一种碳化硅MOSFET开通延时计算方法及其应用

    公开(公告)号:CN114548013B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202210254942.7

    申请日:2022-03-15

    Abstract: 一种碳化硅MOSFET开通延时计算方法,包括碳化硅MOSFET开关暂态分析等效电路,包括:ugs达到阈值电压Vth前,列写驱动回路KVL方程和KCL方程;按照IEC标准,当ugs大小为10%的驱动正压VGH时,时间t的值为开通延时的起点ta;ugs达到阈值电压Vth后,列写驱动回路KCL方程、KVL方程,将id与ugs建模为线性关系,得到此阶段ugs表达式;利用饱和电流表达式修正id,求导得到电流变化率,根据主功率回路KVL方程,求得uds的表达式;按照IEC标准,当uds达到到90%的负载电压VDD时,时间t的值为开通延时的终点tb;求得tb与ta之间的差值,即为开通延时td(on)。

    一种光伏及充电设施接入的配电网重过载分析与调控方法

    公开(公告)号:CN115967095A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202211656392.8

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 本发明公开了一种光伏及充电设施接入的配电网重过载分析与调控方法,其涉及过载分析优化技术领域,旨在解决光伏电源接入的带来了不稳定性,给电网安全运行带来负担,使得电网原有的配变设备所承受的负荷日趋严重的问题,其技术方案要点是其步骤如下S1:重过载类型,确认重过载符合类型;S2:线路负载率计算,计算线路负载率k,比较k、k0以及1的关系,并将分析结果分类;S3:信息处理并配置解决方案,收集整理配电网的负载情况并记录重过载的负载类型,降低重过载所带来的影响。达到了分类应急、过载优化处理和降低过载影响的效果。

    一种半导体器件的封装结构、半导体器件模块

    公开(公告)号:CN115621226A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202211405483.4

    申请日:2022-11-10

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件的封装结构、半导体器件模块,半导体器件的封装结构用于安装芯片,包括:电极组件,电极组件与芯片的第一电极电性连接;电极组件包括:第一电极部件、弹簧、弹性连接件、第二电极部件和传热组件,弹簧的两端分别与第一电极部件和第二电极部件连接;第一电极部件与第二电极部件通过弹性连接件电性连接;传热组件包括第一传热端和第二传热端,第一传热端和第一电极部件固定连接,第二传热端和第二电极部件活动连接;或,第一传热端和第一电极部件活动连接,第二传热端和第二电极部件固定连接。上述的半导体器件的封装结构既能满足高度补偿,同时可以提升半导体器件的散热能力。

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