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实用新型
一种可提高芯片良率的MEMS压阻式压力传感器有权

公开(公告)号：CN221725439U

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202420779649.7

申请日：2024-04-16

申请人： 厦门大学

发明人： 张增星 , 高瑞 , 薛晨阳 , 王永华 , 郑建毅

IPC分类号： G01L1/22

摘要： 本实用新型涉及传感器技术领域，具体涉及一种可提高芯片良率的MEMS压阻式压力传感器，包括硅片，所述硅片上设置有电阻、金属引线、欧姆接触区和背腔，所述电阻采用扩散法或离子注入法制造在硅片顶面上，采用阶梯状设置，以110方向排布，横跨整个应力集中区域；所述欧姆接触区与电阻的边缘接触，所述背腔采用深硅刻蚀制备。本实用新型采用阶梯式的电阻设计，扩大了电阻的纵向尺寸，对光刻、刻蚀过程中引入的操作误差得到了较好的补偿，保证了制造过程中的良率。