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公开(公告)号：CN115445247A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211290795.5
申请日：2022-10-21
IPC: B01D17/022
Abstract: 一种可装载石墨烯气凝胶油水分离装置，其特征在于涉及油水分离装置。设有外套筒、内套筒、上滤板、下滤板、压杆、弹簧、压板、石墨烯气凝胶、挂扣；所述内套筒设有外套筒内，外套筒不区分上下，内套筒上部为进水口，内套筒下部为出水口；在进水口方向，上滤板与内套筒的顶部相连；压杆的杆体底部设有压板，上滤板上设有可供压杆的杆体穿过的孔；弹簧套设在压杆的杆体上；内套筒顶部外沿设有L形挂扣，L形挂扣用于将内套筒固定在外套筒上；下滤板与内套筒的底部连接；石墨烯气凝胶放置于下滤板上方与压板下的中间。利用当前吸油能力最强的石墨烯气凝胶对油污进行吸附回收，操作简便。适于在管道等封闭场景下进行使用，可循环，低成本。
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公开(公告)号：CN115558241B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211265242.4
申请日：2022-10-17
Abstract: 一种高导热碳纤维织物复合材料及其制备方法，按质量比计包括以下原料：碳纤维织物35％～60％，聚合物基体10％～45％，导热短切碳纤维5％～35％，固化剂5％～40％，成膜剂5％～15％。本发明通过机械搅拌，使导热短切碳纤维均匀、稳定分散于聚乙烯醇溶液中。导热短切碳纤维溶液置于磁场下，由于朗道抗磁性，使其在磁场中旋转，由高能态向低能态转换，直至导热短切碳纤维轴平行于外加磁场方向，能量达到最低态，实现导热短切碳纤维在聚乙烯醇溶液定向排列；真空抽滤使导热短切碳纤维垂直植入碳纤维织物中，充分利用导热短切碳纤维轴向高热导率特性，通过植入垂直定向排列导热短切碳纤维，提升碳纤维织物复合材料厚度方向导热性能。
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公开(公告)号：CN115558241A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202211265242.4
申请日：2022-10-17
Abstract: 一种高导热碳纤维织物复合材料及其制备方法，按质量比计包括以下原料：碳纤维织物35％～60％，聚合物基体10％～45％，导热短切碳纤维5％～35％，固化剂5％～40％，成膜剂5％～15％。本发明通过机械搅拌，使导热短切碳纤维均匀、稳定分散于聚乙烯醇溶液中。导热短切碳纤维溶液置于磁场下，由于朗道抗磁性，使其在磁场中旋转，由高能态向低能态转换，直至导热短切碳纤维轴平行于外加磁场方向，能量达到最低态，实现导热短切碳纤维在聚乙烯醇溶液定向排列；真空抽滤使导热短切碳纤维垂直植入碳纤维织物中，充分利用导热短切碳纤维轴向高热导率特性，通过植入垂直定向排列导热短切碳纤维，提升碳纤维织物复合材料厚度方向导热性能。
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公开(公告)号：CN112117336A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011005272.2
申请日：2020-09-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L23/52 , H01L27/144 , H01L31/18 , B81B1/00 , B81C1/00
Abstract: 背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N+型4H‑SiC衬底、吸收层、本征层；所述本征层通过离子注入的方式形成有多个P+层，用于制备阵列的单个像素点；所述P+层上设有P型金属电极；光从背面的N+型4H‑SiC衬底进行照射，所述N+型4H‑SiC衬底上对应P+层的位置刻蚀有贯穿N+型4H‑SiC衬底的微孔以形成有源区；所述N型金属电极设于N+型4H‑SiC衬底上未开设微孔的位置。一方面从背面刻蚀微孔增加紫外光的吸收，另一方面正面的P型金属电极和背面的N型金属电极恰好可以阻挡可见光的透过，使得硅读出电路不会对可见光产生响应。
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公开(公告)号：CN112117337B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202011012078.7
申请日：2020-09-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L31/18 , B81B1/00 , B81C1/00
Abstract: 具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P+层、吸收层和P层环形电极，还包括设于P层环形电极的内周的微孔，其从P+层刻蚀到达吸收层的上表面，微孔的壁面设有钝化层。当紫外光入射到探测器芯片上时，一部分被P+层吸收或者反射；另一部分被吸收层吸收并产生电子‑空穴对，在耗尽区内建电场的驱动下分离，并运动到探测器两端的电极，最后搭载外部负载电路形成电信号，通过检测电信号的大小，就可以判定紫外线强度的大小。微孔结构可减少P+层对紫外光的吸收，使得微孔处，光直接被吸收层吸收，提高探测器的响应度和量子效率，显著增加紫外光电探测器的实用性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113600160A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110897897.2
