公开(公告)号：CN102187281A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141048.1

申请日：2009-10-15

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： 沃尔夫冈·辛格 ,  关彦彬 ,  斯蒂芬-沃尔夫冈·施米特 ,  德克·H·埃姆 ,  迪特尔·克劳斯 ,  斯蒂芬·威斯纳 ,  斯蒂芬·凯勒 ,  阿尔穆特·查普 ,  钟显耀

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F7/70925 ,  G03F1/82 ,  G03F1/86 ,  G03F7/70733 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70866

Abstract: 本发明涉及一种EUV光刻装置，包括：照明单元，用于照明所述EUV光刻装置中的照明位置处的掩模；以及投射单元，用于将设置在所述掩模上的结构投射到光敏基底上。所述EUV光刻装置具有处理单元(15)，用于在所述EUV光刻装置中的处理位置处，优选以局部分辨的方式，处理光学元件(6a)，尤其是掩模。为了激活所述气体流(27)的至少一个气体成分，所述处理单元(15)包括用于产生辐射的辐射源、用于产生粒子流(尤其是电子束)的粒子产生器(30)、和/或高频产生器。

公开(公告)号：CN102187281B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN200980141048.1

申请日：2009-10-15

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： 沃尔夫冈·辛格 ,  关彦彬 ,  斯蒂芬-沃尔夫冈·施米特 ,  德克·H·埃姆 ,  迪特尔·克劳斯 ,  斯蒂芬·威斯纳 ,  斯蒂芬·凯勒 ,  阿尔穆特·查普 ,  钟显耀

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/86

CPC classification number: G03F7/70925 ,  G03F1/82 ,  G03F1/86 ,  G03F7/70733 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70866

Abstract: 本发明涉及一种EUV光刻装置，包括：照明单元，用于照明所述EUV光刻装置中的照明位置处的掩模；以及投射单元，用于将设置在所述掩模上的结构投射到光敏基底上。所述EUV光刻装置具有处理单元(15)，用于在所述EUV光刻装置中的处理位置处，优选以局部分辨的方式，处理光学元件(6a)，尤其是掩模。为了激活所述气体流(27)的至少一个气体成分，所述处理单元(15)包括用于产生辐射的辐射源、用于产生粒子流(尤其是电子束)的粒子产生器(30)、和/或高频产生器。

公开(公告)号：CN102124411B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN200980119381.2

申请日：2009-03-30

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： 汉斯-于尔根·曼 ,  沃尔夫冈·辛格

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F9/7026 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70666

Abstract: 本发明涉及一种用于微光刻投射照明的设备(10)。所述设备包括：光学系统(18)，用于通过利用成像辐射(13)投射掩模结构(16)而将所述掩模结构(16)成像到基底(20)的表面(21)上，其中所述光学系统(18)被配置为在EUV和/或更高频率的波长范围中操作；以及测量光束路径(36)，用于引导测量辐射(34)，其中所述测量光束路径(36)在所述光学系统(18)内延伸，使得在所述设备(10)的操作期间，所述光学系统(18)仅部分地被所述测量辐射(34)辐射。

公开(公告)号：CN101578542B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200780048810.2

申请日：2007-12-13

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： 拉尔夫·米勒 ,  阿克塞尔·戈纳迈耶 ,  沃尔夫冈·辛格

IPC: G02B17/08 ,  G03F7/20

CPC classification number: G02B17/08 ,  G02B27/286 ,  G03F7/70225 ,  G03F7/70566

Abstract: 一种折反射投射物镜具有沿光轴布置以将投射物镜物面中的图案成像到投射物镜的像面上的多个光学元件。所述光学元件包括：凹面镜；绕第一倾斜轴相对光轴倾斜第一倾斜角t1的第一偏转镜，用于将来自物面的光朝向凹面镜偏转或将来自凹面镜的光朝向像面偏转；及绕第二倾斜轴相对光轴倾斜第二倾斜角t2的第二偏转镜。第一偏转镜有第一反射涂层，当光以第一入射角范围(t1-Δα1)≤α1≤(t1+Δα1)中的第一入射角α1入射到第一偏转镜上时，第一反射涂层对s偏振光具有反射率Rs1(α1)，对p偏振光具有反射率Rp1(α1)。第二偏转镜有第二反射涂层，当光以第二入射角范围(t2-Δα2)≤α2≤(t2+Δα2)中的第二入射角α2入射到第二偏转镜上时，第二反射涂层对s偏振光具有反射率Rs2(α2)，而对p偏振光具有反射率Rp2(α2)。两极边缘光线的s偏振光在第一和第二偏转镜上反射后累积的第一反射率总和RsPE基本上等于赤道边缘光线的p偏振光在第一和第二偏转镜上反射后累积的第二反射率总和RpE。

公开(公告)号：CN102124411A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200980119381.2

申请日：2009-03-30

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： 汉斯-于尔根·曼 ,  沃尔夫冈·辛格

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F9/7026 ,  G03F7/70233 ,  G03F7/70666

Abstract: 本发明涉及一种用于微光刻投射照明的设备(10)。所述设备包括：光学系统(18)，用于通过利用成像辐射(13)投射掩模结构(16)而将所述掩模结构(16)成像到基底(20)的表面(21)上，其中所述光学系统(18)被配置为在EUV和/或更高频率的波长范围中操作；以及测量光束路径(36)，用于引导测量辐射(34)，其中所述测量光束路径(36)在所述光学系统(18)内延伸，使得在所述设备(10)的操作期间，所述光学系统(18)仅部分地被所述测量辐射(34)辐射。