公开(公告)号：CN119384091A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411486246.4

申请日：2024-10-23

Applicant: 厦门大学 ,  厦门大学九江研究院

Inventor： 张峰 ,  刘佳 ,  洪荣墩 ,  张锐军 ,  李梓聪 ,  沈祖俊

IPC: H10F77/14 ,  H10F30/225 ,  H10F71/00

Abstract: 一种开窗式电荷层分离的SACM结构碳化硅紫外雪崩光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。探测器自下而上设有碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、碳化硅低掺杂n‑层，n‑层中设小面积均匀分布的分离式碳化硅n型电荷层，n型电荷层上为碳化硅低掺杂n‑型倍增层，n‑型倍增层上对应分离式n型电荷层处设开窗式碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层开窗处设二氧化硅钝化隔离层，p+型欧姆接触层上表面设p+型欧姆接触电极，n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极。通过多个小面积SACM结构和i‑n结构组成，电场相互连接耦合，加速光生载流子至倍增层产生雪崩击穿，实现微弱紫外信号探测。

公开(公告)号：CN118867014A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410838206.5

申请日：2024-06-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  田自谦 ,  付钊 ,  李子豪 ,  张锐军 ,  刘佳

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/11 ,  H01L31/18

Abstract: 一种具有双层基区结构的碳化硅光电晶体管及其制备方法，涉及紫外光电探测器。具有双层基区结构的碳化硅光电晶体管为npn垂直结构，包括从下到上依次设置的发射极电极、N+型4H‑SiC衬底、N+型发射区、P+型基区、P‑型基区、N‑型集电区、N+型集电极欧姆接触层和集电极电极。在N+型集电极欧姆接触层上表面设有供紫外光透过的光学窗口。上述探测器可避免传统碳化硅光电晶体管探测器由于基区过窄导致暗电流过高的问题，提高了光电晶体管对光电流的增益，获得更高的器件响应度并改善器件频率响应特性。

公开(公告)号：CN116314421A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310205135.0

申请日：2023-03-06

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  厦门大学

Inventor： 刘庚 ,  姚亮 ,  刘颖 ,  洪荣墩 ,  付钊 ,  张锐军 ,  刘佳

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

Abstract: 一种双p层碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备方法，涉及紫外光电探测器。探测器自下而上设碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层、圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层、圆柱状碳化硅低掺杂p‑型吸收层、钝化隔离介电层、钝化隔离层；整个器件具有纵向和横向两个p‑i‑n结构，两个p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合，在纵向p‑i‑n内产生的光生载流子被电场加速漂移至横纵向结合p‑i‑n结构中的p+型欧姆接触层中。在n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极，p+型欧姆接触层上表面设p+型欧姆接触电极，避免光生载流子复合问题，提高收集光生载流子效率，获得更高器件响应度。

公开(公告)号：CN116314421B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202310205135.0

申请日：2023-03-06

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  厦门大学

Inventor： 刘庚 ,  姚亮 ,  刘颖 ,  洪荣墩 ,  付钊 ,  张锐军 ,  刘佳

IPC: H10F30/223 ,  H10F77/14 ,  H10F77/1226 ,  H10F71/00

Abstract: 一种双p层碳化硅p‑i‑n紫外光电探测器及制备方法，涉及紫外光电探测器。探测器自下而上设碳化硅高掺杂n+型衬底、碳化硅n型缓冲层、圆柱状碳化硅低掺杂n‑型吸收层、圆柱管状碳化硅高掺杂p+型欧姆接触层、圆柱状碳化硅低掺杂p‑型吸收层、钝化隔离介电层、钝化隔离层；整个器件具有纵向和横向两个p‑i‑n结构，两个p‑i‑n结构的耗尽层电场相互连接和耦合，在纵向p‑i‑n内产生的光生载流子被电场加速漂移至横纵向结合p‑i‑n结构中的p+型欧姆接触层中。在n+型衬底的背面设n+型欧姆接触电极，p+型欧姆接触层上表面设p+型欧姆接触电极，避免光生载流子复合问题，提高收集光生载流子效率，获得更高器件响应度。

公开(公告)号：CN119275092A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411405943.2

申请日：2024-10-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  张锐军 ,  洪荣墩 ,  邱宇峰 ,  张荣

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  C30B33/02 ,  C30B33/00

Abstract: 一种提高SiC外延少数载流子寿命的方法，涉及半导体材料领域。S1、SiC衬底标准清洗后外延生长一层厚10μm以上的外延层；S2、再次标准清洗，在O2气氛下对4H‑SiC外延片高温氧化，在SiC表面形成SiO2氧化层和部分间隙碳原子和碳团簇，NO高温钝化退火；S3、对高温氧化和表面钝化处理的SiC外延片，利用BOE溶液去除其表面氧化层，再次标准清洗；S4、SiC外延片放入高温退火装置，升高温度，降低炉腔压强，在H2气氛下对SiC外延片低压氢气退火；S5、重复S2～S4。高温氧化和低压氢气退火相结合，降低高温氧化所需时间，得到更高少子寿命的外延片，且对N、P型SiC的少数载流子寿命均能有效提高。

公开(公告)号：CN111463308B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202010400369.7

申请日：2020-05-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪荣墩 ,  张锐军 ,  吴正云 ,  张峰 ,  蔡加法 ,  付钊 ,  林鼎渠

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

Abstract: 一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p‑i‑n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO2钝化层；n+型衬底的背面设有n+型电极，p+型欧姆接触层侧上表面设有p+型电极。可获得更好的器件响应度，提高收集光生载流子的效率。

公开(公告)号：CN111463308A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010400369.7

申请日：2020-05-13

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪荣墩 ,  张锐军 ,  吴正云 ,  张峰 ,  蔡加法 ,  付钊 ,  林鼎渠

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

Abstract: 一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p-i-n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO2钝化层；n+型衬底的背面设有n+型电极，p+型欧姆接触层侧上表面设有p+型电极。可获得更好的器件响应度，提高收集光生载流子的效率。