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公开(公告)号：CN118013685A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311454769.6
申请日：2023-11-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Simulink的雷达系统数字化设计平台及应用，集成了收发芯片、天线、测量目标、信道以及环境杂波等模块，在性能上不仅考虑了雷达在实际检测过程中的发射机相位噪声、复杂损耗、环境杂波及接收机噪声等的影响，还考虑了一体化收发芯片和天线性能特性，可根据所需雷达系统设计指标指导雷达系统芯片的选型，进而灵活设置各模块参数，结合平台仿真结果输出最优雷达设计方案。本发明可根据系统需求，任意增加相应模块，扩展设计平台功能，可用于设计雷达系统和对雷达系统的可靠性性能进行评估。与现有技术相比，本发明具有更符合设计雷达的性能指标，如信噪比，测距精度等，显著提高了雷达系统设计的普适性与可靠性。
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公开(公告)号：CN105305034B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201510733273.1
申请日：2015-10-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 带人工磁导体结构的太赫兹天线，利用CMOS工艺后端的多层金属工艺制造人工磁导体结构；天线具有六层金属，从最底到最上层分别为M1～M6层；使用M6制作天线，并通过通孔连接到由MOSEFTs器件构成的太赫兹传感器上；使用M1和M2制作人工磁导体底板来代替原有的光滑底板；底板M1为金属平板，M2金属层制备成周期性金属结构，M2层为正方形周期性金属块结构，正方形金属块边长L为5‑8μm，正方形金属块周期间隔约为43‑45μm，正方形金属块中心通过中心柱与底板相连，中心柱的尺寸是正方形金属块边长的1/10‑1/5；M2金属层制备成周期性金属结构和M1平板之间组成一个等效的LC振荡电路。
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公开(公告)号：CN104091851A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410258303.3
申请日：2014-06-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/119 , H01L31/022416
Abstract: 本发明涉及一种环栅MOSFET结构太赫兹信号传感器。环栅MOSFET结构的栅极弯曲围绕源极形成环状，漏极分布在外围。相比传统的直栅MOSFET结构，环栅结构缩小了源极面积，减小了源端寄生电容。在探测太赫兹波段时，环栅MOSFET结构比等效的直栅MOSFET结构能得到更大的电压响应RV和更小的噪声等效功率NEP。
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公开(公告)号：CN116822316A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210262325.1
申请日：2022-03-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于神经网络的氮化镓器件寿命预测方法。该方法的步骤包括：通过半导体器件仿真软件模拟氮化镓器件在不同应力下电学性能(如：漏极电流)随时间的退化；基于神经网络建立氮化镓器件寿命预测模型，并将氮化镓器件电学性能在不同应力下的退化作为数据集训练寿命预测模型，进而通过训练好的模型预测出正常工作条件下器件的使用寿命。本发明通过将半导体器件仿真软件与神经网络模型结合，可掌握氮化镓器件在不同应力下的退化情况，可预测出器件在正常工作条件下电学参数随时间的退化，进而计算出器件的寿命，为氮化镓器件的可靠性寿命研究提供新的思路。
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公开(公告)号：CN105305034A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510733273.1
申请日：2015-10-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 带人工磁导体结构的太赫兹天线，利用CMOS工艺后端的多层金属工艺制造人工磁导体结构；天线具有六层金属，从最底到最上层分别为M1～M6层；使用M6制作天线，并通过通孔连接到由MOSEFTs器件构成的太赫兹传感器上；使用M1和M2制作人工磁导体底板来代替原有的光滑底板；底板M1为金属平板，M2金属层制备成周期性金属结构，M2层为正方形周期性金属块结构，正方形金属块边长L为5-8μm，正方形金属块周期间隔约为43-45μm，正方形金属块中心通过中心柱与底板相连，中心柱的尺寸是正方形金属块边长的1/10-1/5；M2金属层制备成周期性金属结构和M1平板之间组成一个等效的LC振荡电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104900999A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510244096.0
