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公开(公告)号：CN111463308B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010400369.7
申请日：2020-05-13
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p‑i‑n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO2钝化层；n+型衬底的背面设有n+型电极，p+型欧姆接触层侧上表面设有p+型电极。可获得更好的器件响应度，提高收集光生载流子的效率。
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公开(公告)号：CN111463308A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010400369.7
申请日：2020-05-13
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p-i-n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO2钝化层；n+型衬底的背面设有n+型电极，p+型欧姆接触层侧上表面设有p+型电极。可获得更好的器件响应度，提高收集光生载流子的效率。
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公开(公告)号：CN108231953B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201711482215.1
申请日：2017-12-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 一种MSM结构4H‑SiC紫外光电探测器的制备方法，涉及紫外光电探测器的制备。在n型4H‑SiC衬底外延生长一层半绝缘层后，将材料样品切割成矩形条状样品，采用标准RCA程序清洗表面，进而采用电热分解生长方法，通过环境条件、温度及生长时间控制，使用DC直流电源通电于矩形条状样品两端，直接在4H‑SiC外延层的Si面热生长多层石墨烯薄膜，优化生长技术条件，通过光刻图形化，结合ICP刻蚀，在器件表面制备出MSM结构用的叉指电极；溅射沉积组合金属焊盘，再在样品表面通过等离子体增强化学气相沉积法覆盖生长一层致密的SiO2作为钝化层；用光刻与刻蚀工艺，去除圆形焊盘区域上的SiO2，即得。
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公开(公告)号：CN105304748B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510639610.0
申请日：2015-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352
Abstract: 双工作模式的4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器件。探测器设有N+型4H‑SiC衬底，在N+型4H‑SiC衬底上依次设有第一N‑型外延吸收层和第二N型外延倍增层；从第二N型外延倍增层至第一N‑型外延吸收层表面刻蚀一高度；在第二N型外延倍增层和第一N‑型外延吸收层表面形成P+型欧姆接触层，形成P+N和P+N‑两个PN结；在P+型欧姆接触层的表面生长二氧化硅钝化层；在钝化层上设P型电极窗口，在P型电极窗口和N+型4H‑SiC衬底背面分别溅射P电极和N电极。制备方法：对生长好的外延片进行RCA标准清洗；倾斜台面的制备；P+层的制备；氧化层的制备；电极的制备。
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公开(公告)号：CN112117336A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011005272.2
申请日：2020-09-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L23/52 , H01L27/144 , H01L31/18 , B81B1/00 , B81C1/00
Abstract: 背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N+型4H‑SiC衬底、吸收层、本征层；所述本征层通过离子注入的方式形成有多个P+层，用于制备阵列的单个像素点；所述P+层上设有P型金属电极；光从背面的N+型4H‑SiC衬底进行照射，所述N+型4H‑SiC衬底上对应P+层的位置刻蚀有贯穿N+型4H‑SiC衬底的微孔以形成有源区；所述N型金属电极设于N+型4H‑SiC衬底上未开设微孔的位置。一方面从背面刻蚀微孔增加紫外光的吸收，另一方面正面的P型金属电极和背面的N型金属电极恰好可以阻挡可见光的透过，使得硅读出电路不会对可见光产生响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108400197B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810402996.7
