公开(公告)号：CN104091851A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410258303.3

申请日：2014-06-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  朱颖杰 ,  闫锋 ,  廖轶明

IPC: H01L31/119 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/119 ,  H01L31/022416

Abstract: 本发明涉及一种环栅MOSFET结构太赫兹信号传感器。环栅MOSFET结构的栅极弯曲围绕源极形成环状，漏极分布在外围。相比传统的直栅MOSFET结构，环栅结构缩小了源极面积，减小了源端寄生电容。在探测太赫兹波段时，环栅MOSFET结构比等效的直栅MOSFET结构能得到更大的电压响应RV和更小的噪声等效功率NEP。

公开(公告)号：CN105140282A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510354750.3

申请日：2015-06-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  张行行 ,  闫锋 ,  朱颖杰 ,  廖轶明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66568

Abstract: 基于非自对准CMOS工艺的MOSFET结构的太赫兹探测器，p型衬底209上两个n型掺杂区分别为源极区和漏极区，源极区和漏极区的中央上面为SiO2层，重掺杂多晶硅区为栅极，SiO2层置于栅极与衬底之间，MOSFET源端区域与漏端区域相对于多晶硅栅非对称分布；MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于漏端区域的LDD扩散到栅极下的长度；或者是MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于采用自对准工艺技术生产的传统MOSFET的源端区域的LDD 104扩散到栅极区域下的长度；该MOSFET的源端区域与栅极区域的交叠面积小于传统MOSFET的源栅交叠面积；栅极侧面为侧墙氧化硅。

公开(公告)号：CN105140282B

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201510354750.3

申请日：2015-06-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  张行行 ,  闫锋 ,  朱颖杰 ,  廖轶明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66 ,  H01L21/266

Abstract: 基于非自对准CMOS工艺的MOSFET结构的太赫兹探测器，p型衬底209上两个n型掺杂区分别为源极区和漏极区，源极区和漏极区的中央上面为SiO2层，重掺杂多晶硅区为栅极，SiO2层置于栅极与衬底之间，MOSFET源端区域与漏端区域相对于多晶硅栅非对称分布；MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于漏端区域的LDD扩散到栅极下的长度；或者是MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于采用自对准工艺技术生产的传统MOSFET的源端区域的LDD 104扩散到栅极区域下的长度；该MOSFET的源端区域与栅极区域的交叠面积小于传统MOSFET的源栅交叠面积；栅极侧面为侧墙氧化硅。

公开(公告)号：CN103761989B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201410003915.8

申请日：2014-01-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  朱颖杰 ,  廖轶明 ,  圣迎晓 ,  闫锋

IPC: G11C16/06

Abstract: 利用单电荷技术测量SONOS存储器中局域电荷分布的方法，选取未注入过电荷的SONOS存储器，改变源漏电压VDS的大小，测量不同VDS下的阈值电压VTH，得到VTH随VDS变化的分布；通过低压电荷注入过程将单电荷注入到SONOS存储器的氮化物存储层中；注入单电荷的SONOS存储器，得到VTH在VDS＞0时随VDS的分布；利用DIBL效应得到由于单电荷注入导致的阈值电压变化ΔVTH与沟道位置X的高斯分布函数；统计出不同沟道位置X处高斯分布的强度A和半峰宽W；测量待测SONOS存储器由于存储电荷引起的阈值电压变化;利用单电子信息，转化为采样点Xi处单电子注入引起的阈值电压变化的函数之和。最终得到存储层中电荷沿沟道方向分布。

公开(公告)号：CN104091851B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410258303.3

申请日：2014-06-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  朱颖杰 ,  闫锋 ,  廖轶明

IPC: H01L31/119 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明涉及一种环栅MOSFET结构太赫兹信号传感器。环栅MOSFET结构的栅极弯曲围绕源极形成环状，漏极分布在外围。相比传统的直栅MOSFET结构，环栅结构缩小了源极面积，减小了源端寄生电容。在探测太赫兹波段时，环栅MOSFET结构比等效的直栅MOSFET结构能得到更大的电压响应RV和更小的噪声等效功率NEP。

公开(公告)号：CN103761989A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201410003915.8

申请日：2014-01-03

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  朱颖杰 ,  廖轶明 ,  圣迎晓 ,  闫锋

IPC: G11C16/06

Abstract: 利用单电荷技术测量SONOS存储器中局域电荷分布的方法，选取未注入过电荷的SONOS存储器，改变源漏电压VDS的大小，测量不同VDS下的阈值电压VTH，得到VTH随VDS变化的分布；通过低压电荷注入过程将单电荷注入到SONOS存储器的氮化物存储层中；注入单电荷的SONOS存储器，得到VTH在VDS>0时随VDS的分布；利用DIBL效应得到由于单电荷注入导致的阈值电压变化ΔVTH与沟道位置X的高斯分布函数；统计出不同沟道位置X处高斯分布的强度A和半峰宽W；测量待测SONOS存储器由于存储电荷引起的阈值电压变化；利用单电子信息，转化为采样点Xi处单电子注入引起的阈值电压变化的函数之和。最终得到存储层中电荷沿沟道方向分布。