公开(公告)号：CN102187281B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN200980141048.1

申请日：2009-10-15

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： 沃尔夫冈·辛格 ,  关彦彬 ,  斯蒂芬-沃尔夫冈·施米特 ,  德克·H·埃姆 ,  迪特尔·克劳斯 ,  斯蒂芬·威斯纳 ,  斯蒂芬·凯勒 ,  阿尔穆特·查普 ,  钟显耀

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/86

CPC classification number: G03F7/70925 ,  G03F1/82 ,  G03F1/86 ,  G03F7/70733 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70866

Abstract: 本发明涉及一种EUV光刻装置，包括：照明单元，用于照明所述EUV光刻装置中的照明位置处的掩模；以及投射单元，用于将设置在所述掩模上的结构投射到光敏基底上。所述EUV光刻装置具有处理单元(15)，用于在所述EUV光刻装置中的处理位置处，优选以局部分辨的方式，处理光学元件(6a)，尤其是掩模。为了激活所述气体流(27)的至少一个气体成分，所述处理单元(15)包括用于产生辐射的辐射源、用于产生粒子流(尤其是电子束)的粒子产生器(30)、和/或高频产生器。

公开(公告)号：CN102187281A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980141048.1

申请日：2009-10-15

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： 沃尔夫冈·辛格 ,  关彦彬 ,  斯蒂芬-沃尔夫冈·施米特 ,  德克·H·埃姆 ,  迪特尔·克劳斯 ,  斯蒂芬·威斯纳 ,  斯蒂芬·凯勒 ,  阿尔穆特·查普 ,  钟显耀

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F7/70925 ,  G03F1/82 ,  G03F1/86 ,  G03F7/70733 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70866

Abstract: 本发明涉及一种EUV光刻装置，包括：照明单元，用于照明所述EUV光刻装置中的照明位置处的掩模；以及投射单元，用于将设置在所述掩模上的结构投射到光敏基底上。所述EUV光刻装置具有处理单元(15)，用于在所述EUV光刻装置中的处理位置处，优选以局部分辨的方式，处理光学元件(6a)，尤其是掩模。为了激活所述气体流(27)的至少一个气体成分，所述处理单元(15)包括用于产生辐射的辐射源、用于产生粒子流(尤其是电子束)的粒子产生器(30)、和/或高频产生器。

公开(公告)号：CN102138105A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200980133665.7

申请日：2009-07-03

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： 迪特尔·克劳斯 ,  德克·H·埃姆 ,  斯蒂芬-沃尔夫冈·施米特

IPC: G03F7/20 ,  H01J49/00

CPC classification number: G03F7/70916 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70983

Abstract: 本发明涉及一种EUV曝光设备(1)，包括：包围内部(15)的壳体(1a)，布置在所述内部(15)中的至少一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，真空产生单元(1b)，用于在所述内部(15)中产生残余气体环境，以及残余气体分析仪(18a、18b)，用于检测所述残余气体环境中的至少一种污染物质(17a)。所述残余气体分析仪(18a)具有用于储存所述污染物质(17a)的储存装置(21)。本发明还涉及用于通过EUV光刻设备(1)的残余气体环境的残余气体分析而检测至少一种污染物质的方法，所述EUV光刻设备(1)具有带有内部(15)的壳体(1a)，在所述内部(15)中，至少布置了一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，其中，所述污染物质(17a)被储存在储存装置(21)中，以便执行所述残余气体分析。

公开(公告)号：CN102138105B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN200980133665.7

申请日：2009-07-03

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： 迪特尔·克劳斯 ,  德克·H·埃姆 ,  斯蒂芬-沃尔夫冈·施米特

IPC: G03F7/20 ,  H01J49/00

CPC classification number: G03F7/70916 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70983

Abstract: 本发明涉及一种EUV曝光设备(1)，包括：包围内部(15)的壳体(1a)，布置在所述内部(15)中的至少一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，真空产生单元(1b)，用于在所述内部(15)中产生残余气体环境，以及残余气体分析仪(18a、18b)，用于检测所述残余气体环境中的至少一种污染物质(17a)。所述残余气体分析仪(18a)具有用于储存所述污染物质(17a)的储存装置(21)。本发明还涉及用于通过EUV光刻设备(1)的残余气体环境的残余气体分析而检测至少一种污染物质的方法，所述EUV光刻设备(1)具有带有内部(15)的壳体(1a)，在所述内部(15)中，至少布置了一个反射光学元件(5、6、8、9、10、14.1至14.6)，其中，所述污染物质(17a)被储存在储存装置(21)中，以便执行所述残余气体分析。