申请日：2018-04-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 具有球冠结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备方法，紫外光电探测器采用p‑i‑n结构，在高掺杂偏轴4°的双抛N+型4H‑SiC衬底上，依次生长N型缓冲层和i型吸收层，在i型吸收层形成弧形倾斜台面，形成球冠状i型吸收层表面；注入和高温退火激活工艺在球冠状i型吸收层上表面形成P+型层；然后通过热氧化方法在P+型层的表面生长二氧化硅钝化层；通过光刻工艺、ICP刻蚀工艺和剥离工艺在P+型层的二氧化硅钝化层上刻蚀出P型环状电极窗口并采用磁控溅射工艺形成P型电极；刻蚀背面高掺杂偏轴4°的双抛N+型4H‑SiC衬底，并采用磁控溅射工艺形成N型电极，从而制成具有球冠结构的4H‑SiC紫外光电探测器。
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公开(公告)号：CN108231953A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711482215.1
申请日：2017-12-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 一种MSM结构4H‑SiC紫外光电探测器的制备方法，涉及紫外光电探测器的制备。在n型4H‑SiC衬底外延生长一层半绝缘层后，将材料样品切割成矩形条状样品，采用标准RCA程序清洗表面，进而采用电热分解生长方法，通过环境条件、温度及生长时间控制，使用DC直流电源通电于矩形条状样品两端，直接在4H‑SiC外延层的Si面热生长多层石墨烯薄膜，优化生长技术条件，通过光刻图形化，结合ICP刻蚀，在器件表面制备出MSM结构用的叉指电极；溅射沉积组合金属焊盘，再在样品表面通过等离子体增强化学气相沉积法覆盖生长一层致密的SiO2作为钝化层；用光刻与刻蚀工艺，去除圆形焊盘区域上的SiO2，即得。
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公开(公告)号：CN101820016A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010150438.X
申请日：2010-04-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C14/35
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种二氧化钛紫外光电探测器的制备方法，涉及一种半导体光电探测器件。提供一种器件暗电流较小的二氧化钛紫外光电探测器及其制备方法。探测器采用金属-半导体-金属结构，从下到上包括一层绝缘衬底，利用磁控溅射技术在绝缘衬底上沉积的多晶TiO2薄膜，用磁控溅射或电子束蒸发技术在TiO2薄膜上制备的叉指金属电极。采用优化溅射工艺参数沉积高质量多晶TiO2薄膜，沉积的薄膜具有理想的化学配比，高的致密度和结晶度。利用该薄膜为基体制备的MSM结构紫外探测器具有响应度高，暗电流小，紫外可见抑制比高等优点。制备过程简单，成本低，若在Si基衬底上制作，则可与成熟的Si工艺兼容，有利于光电集成，容易产业化。
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公开(公告)号：CN100533678C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200610135226.8
申请日：2006-11-09
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法，涉及一种碳化硅表面刻蚀，尤其是涉及一种采用感应耦合等离子体技术实现碳化硅材料刻蚀过程中一种减少ICP刻蚀SiC表面损伤的新方法。提供一种新的减少ICP刻蚀SiC表面损伤的方法。其步骤为在SiC表面上涂敷光刻胶，经曝光、显影、腐蚀形成光刻掩膜层；在保留有光刻胶图形的SiC样品表面溅射沉积金属膜层，去除光刻胶掩膜层及其上的金属层，保留与SiC表面紧密接触的金属图形；将保留金属图形的SiC材料置于感应耦合等离子体刻蚀系统中进行第一次ICP刻蚀，实现SiC材料的图形化；再取出SiC材料，氮气吹洗，将SiC材料置于ICP刻蚀系统中，进行第二次ICP刻蚀。
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公开(公告)号：CN100514680C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710008793.1
申请日：2007-04-04
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器及其制备方法，涉及一种紫外光电探测器。提供一种可独立控制倍增区厚度和面电荷浓度以及吸收区长度，消除雪崩器件中量子效率与响应时间的相互制约，优化器件性能的δ掺杂4H-SiC雪崩紫外光电探测器与制备方法。呈台面结构，设有n+型4H-SiC衬底，在衬底上从下至上依次外延生长n+型缓冲层、超低掺杂n-型层、δ掺杂n型层、低掺杂n-型层和高掺杂p+型层，超低掺杂n-型层、δ掺杂n型层和低掺杂n-型层共同构成有源层；设有3个台面，其中最下面的台面用于器件隔离并位于n+型缓冲层，其它台面全部位于器件有源层上；器件表面设有致密的氧化硅钝化膜，设p型和n型电极。
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