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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102187281B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN200980141048.1
申请日：2009-10-15
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/70925 , G03F1/82 , G03F1/86 , G03F7/70733 , G03F7/7085 , G03F7/70866
Abstract: 本发明涉及一种EUV光刻装置，包括：照明单元，用于照明所述EUV光刻装置中的照明位置处的掩模；以及投射单元，用于将设置在所述掩模上的结构投射到光敏基底上。所述EUV光刻装置具有处理单元(15)，用于在所述EUV光刻装置中的处理位置处，优选以局部分辨的方式，处理光学元件(6a)，尤其是掩模。为了激活所述气体流(27)的至少一个气体成分，所述处理单元(15)包括用于产生辐射的辐射源、用于产生粒子流(尤其是电子束)的粒子产生器(30)、和/或高频产生器。
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公开(公告)号：CN102138105B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN200980133665.7
申请日：2009-07-03
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor： 迪特尔·克劳斯 , 德克·H·埃姆 , 斯蒂芬-沃尔夫冈·施米特
CPC classification number: G03F7/70916 , G03F7/7085 , G03F7/70983
Abstract: 本发明涉及一种EUV曝光设备(1)，包括：包围内部(15)的壳体(1a)，布置在所述内部(15)中的至少一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，真空产生单元(1b)，用于在所述内部(15)中产生残余气体环境，以及残余气体分析仪(18a、18b)，用于检测所述残余气体环境中的至少一种污染物质(17a)。所述残余气体分析仪(18a)具有用于储存所述污染物质(17a)的储存装置(21)。本发明还涉及用于通过EUV光刻设备(1)的残余气体环境的残余气体分析而检测至少一种污染物质的方法，所述EUV光刻设备(1)具有带有内部(15)的壳体(1a)，在所述内部(15)中，至少布置了一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，其中，所述污染物质(17a)被储存在储存装置(21)中，以便执行所述残余气体分析。
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公开(公告)号：CN102187281A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141048.1
申请日：2009-10-15
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
CPC classification number: G03F7/70925 , G03F1/82 , G03F1/86 , G03F7/70733 , G03F7/7085 , G03F7/70866
Abstract: 本发明涉及一种EUV光刻装置，包括：照明单元，用于照明所述EUV光刻装置中的照明位置处的掩模；以及投射单元，用于将设置在所述掩模上的结构投射到光敏基底上。所述EUV光刻装置具有处理单元(15)，用于在所述EUV光刻装置中的处理位置处，优选以局部分辨的方式，处理光学元件(6a)，尤其是掩模。为了激活所述气体流(27)的至少一个气体成分，所述处理单元(15)包括用于产生辐射的辐射源、用于产生粒子流(尤其是电子束)的粒子产生器(30)、和/或高频产生器。
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公开(公告)号：CN102144190A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200980134668.2
申请日：2009-08-01
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70933 , G03F7/70883 , G03F7/70916 , G03F7/70983
Abstract: 在EUV光刻设备(10)中，为了延长对污染敏感的构件的寿命，提议将它们布置在保护模块中。保护模块包括具有至少一个开口(37-47)的壳体(23-29)，至少一个构件(13a、13b、15、16、18、19)被布置于所述壳体中且设置一个或多个气体供应(30-36)，从而将气流引入该壳体(23-29)，该气流通过该至少一个开口(37-47)流出。为了有效防止污染物质渗入保护模块中，具有一个或多个波长的光源(48-56)被布置在至少一个开口(37-47)处，该光源照射所述开口(37-47)，通过该照射，污染物质在它们穿过开口(37-47)之前可被离解。
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公开(公告)号：CN102138105A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980133665.7
申请日：2009-07-03
Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
Inventor： 迪特尔·克劳斯 , 德克·H·埃姆 , 斯蒂芬-沃尔夫冈·施米特
CPC classification number: G03F7/70916 , G03F7/7085 , G03F7/70983
Abstract: 本发明涉及一种EUV曝光设备(1)，包括：包围内部(15)的壳体(1a)，布置在所述内部(15)中的至少一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，真空产生单元(1b)，用于在所述内部(15)中产生残余气体环境，以及残余气体分析仪(18a、18b)，用于检测所述残余气体环境中的至少一种污染物质(17a)。所述残余气体分析仪(18a)具有用于储存所述污染物质(17a)的储存装置(21)。本发明还涉及用于通过EUV光刻设备(1)的残余气体环境的残余气体分析而检测至少一种污染物质的方法，所述EUV光刻设备(1)具有带有内部(15)的壳体(1a)，在所述内部(15)中，至少布置了一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，其中，所述污染物质(17a)被储存在储存装置(21)中，以便执行所述残余气体分析。
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