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公开(公告)号：CN116779737A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310506811.8
申请日：2023-05-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司 , 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过在发光台面设置第一透明导电层、电流阻挡层以及第二透明导电层；其中，所述第一透明导电层设置于所述发光台面的表面，且所述第一透明导电层具有裸露所述第二型半导体层表面的第一通孔；所述电流阻挡层通过嵌入所述第一通孔的方式形成于所述第一透明导电层的表面；所述第二透明导电层层叠于所述电流阻挡层表面，并延伸至所述发光台面与所述第一透明导电层形成接触，且所述第二透明导电层具有裸露所述电流阻挡层表面的第二通孔。从而，当电流由金属电极传导至第一透明导电层后，电流绕过电流阻挡层，向第一透明导电层横向扩展，使得电流阻挡层下方的发光区得以利用，从而提升芯片亮度。
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公开(公告)号：CN115148871A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210953631.X
申请日：2022-08-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过在有源层的表面依次设有空穴存储层、电子阻挡层以及空穴注入层，所述空穴存储层用于提高P型区域的空穴浓度，所述电子阻挡层用于阻挡电子在所述空穴存储层表面的纵向传输，所述空穴注入层用于提供空穴；且所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度，且所述空穴注入层的禁带宽度不小于所述空穴存储层的禁带宽度。从而，通过所述电子阻挡层提高导带势垒高度，从而减少电子溢流；并配合空穴存储层，在避免电子与空穴在非有源层区域进行复合发光的同时，通过空穴存储层的P型掺杂提供更多的空穴，进一步增加空穴在靠近有源层区域的储存及迁移，从而提高LED发光效率。
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公开(公告)号：CN220189681U
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202321075463.5
申请日：2023-05-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司 , 厦门大学
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过在发光台面设置第一透明导电层、电流阻挡层以及第二透明导电层；其中，所述第一透明导电层设置于所述发光台面的表面，且所述第一透明导电层具有裸露所述第二型半导体层表面的第一通孔；所述电流阻挡层通过嵌入所述第一通孔的方式形成于所述第一透明导电层的表面；所述第二透明导电层层叠于所述电流阻挡层表面，并延伸至所述发光台面与所述第一透明导电层形成接触，且所述第二透明导电层具有裸露所述电流阻挡层表面的第二通孔。从而，当电流由金属电极传导至第一透明导电层后，电流绕过电流阻挡层，向第一透明导电层横向扩展，使得电流阻挡层下方的发光区得以利用，从而提升芯片亮度。
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公开(公告)号：CN217933825U
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202222092562.6
申请日：2022-08-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构、LED芯片，通过在有源层的表面依次设有空穴存储层、电子阻挡层以及空穴注入层，所述空穴存储层用于提高P型区域的空穴浓度，所述电子阻挡层用于阻挡电子在所述空穴存储层表面的纵向传输，所述空穴注入层用于提供空穴；且所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度，且所述空穴注入层的禁带宽度不小于所述空穴存储层的禁带宽度。从而，通过所述电子阻挡层提高导带势垒高度，从而减少电子溢流；并配合空穴存储层，在避免电子与空穴在非有源层区域进行复合发光的同时，通过空穴存储层的P型掺杂提供更多的空穴，进一步增加空穴在靠近有源层区域的储存及迁移，从而提高LED发光效率。
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