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公开(公告)号：CN119519950A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411580209.X
申请日：2024-11-07
Applicant: 南京航空航天大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于多次可编程非易失性存储器的超低功耗物理不可克隆函数装置，包括两个相同的多次可编程存储阵列、传输门阵列和感测放大器阵列；利用制造工艺偏差导致的多次可编程存储单元编程后位线读电流的随机性分布来产生响应值。本发明设计的超低功耗的物理不可克隆函数结构，适用于含多次可编程存储器的资源受限的物联网边缘设备，功耗极低，安全性较高。
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公开(公告)号：CN118069094A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410270839.0
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京航空航天大学 , 无锡华润上华科技有限公司上海分公司
Abstract: 本发明提供了一种基于电压缩张的PUF近似计算电路、配置方法、时序判断方法，涉及硬件安全领域。该电路包括2N个全加器，2N个所述全加器分为两条并列的支路，每条支路上各自包含N个电性连接的全加器，前一级全加器的输出作为下一级全加器的输入；2N个所述全加器叠加形成2N位行波进位加法器，并在其输出端连接D触发器；在其中一条支路上，第i级的所述全加器FAi的两个加数的输入信号Ai和Bi来自于PUF的激励；Ci‑1来自于前一级的进位；第i级的所述全加器FAi的结果输出为Si，送往下一级全加器的进位为Ci；每条支路上的最后一级全加器FAN‑1的输出结果为SN‑1，送入所述D触发器。本发明在资源受限的设备中，利用现有的近似计算电路，通过降低工作电压，来放大由于制造过程中出现的随机性偏差。同时利用一个D触发器增加了PUF响应的均匀性和唯一性，减少电路面积，降低产生响应的能耗。
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公开(公告)号：CN115707237A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110908421.4
申请日：2021-08-09
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种多晶熔丝型非易失性存储器及其制作方法，该存储器包括多个存储器单元，存储器单元包括多晶硅熔丝，多晶硅熔丝包括依次相连的第一、第二及第三熔丝段，第一及第三熔丝段的材质均包括掺杂多晶硅，第二熔丝段的材质包括本征多晶硅。本发明利用离子注入对多晶的掺杂过程，产生了一个三明治的多晶区域，即低阻多晶区+本征多晶狭点+低阻多晶区的结构，此结构可有效控制存储器单元的编程位置，熔断位置具有确定性，位置可控，可有效改善存储器单元编程后的阻值分布。此结构还可有效改善存储器单元编程前后的数据稳定性，避免因断而复连导致数据丢失。此外，此结构上层区域利用导电覆盖层遮挡存储单元的数据存储部分，可提高数据保密性。
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公开(公告)号：CN115639397A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110814803.0
申请日：2021-07-19
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G01R19/25
Abstract: 本发明提供一种cell电流测试电路及其测试方法，所述电路包括：cell单元模块，用于选中cell单元；测试开关管，连接于所述cell单元模块的输出端和IO端口之间并受控于第一控制信号，用于在电流测试模式下导通；灵敏放大器，连接所述cell单元模块的输出端，用于在电流测试模式下，使输入至所述灵敏放大器的电流为0。通过本发明提供的cell电流测试电路及其测试方法，解决了现有无法准确测出cell电流的问题。
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公开(公告)号：CN114582398A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202011374365.2
申请日：2020-11-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器，包括第一/第二存储器阵列，还包括：比较读出电路，包括用于接收被读取的存储单元的电信号的第一端口，和用于接收基准电信号的第二端口，比较读出电路用于将被读取的存储单元的电信号与基准电信号进行比较，从而得到存储单元的存储信息；第一/第二列译码器，与第一/第二存储器阵列和比较读出电路连接，用于在存储器阵列选择信号使能第一/第二存储器阵列时选中被读取的存储单元对应的位线，将存储单元的电信号通过位线输出至第一端口；还用于在存储器阵列选择信号未使能第一/第二存储器阵列时，将第一/第二存储器阵列的第一位线接入第二端口。本发明能够降低半导体存储器读操作的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107785306A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610798346.X