申请日：2015-05-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出了一种基于CMOS集成电路工艺的太赫兹双频天线，对矩形辐射贴片微带天线进行改进，使得天线辐射贴片的长度L对应一个频率谐振，而贴片宽度W对应另一个频率谐振，然后从矩形辐射贴片对角线的一角馈电，则此时天线同时激发TM01和TM10两个方向模式，就能使同一个辐射贴片工作于两个太赫兹频率上；所述太赫兹双频矩形辐射贴片微带天线对角线的一角通过通孔与晶体管的栅极相连接工作；根据工作频率f跟辐射单元长度L的关系式，能够确定出所需工作频率下的天线辐射贴片的长宽设计要求。选取矩形辐射贴片对角线上一点作为馈电点，并采用同轴线馈电方式。
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公开(公告)号：CN105140277B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510347068.1
申请日：2015-06-19
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出了一种基于隧穿晶体管结构的太赫兹传感器，所述隧穿晶体管结构衬底为P型/N型时，离子注入形成的源区为P+型/N+型、离子注入形成的漏区为相应为N+型/P+型；在源区上方生长一层二氧化硅绝缘层和淀积一层多晶硅栅氧化层。源区的面积大于漏区的面积。该新型太赫兹传感器通过栅电压控制隧穿结处的势垒宽度使源区电子通过隧穿到达沟道区的导带，完成器件开启。利用开启电流与栅电压之间存在非线性关系，可以实现将高频频率信号整流；基于隧穿晶体管结构的新型太赫兹传感器的响应高，等效噪声功率低，更好的满足高频应用中的需求。
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公开(公告)号：CN105140282B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201510354750.3
申请日：2015-06-24
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L29/66 , H01L21/266
Abstract: 基于非自对准CMOS工艺的MOSFET结构的太赫兹探测器，p型衬底209上两个n型掺杂区分别为源极区和漏极区，源极区和漏极区的中央上面为SiO2层，重掺杂多晶硅区为栅极，SiO2层置于栅极与衬底之间，MOSFET源端区域与漏端区域相对于多晶硅栅非对称分布；MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于漏端区域的LDD扩散到栅极下的长度；或者是MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于采用自对准工艺技术生产的传统MOSFET的源端区域的LDD 104扩散到栅极区域下的长度；该MOSFET的源端区域与栅极区域的交叠面积小于传统MOSFET的源栅交叠面积；栅极侧面为侧墙氧化硅。
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公开(公告)号：CN105140248B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510440031.3
申请日：2015-07-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 一种基于CMOS太赫兹信号传感器的工作方法，MOSFET在工作时，利用外接电路给器件的源漏两端提供一稳定的驱动电流，改变沟道的直流电导。MOSFET器件栅极(201)上加直流偏置电压Vgs，太赫兹信号从源端(202)输入，漏端(203)接一个稳定电流源(204)，输出电压。在这种工作模式下，由于沟道电流此时的沟道直流电导(GDS)发生改变：可以使得CMOS太赫兹信号传感器的电压响应(RV)更大，噪声等效功率(NEP)更低。
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公开(公告)号：CN102437025B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110393297.9
申请日：2011-12-02
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 消除PMOS器件中负偏压温度不稳定性影响的方法，采用如下步骤，1)降低环境温度，使得PMOS器件工作在低温的-30±5℃环境下，而PMOS器件本身正常工作，这种环境抑制了NBTI现象；2)对于低温下阈值电压漂移，通过直接对PMOS器件栅端加零偏压或正偏压，源、漏、衬底处于零偏压，环境条件仍为上述低温条件下，施加上述电压的时间为1-5min，器件阈值电压会很快恢复。本发明所述的通过低温减少NBTI现象并使得其能完全恢复的过程，不需要改变器件工艺，不会对其性能造成影响。不需要改变电路设计。能消除NBTI过程中除阈值电压漂移外的亚阈值斜率(St)的改变和载流子迁移率的降低。
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