公开(公告)号：CN105140277B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510347068.1

申请日：2015-06-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  张城绪 ,  闫锋 ,  杨琪轩 ,  廖轶明

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明提出了一种基于隧穿晶体管结构的太赫兹传感器，所述隧穿晶体管结构衬底为P型/N型时，离子注入形成的源区为P+型/N+型、离子注入形成的漏区为相应为N+型/P+型；在源区上方生长一层二氧化硅绝缘层和淀积一层多晶硅栅氧化层。源区的面积大于漏区的面积。该新型太赫兹传感器通过栅电压控制隧穿结处的势垒宽度使源区电子通过隧穿到达沟道区的导带，完成器件开启。利用开启电流与栅电压之间存在非线性关系，可以实现将高频频率信号整流；基于隧穿晶体管结构的新型太赫兹传感器的响应高，等效噪声功率低，更好的满足高频应用中的需求。

公开(公告)号：CN105140277A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510347068.1

申请日：2015-06-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 纪小丽 ,  张城绪 ,  闫锋 ,  杨琪轩 ,  廖轶明

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  G01J1/42

CPC classification number: H01L29/7311 ,  G01J1/42 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0808

Abstract: 本发明提出了一种基于隧穿晶体管结构的太赫兹传感器，所述隧穿晶体管结构衬底为P型/N型时，离子注入形成的源区为P+型/N+型、离子注入形成的漏区为相应为N+型/P+型；在源区上方生长一层二氧化硅绝缘层和淀积一层多晶硅栅氧化层。源区的面积大于漏区的面积。该新型太赫兹传感器通过栅电压控制隧穿结处的势垒宽度使源区电子通过隧穿到达沟道区的导带，完成器件开启。利用开启电流与栅电压之间存在非线性关系，可以实现将高频频率信号整流；基于隧穿晶体管结构的新型太赫兹传感器的响应高，等效噪声功率低，更好的满足高频应用中的需求。