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公开(公告)号：CN105449030B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201511018027.4
申请日：2015-12-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/02
Abstract: 一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器，光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料，厚度为100～300nm；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～500nm，光学天线与晶体管源端、漏端和栅端通过标准半导体工艺中填充氧化物隔开；光学天线采用偶极子天线或领结形天线结构，多晶硅材料的掺杂浓度为1017～1020原子/每立方厘米；天线厚度与晶体管源漏端厚度相同，将天线分别与源漏连成一整体。
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公开(公告)号：CN105140248A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510440031.3
申请日：2015-07-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/144
Abstract: 一种基于CMOS太赫兹信号传感器的工作方法，MOSFET在工作时，利用外接电路给器件的源漏两端提供一稳定的驱动电流，改变沟道的直流电导。MOSFET器件栅极(201)上加直流偏置电压Vgs，太赫兹信号从源端(202)输入，漏端(203)接一个稳定电流源(204)，输出电压。在这种工作模式下，由于沟道电流此时的沟道直流电导(GDS)发生改变：可以使得CMOS太赫兹信号传感器的电压响应(RV)更大，噪声等效功率(NEP)更低。
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公开(公告)号：CN103165628A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110417263.9
申请日：2011-12-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 基于复合介质栅MOSFET光敏探测器的多功能曝光成像方法，曝光成像的步骤是:在衬底加一负偏压脉冲Vb，源极或漏极的一端加一正向电压脉冲Vp且另一端浮空、或源极漏极同时加一电压压脉冲Vp，源极和漏极加上了一个大于衬底偏压的偏压脉冲，同时控制栅要加零偏压或加正向偏压脉冲Vg，衬底和源漏区会产生耗尽层；Vg数值范围0~20v,Vb数值范围-20~0v,Vp数值范围0~10V；通过调节电压可以探测器收集光电子从而使器件可以曝光成像,具有低压操作，无暗电流干扰，成像准确，弱光探测，成像速度快等特点。
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公开(公告)号：CN102184929B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110072753.X
申请日：2011-03-24
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及由其组成的雪崩管成像阵列。所述紫外光雪崩管成像阵列像元由多个雪崩管探测器并联而成，所述雪崩管探测器由光电二极管、薄膜电阻、金属层顺序连接而成，每个雪崩管探测器中，光电二极管的n型半导体与接触电极连接，成像像元中各个雪崩管探测器的接触电极之间形成电连接作为一个电极，各个雪崩管探测器共用一块完整的金属层，金属层形成紫外光雪崩管成像阵列像元的另一个电极。所述所述雪崩管成像阵列，由多个所述的紫外光雪崩管成像阵列像元组成。本发明的有效效果为：克服了材料本身缺陷密度大而造成的良率过低的问题，该新型结构紫外光雪崩管成像阵列像元良率可以接近并达到100％。
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公开(公告)号：CN102184929A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110072753.X
申请日：2011-03-24
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及由其组成的雪崩管成像阵列。所述紫外光雪崩管成像阵列像元由多个雪崩管探测器并联而成，所述雪崩管探测器由光电二极管、薄膜电阻、金属层顺序连接而成，每个雪崩管探测器中，光电二极管的n型半导体与接触电极连接，成像像元中各个雪崩管探测器的接触电极之间形成电连接作为一个电极，各个雪崩管探测器共用一块完整的金属层，金属层形成紫外光雪崩管成像阵列像元的另一个电极。所述所述雪崩管成像阵列，由多个所述的紫外光雪崩管成像阵列像元组成。本发明的有效效果为：克服了材料本身缺陷密度大而造成的良率过低的问题，该新型结构紫外光雪崩管成像阵列像元良率可以接近并达到100％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104091813B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201410264080.1
申请日：2014-06-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种基于标准闪存工艺的三维图像传感器，所述三维传感器结构左右轴对称；包括中间衬底、分别位于中间衬底左侧的左衬底和右侧的右衬底；包括设置于左衬底上方、横跨至中间衬底左存储区上方的左浮栅层，所述左浮栅层上方设置有左读出栅和左控制栅，且所述左读出栅位于左衬底上方、左控制栅位于中间衬底左存储区上方；且左衬底、左浮栅层和左读出栅构成第一读出晶体管；包括设置于中间衬底的中间产生区上方的光电子产生控制栅，所述光电子产生控制栅两侧对称的设置有左电子转移控制栅和右电子转移控制栅，且所述左电子转移控制栅位于左转移区上方、右电子转移控制栅位于右存储区上方；能有效降低单个像素的大小。
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公开(公告)号：CN103165726B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110419288.2
申请日：2011-12-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: PN结薄膜晶体管非挥发光电探测器，探测器结构包括硅(Si)衬底(1)，衬底正上方为一层绝缘介质称为体绝缘层(2)，体绝缘层正上方为掺杂不同的半导体薄膜层形成P型源极(3)和N型漏极(4)，在源极漏极分界处源极一侧正上方从下到上依次为底层绝缘介质(5)、电荷存储层(6)、顶层绝缘介质(7)和控制栅极(8)；两层绝缘介质包围电荷存储层可以防止中间电荷的流失；底层绝缘介质将半导体层和电荷存储层隔离。其中控制栅和衬底至少有一种是透光的材料以便于光探测。该探测器利用PN结反偏来产生和收集光信号，通过测量PN结的带带隧穿(BTBT)电流来读取信号大小。
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公开(公告)号：CN103227184B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310126156.X
申请日：2013-04-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
Abstract: 本发明提出了一种基于复合介质栅结构的像素单元的成像阵列及其曝光操作方法，像素单元采用复合介质栅结构的光敏探测器，每个像素单元的源区和漏区是对称的，通过注入形成的P型衬底（1），相邻像素单元之间为N型注入区形成像素共用的漏极（2）或源极（7），若干数目的像素单元通过N型注入区相互串联构成一列，在一列（BL）的两端分别为两个选择开关晶体管，晶体管栅极控制端口漏极方向为SD，源极方向为SS，通过控制选择晶体管的开关来控制每一列信号的传输，用于控制一列的选择开启；其中每一条列中的每一行不同像素通过字线（WL）将栅极（3）连接，一条WL同时控制一行像素的栅极。
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公开(公告)号：CN102938409B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201210442007.X
申请日：2012-11-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。
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公开(公告)号：CN104091813A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410264080.1
申请日：2014-06-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种基于标准闪存工艺的三维图像传感器，所述三维传感器结构左右轴对称；包括中间衬底、分别位于中间衬底左侧的左衬底和右侧的右衬底；包括设置于左衬底上方、横跨至中间衬底左存储区上方的左浮栅层，所述左浮栅层上方设置有左读出栅和左控制栅，且所述左读出栅位于左衬底上方、左控制栅位于中间衬底左存储区上方；且左衬底、左浮栅层和左读出栅构成第一读出晶体管；包括设置于中间衬底的中间产生区上方的光电子产生控制栅，所述光电子产生控制栅两侧对称的设置有左电子转移控制栅和右电子转移控制栅，且所述左电子转移控制栅位于左转移区上方、右电子转移控制栅位于右存储区上方；能有效降低单个像素的大小。
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