公开(公告)号：CN102938409B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201210442007.X

申请日：2012-11-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  马浩文 ,  沈忱 ,  卜晓峰 ,  吴福伟 ,  夏好广 ,  张佳辰

IPC: H01L27/146

Abstract: 基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。

公开(公告)号：CN102856338A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210349285.0

申请日：2012-09-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 卜晓峰 ,  闫锋 ,  夏好广 ,  吴福伟 ,  马浩文 ,  司向东 ,  张佳辰

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明提出一种分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法，分裂栅型MOSFET结构为在P型衬底正上发设有两层绝缘介质层和控制栅极，两层绝缘介质层之间设有光电子存储层；控制栅极的两侧设有选择栅极，将控制栅极所控制的衬底与探测器源极和漏极隔离开。与控制栅极接触的顶层绝缘介质层是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到控制栅极的材料，衬底层或控制栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。本发明可有效提高光电子的收集效率，抑制探测器暗电流，对工艺缺陷不敏感，动态范围大，信号读取准确性高。

公开(公告)号：CN102856338B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210349285.0

申请日：2012-09-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 卜晓峰 ,  闫锋 ,  夏好广 ,  吴福伟 ,  马浩文 ,  司向东 ,  张佳辰

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/378 ,  H04N5/369

Abstract: 本发明提出一种分裂栅型MOSFET成像探测器及其操作方法，分裂栅型MOSFET结构为在P型衬底正上发设有两层绝缘介质层和控制栅极，两层绝缘介质层之间设有光电子存储层；控制栅极的两侧设有选择栅极，将控制栅极所控制的衬底与探测器源极和漏极隔离开。与控制栅极接触的顶层绝缘介质层是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到控制栅极的材料，衬底层或控制栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。本发明可有效提高光电子的收集效率，抑制探测器暗电流，对工艺缺陷不敏感，动态范围大，信号读取准确性高。

公开(公告)号：CN105449030A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201511018027.4

申请日：2015-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 张佳辰 ,  张铁 ,  吴福伟

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01L31/112 ,  H01L31/02

Abstract: 一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器，光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料，厚度为100～300nm；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～500nm，光学天线与晶体管源端、漏端和栅端通过标准半导体工艺中填充氧化物隔开；光学天线采用偶极子天线或领结形天线结构，多晶硅材料的掺杂浓度为1017～1020原子/每立方厘米；天线厚度与晶体管源漏端厚度相同，将天线分别与源漏连成一整体。

公开(公告)号：CN102938409A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210442007.X

申请日：2012-11-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 闫锋 ,  马浩文 ,  沈忱 ,  卜晓峰 ,  吴福伟 ,  夏好广 ,  张佳辰

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/374

Abstract: 基于复合介质栅MOSFET的双晶体管光敏探测器，每个单元探测器都是由两个晶体管构成，利用两个晶体管分别实现感光和读取功能即感光晶体管和读取晶体管：两个晶体管都是形成在复合介质栅MOSFET基底P型半导体材料（1）上方，两个晶体管通过浅槽STI隔离隔开，基底P型半导体材料正上方分别设有底层和顶层二层绝缘介质材料和控制栅极（2），二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层（4），读取晶体管设有源漏极，用以读取信号；两个晶体管之间通过光电子存储层相连，使得读取晶体管能够读到感光晶体管通过感光存储到光电子存储层的光电子。

公开(公告)号：CN105449030B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201511018027.4

申请日：2015-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 张佳辰 ,  张铁 ,  吴福伟

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/02

Abstract: 一种基于有源区材料的光学天线太赫兹探测器，光学天线与晶体管栅极采用同一层多晶硅材料，厚度为100～300nm；光学天线分别置于晶体管的源极和漏极两端，天线边缘距离晶体管栅极边缘间距为100～500nm，光学天线与晶体管源端、漏端和栅端通过标准半导体工艺中填充氧化物隔开；光学天线采用偶极子天线或领结形天线结构，多晶硅材料的掺杂浓度为1017～1020原子/每立方厘米；天线厚度与晶体管源漏端厚度相同，将天线分别与源漏连成一整体。