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公开(公告)号：CN118067259A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410209093.2
申请日：2024-02-26
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明涉及温度传感器封装技术领域，具体涉及一种高温四线制高精度铂电阻薄膜温度传感器封装结构，包括耐高温管壳、铂薄膜电阻、耐高温电极引线和耐高温导线，铂薄膜电阻封装在耐高温管壳内，两组耐高温电极引线外侧分别包裹高温隔热胶带，耐高温电极引线尾端伸入耐高温管壳内，与铂薄膜电阻焊接，焊接处点涂玻璃浆料形成玻璃浆料保护层，耐高温电极引线前端与耐高温导线焊接，且耐高温管壳左侧开口处中填充耐高温隔热胶，保证耐高温管壳与外界隔绝。将耐高温导线连接后端电路，应用于高温环境温度测量。本发明具有耐高温、耐腐蚀、制造成本低等特点,解决传统铂电阻温度传感器工作温度范围窄和封装工艺繁琐的问题，可实现低成本、批量化生产。
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公开(公告)号：CN118010235A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410209095.1
申请日：2024-02-26
申请人： 厦门大学
摘要： 本发明公开了一种基于黏菌群优化和卡尔曼滤波的压力传感器温度补偿方法，其通过外接温度传感器实时监测环境温度，并将温度数据引入系统，作为压力传感器输出的校准基准；考虑了温度对传感器输出的影响，其基于扩展卡尔曼滤波建立状态方程和观测方程，实现压力传感器的温度补偿；同时，为了获得最佳的扩展卡尔曼滤波参数，其基于黏菌群优化算法的实现扩展卡尔曼滤波参数的实时优化，以最大程度地提高温度补偿算法的效能。本发明通过实施基于黏菌群优化和扩展卡尔曼滤波的压力传感器温度补偿算法，并结合实时动态调整机制，实现对压力传感器在不同温度下的精确测量，提高其稳定性和准确性，从而为各种应用场景提供可靠的压力数据支持。
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公开(公告)号：CN118603346A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410209098.5
申请日：2024-02-26
申请人： 厦门大学
IPC分类号： G01K7/20 , G06F18/15 , G06F30/367 , G06F119/08
摘要： 本发明涉及温度测量技术领域，具体涉及一种小型化高精度铂电阻测温电路，包括：自研铂电阻传感器，测量范围为‑10℃到200℃；MAX31865四线制测温电路，通过适配器与自研铂电阻传感器电连接，将电信号转化为数字信号并传输至STM32主控电路；STM32主控电路，对数字信号进行处理并控制OLED显示模块和开关机电路的工作；OLED显示模块，显示当前测量温度和历史温度数据以及曲线图；开关机电路，根据STM32主控电路传输的信号自动关闭测温电路，采用PMOS和三极管设计。本发明具有单次测温和连续实时测温的功能，可以实现电阻值到温度值的高精度转换的同时，有效提高了系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN221725439U
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202420779649.7
申请日：2024-04-16
申请人： 厦门大学
IPC分类号： G01L1/22
摘要： 本实用新型涉及传感器技术领域，具体涉及一种可提高芯片良率的MEMS压阻式压力传感器，包括硅片，所述硅片上设置有电阻、金属引线、欧姆接触区和背腔，所述电阻采用扩散法或离子注入法制造在硅片顶面上，采用阶梯状设置，以110方向排布，横跨整个应力集中区域；所述欧姆接触区与电阻的边缘接触，所述背腔采用深硅刻蚀制备。本实用新型采用阶梯式的电阻设计，扩大了电阻的纵向尺寸，对光刻、刻蚀过程中引入的操作误差得到了较好的补偿，保证了制造过程中的良率。
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