公开(公告)号：CN117558833A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311614864.8

申请日：2023-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张增星 ,  薛晨阳 ,  赵宙

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明涉及硅基紫外光电传感器领域，具体涉及一种自建外电场调制的硅基增强型紫外光电传感器的制备方法，其利用Bosch刻蚀和等离子体浸没刻蚀得到微纳米分层结构硅纳米锥，有效消除表面反射；采用低能离子注入形成浅结；采用扩散增强模式的共形原子层沉积技术沉积氧化铝薄膜，高质量沉积的氧化铝薄膜不仅保证了表面的有效钝化，有效抑制光生载流子表面瑕疵点复合，同时引入负电荷富集层，形成自建外电场抑制载流子复合损耗，并对载流子移动进行主动调制，硅纳米锥的俘光能力与氧化铝引入的自建外电场协同增强，对光生电子空穴对进行更加高效的收集，将探测的范围扩展到紫外光范围的同时获得理想的量子效率和响应速度。

公开(公告)号：CN117878180A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311614865.2

申请日：2023-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张增星 ,  薛晨阳 ,  赵宙

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0336

Abstract: 本发明涉及光电传感器领域，具体涉及一种硅基氧化镓异质日盲光电传感器结构，所述传感结构由硅衬底、多维硅纳米锥结构、氧化镓薄膜、P型掺杂区、N型掺杂区、欧姆接触、以及金电极构成；多维硅纳米锥结构由微米结构和纳米结构组合而成；微米结构预先采用MEMS工艺光刻成相应图形，再通过Bosch刻蚀形成相应微米结构；纳米结构是在微米结构的基础上采用光刻工艺形成相应图形，再通过等离子体浸没刻蚀形成微纳分层的多维硅纳米锥结构。本发明形成的PIN型光电探测结构本征区具有很高的阻抗与氧化镓薄膜对日盲紫外光的倍增吸收可以对光生电子空穴对进行有效收集，将探测的范围扩展到日盲紫外光范围，从而获得理想的量子效率和响应速度。

公开(公告)号：CN221977942U

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202421007480.X

申请日：2024-05-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张增星 ,  赵宙 ,  薛晨阳

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/06 ,  B82Y40/00

Abstract: 本实用新型公开了一种硅基弱紫外成像阵列器，由10×10个单元构成，每个单元均由硅衬底、硅纳米锥结构、离子注入区、氧化铝薄膜以及金电极构成，硅纳米锥结构由尺寸与紫外波长匹配的纳米孔结构与微米孔结构分层复合所得，离子注入区包括P型掺杂区和N型掺杂区，P型掺杂区位于硅片正面，N型掺杂区位于硅片背面；氧化铝薄膜共形沉积在硅纳米锥结构的上方，形成钝化层；金电极包括设置在硅片正面的上电极和设置在硅片背面的下电极。利用独有的硅纳米锥表面，提高了紫外光初始吸收效率。并形成高质量的氧化铝异质结薄膜，不仅起到钝化层的作用，减少表面复合，同时引入外电场，加速载流子移动能力，有效调控载流子的运输，减少内部俄歇复合。