两者之间的腔体。本发明的传感器具有高灵敏度、快速响应和高稳定性的特点，适用于极端环境下的温度监测，极大地扩展了银‑铂热电温度传感器的应用范围。
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公开(公告)号：CN118603346A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410209098.5
申请日：2024-02-26
Applicant: 厦门大学
IPC: G01K7/20 , G06F18/15 , G06F30/367 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及温度测量技术领域，具体涉及一种小型化高精度铂电阻测温电路，包括：自研铂电阻传感器，测量范围为‑10℃到200℃；MAX31865四线制测温电路，通过适配器与自研铂电阻传感器电连接，将电信号转化为数字信号并传输至STM32主控电路；STM32主控电路，对数字信号进行处理并控制OLED显示模块和开关机电路的工作；OLED显示模块，显示当前测量温度和历史温度数据以及曲线图；开关机电路，根据STM32主控电路传输的信号自动关闭测温电路，采用PMOS和三极管设计。本发明具有单次测温和连续实时测温的功能，可以实现电阻值到温度值的高精度转换的同时，有效提高了系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN118565644A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410826245.3
申请日：2024-06-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本申请公开了一种耐高温的钨铼同轴热电极、热电偶及其应用，由钨铼合金丝电极和钨合金管电极套芯组成，两电极之间隔有一层介电绝缘层。测量端通过研磨和抛光在表面自动生成“热”测量结点，由于摩擦产生若干摩擦焊接结桥接在位于钨铼合金丝和钨合金管之间的介电绝缘层上形成复合材料测量结，在腐蚀和/或气流冲刷的过程中，测量端前端的“热”测量结点失效，钨铼同轴热电极的表面生成新的“热”测量结点。这种同轴结构使钨铼同轴热电极能够在3000℃以上的环境中稳定工作，同时能够减少钨铼同轴热电极的无效面积，并有效减少传统的层状热电偶的边界效应，从而提高测量的准确度。
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公开(公告)号：CN118129594A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410163914.3
申请日：2024-02-05
Applicant: 厦门大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明提供了一种适用于多工况的柔性应变检测装置，包括第一封装层、介电层、第二封装层以及电极层；所述第一封装层和第二封装层是弹性薄膜，所述介电层是离子凝胶，所述介电层的上下两侧分别包括沿着柔性应变检测装置的拉伸方向间隔布置的多个横向凹槽，所述介电层介于所述第一封装层和第二封装层之间；所述第二封装层朝向所述介电层的一面形成所述电极层，所述电极层通过激光刻蚀形成叉指电极，所述叉指电极的叉指呈蛇形并沿着所述柔性应变检测装置的拉伸方向蜿蜒弯曲延伸。应用本技术方案可实现较好的拉伸性能的柔性应变检测装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117878180A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311614865.2
申请日：2023-11-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0236 , H01L31/0336
Abstract: 本发明涉及光电传感器领域，具体涉及一种硅基氧化镓异质日盲光电传感器结构，所述传感结构由硅衬底、多维硅纳米锥结构、氧化镓薄膜、P型掺杂区、N型掺杂区、欧姆接触、以及金电极构成；多维硅纳米锥结构由微米结构和纳米结构组合而成；微米结构预先采用MEMS工艺光刻成相应图形，再通过Bosch刻蚀形成相应微米结构；纳米结构是在微米结构的基础上采用光刻工艺形成相应图形，再通过等离子体浸没刻蚀形成微纳分层的多维硅纳米锥结构。本发明形成的PIN型光电探测结构本征区具有很高的阻抗与氧化镓薄膜对日盲紫外光的倍增吸收可以对光生电子空穴对进行有效收集，将探测的范围扩展到日盲紫外光范围，从而获得理想的量子效率和响应速度。
