公开(公告)号：CN105140282A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510354750.3

申请日：2015-06-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  张行行 ,  闫锋 ,  朱颖杰 ,  廖轶明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/66568

Abstract: 基于非自对准CMOS工艺的MOSFET结构的太赫兹探测器，p型衬底209上两个n型掺杂区分别为源极区和漏极区，源极区和漏极区的中央上面为SiO2层，重掺杂多晶硅区为栅极，SiO2层置于栅极与衬底之间，MOSFET源端区域与漏端区域相对于多晶硅栅非对称分布；MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于漏端区域的LDD扩散到栅极下的长度；或者是MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于采用自对准工艺技术生产的传统MOSFET的源端区域的LDD 104扩散到栅极区域下的长度；该MOSFET的源端区域与栅极区域的交叠面积小于传统MOSFET的源栅交叠面积；栅极侧面为侧墙氧化硅。

公开(公告)号：CN105140282B

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201510354750.3

申请日：2015-06-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  张行行 ,  闫锋 ,  朱颖杰 ,  廖轶明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/66 ,  H01L21/266

Abstract: 基于非自对准CMOS工艺的MOSFET结构的太赫兹探测器，p型衬底209上两个n型掺杂区分别为源极区和漏极区，源极区和漏极区的中央上面为SiO2层，重掺杂多晶硅区为栅极，SiO2层置于栅极与衬底之间，MOSFET源端区域与漏端区域相对于多晶硅栅非对称分布；MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于漏端区域的LDD扩散到栅极下的长度；或者是MOSFET源端区域的LDD扩散到栅极区域下的长度小于采用自对准工艺技术生产的传统MOSFET的源端区域的LDD 104扩散到栅极区域下的长度；该MOSFET的源端区域与栅极区域的交叠面积小于传统MOSFET的源栅交叠面积；栅极侧面为侧墙氧化硅。