申请日：2016-08-30
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种熔丝修调芯片的制造方法，该方法包括：获取多个能够代表待修调熔丝修调芯片的测试熔丝修调芯片；对各测试熔丝修调芯片分别施加一不同的修调电压，确定各测试熔丝修调芯片是否成功修调，获取能成功修调的最低修调电压；基于待修调熔丝修调芯片的标称修调电压与所述最低修调电压，获取所述待修调熔丝修调芯片的电阻的最大波动范围；进行工艺控制监控使待修调熔丝修调芯片的电阻的实际波动范围处于所述最大波动范围之内。本发明提供的方法能够计算待修调熔丝修调芯片的电阻随工艺波动而允许产生的最大波动范围，从而能够通过工艺控制监控使待修调熔丝修调芯片的电阻的实际波动范围处于允许的最大波动范围之内，提高熔丝修调的可靠性。
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公开(公告)号：CN118824306A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310433192.4
申请日：2023-04-20
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电源管理模块及方法、多次可编程非易失性存储器，所述电源管理模块包括：工作状态检测单元，在检测到主电路处于工作状态时输出启动信号，在检测到主电路处于非工作状态时输出关断信号；LDO电路，在接收到关断信号时关断，在接收到启动信号时启动并输出第一工作电压；电压快速生成单元，在接收到关断信号时关断，在接收到启动信号时启动并输出第二工作电压；选择器，接收第一和第二工作电压，在LDO电路启动完成后输出第一工作电压，在电压快速生成单元启动完成、LDO电路的启动尚未完成时输出第二工作电压；启动检测单元，在检测到LDO电路启动完成后控制电压快速生成单元关断。本发明能够解决电路功耗高和LDO启动时间慢而导致的问题。
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公开(公告)号：CN117437960A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202210826674.1
申请日：2022-07-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MTP存储器供电系统及供电方法，对于电源产生的电源电压先经过电压产生器处理以形成第一电压，接着再对所述第一电压增加一抬升电压以形成第二电压，从而对MTP存储器进行读取操作时，可以采用该经过处理的第二电压，使得进行读取操作时的电压较高或者较稳定，从而便可以使得对MTP存储器进行读取操作时读取稳定，或者提高读取速度。
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公开(公告)号：CN115765724A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211342322.5
申请日：2022-10-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种晶振启动控制电路及方法、晶振装置、SOC芯片，所述电路包括：逻辑电路；线性稳压器，根据逻辑电路输出的第一信号确定输出给晶体振荡器的电源信号的电压，电源信号作为晶体振荡器的电源；逻辑电路还用于检测晶体振荡器输出的时钟信号，若在输出第一信号后的预设时长内逻辑电路检测到晶体振荡器输出的时钟信号，则逻辑电路改变输出的第一信号，以使线性稳压器输出的电源信号的电压减小，直到在预设时长内未检测到时钟信号，此时逻辑电路再改变一次第一信号从而将电源信号的电压增大后，作为稳定的电源信号提供给晶体振荡器。本发明可以根据晶振的起振情况灵活调低LDO输出电压，尽可能地降低晶振的功耗。
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公开(公告)号：CN115577668A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110762993.6
申请日：2021-07-06
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本发明提供一种高压信号产生电路、防信息泄密的编程系统及方法，包括：高压信号产生模块，产生高压信号，并输出高压信号的值与预设值的比较结果；控制模块，基于比较结果产生反馈控制信号；反馈电流产生模块，基于反馈控制信号及输入数据产生相应的反馈电流；电流反馈模块，基于控制信号将反馈电流反馈至高压信号的输出端。本发明应用于非易失存储器中，不需要增加额外的时序要求，非易失存储器操作时序清晰明了，兼容性好；仅仅增加了规模较小的逻辑电路，不需要增加额外算法电路对输入数据进行处理，降低了芯片设计的复杂度，优化了芯片面积，进一步降低了产品的研发成本。
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