申请日：2021-08-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 具有光催化功能的TiO2纳米线/石墨烯气凝胶的制备，涉及空气净化领域的光催化材料。将TiO2纳米线与氧化石墨烯水分散液混合，得混合分散液；再加入氢氧化钠固体并搅拌，调节pH值至11，加入烷基糖苷与硼酸钠，搅拌发泡后置于鼓风烘箱中反应，调节温度；得到的固体冷冻，然后再解冻，至完全解冻后，使用1％的水醇溶液进行透析；再次进行冷冻，置于鼓风烘箱中进行干燥，退火；退火得到的固体在氩气保护下进行热处理反应，即得TiO2纳米线/石墨烯气凝胶。以石墨烯气凝胶作为载体，利用GA自身高比表面积可以对粘性流体进行不同程度的吸附。低成本成本、可满足不同的使用需求、可大批量生产、重复性好。可以用于光催化甲醛降解。
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公开(公告)号：CN111463308B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010400369.7
申请日：2020-05-13
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p‑i‑n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO2钝化层；n+型衬底的背面设有n+型电极，p+型欧姆接触层侧上表面设有p+型电极。可获得更好的器件响应度，提高收集光生载流子的效率。
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公开(公告)号：CN111463308A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010400369.7
申请日：2020-05-13
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0312 , H01L31/18
Abstract: 一种碳化硅同轴紫外光电探测器及其制备方法，涉及紫外光电探测器。碳化硅同轴紫外光电探测器设有高掺杂浓度的碳化硅n+型衬底，在n+型衬底的硅面上设同质的n型缓冲层，在n型缓冲层的中心向上设圆柱状碳化硅n型层，以n型层的轴心为中心往外依次设圆柱管状碳化硅低掺i型吸收层和圆柱管状碳化硅p+型欧姆接触层，p+型欧姆接触层全部设在i型吸收层侧上部分且不与n+型衬底接触，整个器件在水平方向上从外往内形成p-i-n结构，在p+型欧姆接触层、i型吸收层和n型层表面设有SiO2钝化层；n+型衬底的背面设有n+型电极，p+型欧姆接触层侧上表面设有p+型电极。可获得更好的器件响应度，提高收集光生载流子的效率。
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公开(公告)号：CN105304748B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510639610.0
申请日：2015-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352
Abstract: 双工作模式的4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器件。探测器设有N+型4H‑SiC衬底，在N+型4H‑SiC衬底上依次设有第一N‑型外延吸收层和第二N型外延倍增层；从第二N型外延倍增层至第一N‑型外延吸收层表面刻蚀一高度；在第二N型外延倍增层和第一N‑型外延吸收层表面形成P+型欧姆接触层，形成P+N和P+N‑两个PN结；在P+型欧姆接触层的表面生长二氧化硅钝化层；在钝化层上设P型电极窗口，在P型电极窗口和N+型4H‑SiC衬底背面分别溅射P电极和N电极。制备方法：对生长好的外延片进行RCA标准清洗；倾斜台面的制备；P+层的制备；氧化层的制备；电极的制备。
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公开(公告)号：CN112117336B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011005272.2
申请日：2020-09-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L23/52 , H01L27/144 , H01L31/18 , B81B1/00 , B81C1/00
Abstract: 背照式结构的4H‑SiC紫外光电探测器阵列及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括从下到上设置的N型金属电极、N+型4H‑SiC衬底、吸收层、本征层；所述本征层通过离子注入的方式形成有多个P+层，用于制备阵列的单个像素点；所述P+层上设有P型金属电极；光从背面的N+型4H‑SiC衬底进行照射，所述N+型4H‑SiC衬底上对应P+层的位置刻蚀有贯穿N+型4H‑SiC衬底的微孔以形成有源区；所述N型金属电极设于N+型4H‑SiC衬底上未开设微孔的位置。一方面从背面刻蚀微孔增加紫外光的吸收，另一方面正面的P型金属电极和背面的N型金属电极恰好可以阻挡可见光的透过，使得硅读出电路不会对可见光产生响应。
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