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公开(公告)号：CN116222829A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310033997.X
申请日：2023-01-10
Applicant: 厦门大学
IPC: G01L1/10
Abstract: 本发明提供了一种高压波纹管驱动的石英谐振式压力传感器，包括：上腔室、下腔室；所述上腔室包括压力传递单元、压力转换单元、石英双端音叉；所述压力转换单元连接在压力传递单元和石英双端音叉之间；所述下腔室包括振荡电路PCB版，石英双端音叉固定在压力转换单元的定位槽上，并通过焊线机与振荡电路PCB版上的金线版进行连接；待测压力使得压力传递单元沿轴方向发生位移,推动压力转换单元发生位移,压力转换单元上的定位槽会使得石英双端音叉受到拉力,其振动频率发生改变,石英双端音叉的工作频率与初始频率的差值与压力成比例关系,通过测量频率差,依据力频曲线检测出所测压力的大小。
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公开(公告)号：CN115969333A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310034021.4
申请日：2023-01-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种面向脉诊检测的柔性高灵敏阵列式传感器，包括：底层柔性基底；多个柔性共面蛇形叉指电极，设置于所述底层柔性基底上；粘接封装层，设置于所述底层柔性基底的边缘，于所述多个柔性共面蛇形叉指电极共面；多个有微柱结构的敏感层，设置于所述多个柔性共面蛇形叉指电极上；微孔间隔层，设置于所述多个有微柱结构的敏感层上；表层封装层，设置于所述微孔间隔层之上。上述的传感器，柔性压力传感阵列可以与人体的体表进行共形贴合，可以更加友好的监测患者的脉搏信息。通过在脉动点附近布置阵列式传感器能够避免单点式传感器在检测过程中发生位置滑动的缺陷，获取更全面的脉诊信息。
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公开(公告)号：CN119426143B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510034166.3
申请日：2025-01-09
Applicant: 厦门大学
IPC: B05D5/12 , G01K7/00 , B05D7/00 , B05D1/38 , B05D3/04 , B05D3/14 , B05D3/00 , B05D1/04 , B41J3/413 , B41J3/407 , B41M5/00
Abstract: 本发明提出了一种制备钨铼超高温辐射温度传感器的敏感层和绝缘层的喷印方法，包括对正负极氧化铝基底预处理后，通过电流体喷印平台依次在正负极氧化铝基底上喷印正负极敏感层，烧结形成正负极敏感芯体。并在此基础上进一步提出了钨铼超高温辐射温度传感器及其制备方法，钨铼超高温辐射温度传感器自下而上包括负极敏感芯体、绝缘层和正极敏感芯体，负极敏感芯体自下而上包括钨/铼26敏感层、负极氧化铝基底、钨/铼26引线和负极氧化铝圆片；正极敏感芯体自上而下包括钨敏感层、正极氧化铝基底、钨引线和正极氧化铝圆片。该传感器测温范围达400℃至3000℃，远超传统传感器的极限温度，满足了航天、冶金等极端环境的需求。
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公开(公告)号：CN119457087A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510059613.0
申请日：2025-01-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提出了一种辐射热流测量的钨铼同轴热电偶批量同轴制造方法，包括：同轴喷印镀膜步骤用于形成内层钨铼丝、中间层介电绝缘薄膜、外层钨热电薄膜的三层同轴结构敏感芯体，以钨铼丝为钨铼同轴热电偶敏感芯体的钨铼内导体层；敏感芯体烧结步骤使绝缘薄膜和钨热电薄膜完全固化，形成同轴热电偶敏感芯体的绝缘层和钨外导体层；封装管壳装配步骤用于将敏感芯体嵌入保护管中，打磨敏感芯体顶端形成测温结点，并在探头端部涂覆高发射率涂层。通过本发明的方法可以快速批量制备瞬态测温上限达3000K、辐射热流测量上限达100 MW/m2的钨铼同轴热电偶，尺寸小成本低响应快，可应用于极端高温环境和温度快速变化环境辐射热流测量。
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