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公开(公告)号：CN114927428A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210568697.7
申请日：2022-05-24
Abstract: 本发明涉及一种高致密硅凝胶灌封方法，属于弹性压接型功率器件领域，通过逐层灌封与分阶段脱气相结合的方法，减小每层要脱气的硅凝胶厚度，降低狭小缝隙处硅凝胶的压强，使气泡更容易膨大，进而使其容易脱离缝隙，减少器件封装用硅凝胶中残存气泡，提高封装材料的绝缘能力，进而提升器件的整体耐压能力。
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公开(公告)号：CN117825781A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410018645.1
申请日：2024-01-05
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明提供了一种传输线阻抗匹配的Rogowski电流传感器，属于电流测量领域，电流传感器包括Rogowski线圈、无源积分器、传输线驱动器、同轴传输线、驱动器电源连接线、阻抗匹配电阻及有源积分器；Rogowski线圈与无源积分器的输入端口连接，无源积分器的输出端口与传输线驱动器的输入端口连接，传输线驱动器的输出端口与同轴传输线连接，传输线驱动器的电源端与驱动器电源连接线连接；同轴传输线与有源积分器的信号输入端口连接；驱动器电源连接线与有源积分器的电源网络连接；阻抗匹配电阻并联连接于有源积分器的信号输入端口。本发明能够准确测量高频率的电流。
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公开(公告)号：CN117406052A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311323680.6
申请日：2023-10-13
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种IGBT器件内部结温获取方法、计算系统、存储介质及装置，属于功率半导体技术领域，该方法包括：获取I GBT模块确定I GBT芯片开启电压随温度变化的系数kV、I GBT芯片导通电阻随温度变化的系数kR；获取基准温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I；获取待测温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I’；根据kV、kR、I、I'计算得到待测温度下I GBT模块内部个芯片的温度分布情况。该方法通过获取I GBT模块的电流分布情况来获取I GBT模块内部各芯片的结温情况，可操作性强，能够降低I GBT模块各芯片的获取难度，能够解决实际测量I GBT模块各芯片结温较为困难的现状。
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公开(公告)号：CN116995045A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311022874.2
申请日：2023-08-15
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及阀串结构，属于功率半导体技术领域，该功率半导体器件包括主体，所述主体内设有芯片单元，所述主体内设有油腔，所述芯片单元位于所述油腔中。该功率半导体器件可以通过油腔中填充绝缘油来有效减小器件的体积和寄生参数，同时提升器件的散热效率和对短时电流过冲的耐受能力，并且能够提升模块的绝缘能力，减少器件内部芯片的局部放电和沿面放电。
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公开(公告)号：CN113281623A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110525921.X
申请日：2021-05-14
Abstract: 本发明涉及了一种硅凝胶灌封腔体，所述硅凝胶灌封腔体包括：绝缘腔体、钨针和低压端金属电极；所述低压端金属电极设置在所述绝缘腔体的底端；所述钨针设置在所述绝缘腔体的内壁上；在进行测试时，待测聚酰亚胺片放置在低压端金属电极上表面；向所述绝缘腔体内灌注硅凝胶液体，待硅凝胶液体固化后，所述钨针输入正极性重复方波，所述低压端金属电极连接低电位。绝缘腔体可以保证重复性方波作用下放电只发生在硅凝胶—聚酰亚胺界面，不会在腔体上发生放电，而且本发明设置了钨针，以为沿面放电界面构建极不均匀电场，本发明提供了一种能够进行正极性重复方波作用下的硅凝胶—聚酰亚胺界面沿面放电特性的测试装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113433437B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110719763.1
申请日：2021-06-28
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明涉及一种提取放电电流脉冲的方法及系统，获取沿面放电实验中不同采样时刻的沿面放电电流，沿面放电电流包括放电电流脉冲、极化电流和去极化电流，根据光电流峰值时刻获取沿面放电电流峰值的采样时刻，将沿面放电电流峰值时刻对应的沿面放电电流设置为空，构成缺省沿面放电电流序列，对缺省沿面放电电流序列进行三次样条插值拟合，获得拟合沿面放电电流序列，拟合沿面放电电流序列中的拟合沿面放电电流只包含极化电流和去极化电流，因此将沿面放电电流序列减去拟合沿面放电电流序列后的电流即为放电电流脉冲，实现了在重合于极化电流和去极化电流中准确提取放电电流脉冲。
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公开(公告)号：CN113281623B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110525921.X
申请日：2021-05-14
Abstract: 本发明涉及了一种硅凝胶灌封腔体，所述硅凝胶灌封腔体包括：绝缘腔体、钨针和低压端金属电极；所述低压端金属电极设置在所述绝缘腔体的底端；所述钨针设置在所述绝缘腔体的内壁上；在进行测试时，待测聚酰亚胺片放置在低压端金属电极上表面；向所述绝缘腔体内灌注硅凝胶液体，待硅凝胶液体固化后，所述钨针输入正极性重复方波，所述低压端金属电极连接低电位。绝缘腔体可以保证重复性方波作用下放电只发生在硅凝胶—聚酰亚胺界面，不会在腔体上发生放电，而且本发明设置了钨针，以为沿面放电界面构建极不均匀电场，本发明提供了一种能够进行正极性重复方波作用下的硅凝胶—聚酰亚胺界面沿面放电特性的测试装置。
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公开(公告)号：CN113433437A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110719763.1
申请日：2021-06-28
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明涉及一种提取放电电流脉冲的方法及系统，获取沿面放电实验中不同采样时刻的沿面放电电流，沿面放电电流包括放电电流脉冲、极化电流和去极化电流，根据光电流峰值时刻获取沿面放电电流峰值的采样时刻，将沿面放电电流峰值时刻对应的沿面放电电流设置为空，构成缺省沿面放电电流序列，对缺省沿面放电电流序列进行三次样条插值拟合，获得拟合沿面放电电流序列，拟合沿面放电电流序列中的拟合沿面放电电流只包含极化电流和去极化电流，因此将沿面放电电流序列减去拟合沿面放电电流序列后的电流即为放电电流脉冲，实现了在重合于极化电流和去极化电流中准确提取放电电流脉冲。
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公开(公告)号：CN117316357A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311408223.7
申请日：2023-10-27
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 一种复合互连材料设计方法，包括如下步骤：对互连层进行热力学仿真；判断互连材料特性；结合实际互连材料特性情况，不同区域应用相应热膨胀系数的材料，然后对新的互连层进行热力学仿真，得到更换区域材料之后的应力分布，与更换区域材料前应力进行对比，观察互连层内部应力是否减小至所需范围；互连层内部应力未减小至所需范围，则结合实际调整材料参数重新进行仿真计算；若互连层质量满足需求，复合互连材料设计完成。本发明提高了器件的使用寿命，为未来复合互连材料的设计提供了新思路，对于未来复合式的预成型焊片、焊膏、烧结材料等的设计制作提供了依据。
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公开(公告)号：CN119050091B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411509883.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种多界面互连构件及具有其的功率模块，多界面互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；第一界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第一界面互连段的下表面为第一互连面；第二界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第二界面互连段的下表面为第二互连面；其中，主体段的下表面、第一界面互连段的下表面以及第二界面互连段的下表面中的至少一个设置有浸润槽。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块内利用率低的问题。
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